基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法主要包括以下幾個方面：

一、晶圓片制備優(yōu)化

多次減薄處理：

采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進行多次減薄處理，可以制備出預設(shè)厚度小于70μm且厚度均勻性TTV為±0.5μm的晶圓片結(jié)構(gòu)。

這種方法避免了石英玻璃本身機械性能脆弱易導致晶圓片結(jié)構(gòu)碎裂的風險，同時保證了晶圓片結(jié)構(gòu)正面電路的完整性。

拋光處理：

對多次減薄處理后的石英玻璃進行拋光處理，可以使表面粗糙度小于預設(shè)閾值，如表面粗糙度Ra小于1nm。

拋光處理能顯著增加散熱金屬層電鍍的致密性和附著力，從而有效改善晶圓片結(jié)構(gòu)工作時的散熱能力。

二、外延生長方法改進

MOCVD法：

MOCVD（金屬有機化學氣相沉積法）是一種常用的外延生長方法。通過優(yōu)化MOCVD工藝參數(shù)，如反應(yīng)溫度、反應(yīng)物濃度和載氣流速等，可以獲得高質(zhì)量的外延GaN薄膜。

MOCVD法制備的產(chǎn)量大，生長周期短，適合用于大批量生產(chǎn)。但生長完畢后需要進行退火處理，且得到的薄膜可能會存在裂紋，影響產(chǎn)品質(zhì)量。

MBE法：

MBE（分子束外延法）可以在較低的溫度下實現(xiàn)GaN的生長，有利于減少反應(yīng)設(shè)備中NH3的揮發(fā)程度。

但MBE法的生長速率較慢，不能滿足大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)的要求。同時，當采用等離子體輔助方式時，容易造成高能離子對薄膜的損傷。

HVPE法：

HVPE（氫化物氣相外延法）生長速度快，且生長的GaN晶體質(zhì)量較好。但高溫反應(yīng)對生產(chǎn)設(shè)備、生產(chǎn)成本和技術(shù)要求都比較高。

三、其他輔助措施

襯底選擇與處理：

選擇合適的襯底材料，如Si襯底，并對其進行適當?shù)念A處理，如清洗和拋光等，以提高外延生長的質(zhì)量和均勻性。

溫度控制：

在外延生長過程中，精確控制反應(yīng)腔內(nèi)的溫度是至關(guān)重要的?？梢圆捎脺囟葌鞲衅鳎ㄈ鏤V 400系統(tǒng)）來實時監(jiān)測外延片表面的溫度，以提高溫度控制的精度和穩(wěn)定性。

氣氛控制：

控制反應(yīng)腔內(nèi)的氣氛，如NH3的分壓和載氣的流量等，以優(yōu)化外延生長的條件。

后續(xù)處理：

在外延生長完成后，對晶圓片進行后續(xù)的退火、清洗和檢測等處理，以確保其質(zhì)量和性能符合要求。

綜上所述，基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法涉及晶圓片制備優(yōu)化、外延生長方法改進以及其他輔助措施等多個方面。通過綜合運用這些方法和技術(shù)，可以制備出高質(zhì)量、高性能的GaN外延晶圓片。

四、高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術(shù)指標。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù)，傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片，一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。

1,靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應(yīng)的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多層結(jié)構(gòu)，厚度可從μm級到數(shù)百μm 級不等。 

可用于測量各類薄膜厚度，厚度可低至4μm ，精度可達1nm。

1，可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現(xiàn)在復雜工作環(huán)境中抗干擾能力強，一改過去傳統(tǒng)晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。