1.產(chǎn)品概述:
高真空磁控濺射與離子束復(fù)合薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)先的軟件控制系統(tǒng),用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。
2.產(chǎn)品工藝:
真空室結(jié)構(gòu):圓筒形上升蓋
真空室尺寸:φ550x450mm
限真空度:≤6.0E-5Pa
沉積源:磁控靶3套,φ2英寸;
四工位轉(zhuǎn)靶1套;
樣品尺寸,溫度:φ2英寸,6片。高可以到達(dá)800℃
占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約3米×1.1米×2米
電控描述:全自動(dòng)控制
工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤±3%
濺射源:考夫曼離子源 Kaufman 2套,φ2英寸