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當(dāng)前位置：玉崎科學(xué)儀器（深圳）有限公司>>ULVAC愛(ài)發(fā)科>>蝕刻設(shè)備>> RISETM-300日本ULVAC愛(ài)發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)RISETM-300
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地深圳市
更新時(shí)間：2024-11-25 14:41:19瀏覽次數(shù)：189次
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日本ULVAC愛(ài)發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備
日本ULVAC愛(ài)發(fā)科半導(dǎo)體光電干法刻蝕設(shè)備
日本ULVAC愛(ài)發(fā)科半導(dǎo)體干法刻蝕設(shè)備研發(fā)
日本ULVAC愛(ài)發(fā)科半導(dǎo)體干法刻蝕設(shè)備
日本ULVAC愛(ài)發(fā)科高密度等離子刻蝕設(shè)備
| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,綜合 |
|---|
日本ULVAC愛(ài)發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備
日本ULVAC愛(ài)發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備
間歇式自然氧化膜去除設(shè)備RISE TM -300是一種間歇式預(yù)清洗設(shè)備，可以去除LSI深接觸底部等難處理的自然氧化膜。兼容300mm目標(biāo)晶圓。
實(shí)現(xiàn)高吞吐量和低 CoO
良好的蝕刻均勻性（< ±5%/批次）和再現(xiàn)性
干法
無(wú)損壞（遠(yuǎn)程等離子體和低溫工藝）
與傳統(tǒng)濕法工藝相比，自對(duì)準(zhǔn)接觸電阻降低至 1/2
設(shè)備布局靈活
強(qiáng)調(diào)可維護(hù)性
50 300mm晶圓批量加工
用于形成自對(duì)準(zhǔn)觸點(diǎn)的預(yù)處理
電容器形成過(guò)程中的預(yù)處理
外延生長(zhǎng)過(guò)程中的預(yù)處理
| 模型 | RISETM-300 | |
| 等離子源 | 微波電源 | |
| 設(shè)備配置 | EFEM + LL + PM | |
| 板尺寸 | Φ300mm | |
| 板臺(tái) | 陶瓷舟（50只/批） | |
| 排氣系統(tǒng) | 機(jī)械增壓泵+DRP | |
| 控制系統(tǒng) | FAPC+TFT觸摸屏 | |
| 氣體導(dǎo)入系統(tǒng) | 3個(gè)系統(tǒng) | |
| 應(yīng)用 | SAC、電容器和外延生長(zhǎng)過(guò)程中的預(yù)處理 | |
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