IBE離子束刻蝕系統(tǒng)

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。

NANO-MASTER技術已經證明了可以把基片溫度控制在50° C以內的同時，旋轉晶圓片以達到想要的均勻度。

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產品特點：

• 14.5"不銹鋼立體離子束腔體
• 16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動不銹鋼遮板
• 離子束中和器
• 氬氣MFC
• 6"水冷樣品臺
• 晶片旋轉速度3、10RPM，真空步進電機
• 步進電機控制晶圓片傾斜
• 手動上下載晶圓片
• 典型刻蝕速率：銅200 Å/min, 硅：500 Å/min
• 6"范圍內，刻蝕均勻度+/-3%
• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內可達到10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）
• 配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達8x10-8Torr
• 磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化
• 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
• 菜單驅動，4級密碼訪問保護
• 完整的安全聯(lián)鎖

 Features：

• 14.5" SS Cube ion beam chamber
• 16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shutters
• Ion Beam neutralizer
• Ar MFC
• Chilled water cooled 6" substrate platen
• Wafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motor
• Wafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational seal
• Manual wafer load/unload
• Typical Etch Rates: 200 Å/min Cu, 500 Å/min Si
• +/-3% etch uniformity over 6“ area
• 5x 10^-6 Torr < 20 minutes <2 x10^-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo
• 8x10^-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pump
• Magnetron Sputtering of Si₃N₄ to protect etched metal surfaces from oxidation
• PC Controlled with LabVIEW Software
• Recipe Driven, Password Protected
• Fully Safety Interlocked