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功率器件IGBT的金相制備

來源:湖南艾克賽普測控科技有限公司   2024年08月01日 09:30  

功率器件IGBT概述

隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),功率器件在市場上越來越多見;IGBT 是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。IGBT 模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的 IGBT也指IGBT模塊。

IGBT 模塊有3個(gè)連接部分:硅片上的鋁線鍵合點(diǎn)、硅片與陶瓷絕緣基板的焊接面、陶瓷絕緣基板與銅底板的焊接面。由于IGBT模塊內(nèi)部為多層結(jié)構(gòu)集成數(shù)個(gè)電子元器件,涉及材料、微電子、焊接等多種工藝。保證IGBT內(nèi)部封裝質(zhì)量是廠家們非常關(guān)心的問題,因?yàn)檫@些接點(diǎn)的失效都會(huì)直接影響產(chǎn)品工作狀態(tài)。

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IGBT模塊結(jié)構(gòu)圖

所以,IGBT在制備生產(chǎn)及產(chǎn)品失效時(shí)均需要金相切片破壞性試驗(yàn)用于管控生產(chǎn)工藝質(zhì)量及確認(rèn)失效原因,但因IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜,對其在研磨/拋光階段存在較大的難度,需要選擇合適的工藝及耗材。常見問題包括DBC層難去除、拋光后劃痕嚴(yán)重、顯微形貌浮凸嚴(yán)重同時(shí)影響各層尺寸測量準(zhǔn)確性。

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一、切割方案

因樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜,含銅金屬、陶瓷層、硅材料及焊接材料,建議選擇功率較大的高速精密切割機(jī),在保證良好的切割效率的同時(shí)可以得到較少的切割表面損傷。

切割刀片建議使用高濃度的金剛石切割片,該刀片適用材料范圍廣,可以得到良好的切割表面,減少后續(xù)研磨的時(shí)間,提高制備效率。

切割時(shí)需注意切割位置需距離觀察位置2.54mm以上,留出足夠的空間以避免損壞所要測試的區(qū)域。(備注:位置要求依據(jù)IPC-TM-650-2.1.1標(biāo)準(zhǔn))

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二、研磨方案

1.平面研磨

客戶需對IGBT進(jìn)行平面逐層去除,觀測不同層次前后的芯片形貌特征及尺寸測量等。在使用反應(yīng)離子刻蝕機(jī)去除IGBT產(chǎn)品中的鈍化層或介質(zhì)層時(shí),該設(shè)備無法去除DBC陶瓷層,需配合自動(dòng)研磨機(jī)去除IGBT產(chǎn)品中的金屬層和DBC層。

因DBC采用了陶瓷表面金屬化技術(shù),所以共包含3層。中間為白色陶瓷絕緣層,上下分別有覆銅層。

DBC常用的陶瓷絕緣材料是氧化鋁(Al2O3)和氮化鋁(AlN),常規(guī)砂紙無法有效研磨,效率極低,且實(shí)驗(yàn)人員疲勞強(qiáng)度高。實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過多次嘗試后,選擇采用單個(gè)樣品中心力加載研磨搭配金剛石磨盤的方案,將整層DBC陶瓷層去除的時(shí)間縮短至8min。

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注意事項(xiàng)

  • 研磨夾具:需根據(jù)樣品尺寸定制單個(gè)樣品中心力的固定夾具;

  • 在去除DBC層的軟金屬銅層時(shí),建議使用普通砂紙去除。因?yàn)殂~層較粘會(huì)快速帶走金剛石磨盤的顆粒,損耗金剛石磨盤壽命;

  • 在去除DBC陶瓷層時(shí),力值需大于有效研磨力值180N時(shí),才能有效去除陶瓷層。


2.截面研磨

目前IGBT芯片與DBC板及DBC板與基板間的連接普遍是通過SnAg焊接的方式,但溫度循環(huán)產(chǎn)生應(yīng)力容易導(dǎo)致DBC板和散熱基板各層之間的焊接層出現(xiàn)裂縫,焊接老化也會(huì)引起芯片溫度上升,最終影響模塊的壽命。客戶需要對IGBT模塊進(jìn)行截面切片制備,經(jīng)過樣品制備后,用于觀察各層之間的層間結(jié)構(gòu)形貌,尺寸測量及焊接層有效性及成分分析等。

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因IGBT層間結(jié)構(gòu)材料較多,Cu層及焊接層較軟,DBC陶瓷層較硬,Si基材料硬且脆,在磨拋過程中極易產(chǎn)生浮凸并伴隨硅基的碎裂,情況嚴(yán)重時(shí)還會(huì)影響各層的尺寸測量準(zhǔn)確性。推薦客戶在前期研磨階段使用金剛石磨盤,因?yàn)榻饎偸ケP具有良好的剛性,可以提供一致的材料去除速率。若在研磨階段硅片碎裂較多,建議在研磨最后一步采用DGD terra磨盤,該磨盤平整性,對易碎材料非常友好。最后,拋光階段,建議使用硬編制拋光布,減少浮凸的產(chǎn)生。


三、制備結(jié)果

通過該制備方案和相關(guān)耗材,可以看到IGBT樣品的截面形貌各層分界明顯、無明顯浮凸,可快速準(zhǔn)確的完成樣品尺寸測量及成分分析等。

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