1 產(chǎn)品概述:

   Riber分子束外延（MBE）系統(tǒng)是一款在半導(dǎo)體及光電子域廣泛應(yīng)用的先進(jìn)設(shè)備，以其高精度、高純度和低溫生長(zhǎng)的特點(diǎn)而著稱(chēng)。該系統(tǒng)能夠在超高真空環(huán)境下，通過(guò)精確控制分子束的流量和速度，實(shí)現(xiàn)原子層的材料沉積，從而生長(zhǎng)出具有優(yōu)異性能的薄膜材料。Riber公司作為該域的先者，其MBE系統(tǒng)涵蓋了多種型號(hào)，如MBE 6000-Multi和4英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)等，以滿(mǎn)足不同規(guī)模和需求的生產(chǎn)場(chǎng)景。

2 設(shè)備用途：

1. 半導(dǎo)體制造：Riber MBE系統(tǒng)可用于生長(zhǎng)高質(zhì)量的半導(dǎo)體材料，如GaAs、InP、GaN等，這些材料是制造晶體管、二管、激光器等微電子器件的關(guān)鍵。通過(guò)MBE技術(shù)，可以精確控制材料的組分、厚度和界面結(jié)構(gòu)，從而優(yōu)化器件的性能。

2. 光電子器件：在光電子域，Riber      MBE系統(tǒng)可用于制造太陽(yáng)能電池、LED、光電探測(cè)器等器件。利用MBE技術(shù)生長(zhǎng)的量子點(diǎn)等結(jié)構(gòu)，可以顯著提升這些器件的光電轉(zhuǎn)換效率和性能穩(wěn)定性。

3. 量子點(diǎn)研究：MBE系統(tǒng)還廣泛應(yīng)用于量子點(diǎn)的研究和生產(chǎn)中。量子點(diǎn)是一種具有光電特性的納米材料，通過(guò)MBE技術(shù)可以精確控制其尺寸、形狀和組分，從而制備出性能優(yōu)異的量子點(diǎn)材料。

4. 超導(dǎo)金屬：Riber MBE系統(tǒng)還可用于生長(zhǎng)超導(dǎo)金屬材料。超導(dǎo)金屬具有超精確的尺寸控制和電子在其中不受干擾地流動(dòng)的特性，是制造超導(dǎo)器件和量子計(jì)算等沿技術(shù)的重要材料。

3 設(shè)備特點(diǎn)

  高精度沉積：Riber MBE系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)原子層的材料沉積控制，確保薄膜的高質(zhì)量和均勻性。這種高精度沉積能力使得MBE系統(tǒng)在制造高性能微電子和光電子器件方面具有優(yōu)勢(shì)。

  高真空環(huán)境：系統(tǒng)配備先進(jìn)的真空系統(tǒng)，提供超高真空環(huán)境，有效減少雜質(zhì)和污染，保證晶體沉積的純度和質(zhì)量。

  低溫生長(zhǎng)：MBE技術(shù)采用低溫生長(zhǎng)方式，有效避免界面原子的互擴(kuò)散和缺陷的形成，從而生長(zhǎng)出高質(zhì)量的薄膜材料。

  多源端口設(shè)計(jì)：部分型號(hào)如4英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)可配備多個(gè)源端口，以滿(mǎn)足不同材料的沉積需求，有助于生長(zhǎng)復(fù)雜的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn)：

• 襯底尺寸：5×3英寸、4×4英寸、150毫米、200毫米

• 外延生長(zhǎng)：可實(shí)現(xiàn)原子的表面平整度且界面陡峭的超薄層沉積，以及合金組分或摻雜原子縱向濃度梯度可調(diào)等。

• 真空系統(tǒng)：提供高真空環(huán)境，減少雜質(zhì)和污染，保證晶體沉積的純度和質(zhì)量。

• 溫度控制：生長(zhǎng)溫度低，有效避免界面原子的互擴(kuò)散。
     

MBE 49生產(chǎn)系統(tǒng)的應(yīng)用非常廣泛，主要包括以下幾個(gè)方面：

• 半導(dǎo)體器件：如晶體管、二管、激光器等。

• 光電子器件：如太陽(yáng)能電池、LED、光電探測(cè)器等。

• 量子點(diǎn)：使用“量子點(diǎn)"，這是使用MBE創(chuàng)建和控制的中等體積的純半導(dǎo)體合金。

• 超導(dǎo)金屬：超導(dǎo)金屬可以具有超精確的尺寸（原子尺度），電子在其中不受干擾地流動(dòng)。