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如何使用Moku進行阻抗測量?

來源:上海昊量光電設(shè)備有限公司   2024年06月03日 10:22  

如何使用Moku進行阻抗測量?


頻率響應(yīng)分析儀


Moku的頻率響應(yīng)分析儀(FRA)在Moku輸出上驅(qū)動掃描正弦波,并同時測量Moku輸入接口接收到的信號幅度(或功率)。FRA可以測量系統(tǒng)或被測設(shè)備(DUT)的傳遞函數(shù),從而創(chuàng)建幅度和相位與頻率的關(guān)系圖,通常稱為波特圖。


圖1 波特圖示例


為了測量被測設(shè)備的阻抗(Zdut),我們需要了解 FRA 的功率圖。FRA 圖使用dbm或相對于一毫瓦(1 mW)的分貝為單位;在這種情況下,一個方便的計量單位。定義為:



Moku FRA掃描正弦輸出可以以伏特(峰峰值)為單位進行設(shè)置。對于正弦曲線:



將上式帶入(2)式,可得:



以dBm表示,換算為mW,并且我們已知Moku 輸入阻抗為50 Ω,得出:



我們使用Moku的FRA生成1 Vpp正弦波 ,Moku輸出1直接連接到輸入1,如圖2所示。當(dāng)然,所得幅度在整個頻率范圍(0-1 kHz)4.050 dBm處是平坦的,非常接近到計算出的3.979 dBm。差異相當(dāng)于1.7 mV(0.17%)。


圖2 在Moku輸入中直接驅(qū)動的1 V pp的FRA圖


電阻測量


單端口測量:

現(xiàn)在FRA的基本電源單位已經(jīng)清楚,我們可以進行阻抗測量工作。在第1個示例中,我們將測量一個簡單的10 kΩ、10% 容差電阻器的Rdut。等效電路為:




圖3 單端口測量等效電路


請注意,Vout為2 V,這會導(dǎo)致50 Ω負載上的電壓為1 V。

Moku FRA的運行頻率高達120 MHz,但對于這些電阻測量,繪制至40 kHz 的圖就足夠了。圖4顯示了Vin時的Moku FRA幅度響應(yīng) = -35.821 dBm 。


圖4 10 kΩ、20%、單端口DUT的FRA圖


重新整理(1)式并代入(4)中的P,我們可以得出:



從圖4中可得,PdB = -35.821dB,通過(5)式可得Vin=10.23mV

由圖3的等效電路,可得分壓公式:



該電阻器的數(shù)字電壓表(DVM)讀數(shù)顯示為9750 Ω。


通過這一簡單的單電阻測量,我們可以得出結(jié)論,Moku 的準(zhǔn)確度在 77 Ω(< 1%)以內(nèi)。


低阻抗測量:


上面的示例使用了標(biāo)準(zhǔn)10% 容差電阻。我們還可以高精度地測量較低的阻抗。為此,我們將使用100 Ω、0.005% 容差的高精度電阻器。使用上述方法,我們得到了功率幅值圖。


圖5 100 Ω、0.005%、單端口的 FRA 屏幕截圖


將測得的-1.972 dBm功率代入方程(5)和(7),我們計算出Rdut為98.41Ω。這與已知值幾乎一致,但我們可以通過雙端口測量做得更好。


二端口測量:


為了改進我們的測量,我們需要考慮Moku 50 Ω輸出上DUT的負載。


我們可以通過雙端口測量來實現(xiàn)這一點,利用Moku的第二個輸入端口來觀察實際應(yīng)用的信號電平。圖6顯示了使用Moku:Lab的硬件設(shè)置示例。


圖6 Moku:Lab的兩端口配置


圖7 二端口等效電路


我們可以根據(jù)歐姆定律推導(dǎo)出圖6中的Rdut



將(9)帶入(8)可得:



我們使用嚴(yán)格公差100 Ω、0.005%電阻器設(shè)置此雙端口測量,并捕獲圖7中的 Moku FRA圖。


圖7 100Ω、0.005%、兩端口的FRA屏幕截圖



請注意,黃色線即為我們使用 FRA 數(shù)學(xué)通道(V2/V1)。在iPad界面上進行配置非常快速且簡單。

從(10)中我們可以看出,我們可以根據(jù)V2/V1電壓比計算Rdut。

FRA數(shù)學(xué)通道計算出的功率比為9.505 dBm,因此電壓比為:




代入到(11)中,可得:。我們將該值代入(10)可得Rdut=99.36Ω。


電阻測試總結(jié):


Moku的FRA可用于進行阻抗測量并確定電阻值,精度<1%。


Rdut/Ω

單端口/Ω

雙端口/Ω

數(shù)字電壓表/Ω

100

98.41

99.36

100.0

10000

9675

9762

9750


在雙端口方法中,測量精度將更高。


電感測量


在本例中,我們將測量一個已知電容器:Wurth Elektronik 7447021。這是一個100μH電容器,額定功率為10kHz,容差為20%,如下圖12所示。


圖12 電容器的簡要參數(shù)


我們將采用與圖6與圖7相同的兩端口測量方式。


圖13 阻抗向量示意圖



因此,如果我們測量頻率 f 下的相位,我們就可以確定電感L。


設(shè)置與測量:


圖14 Moku:Lab設(shè)置


圖14顯示了 Moku:Lab的設(shè)置,我們只需幾分鐘,即可在 Moku:Lab的iPad 應(yīng)用程序上設(shè)置搭載FRA 儀器并生成幅度和頻率與相位的關(guān)系圖。然后通過點擊云按鈕來共享應(yīng)用程序上的曲線,屏幕截圖和高分辨率數(shù)據(jù),并可導(dǎo)出到MyFiles、SD 卡或電子郵件中。在本例中,我們將數(shù)據(jù)共享到Dropbox文件夾,如圖15所示。您也可以使用PC應(yīng)用程序?qū)⒁陨夏枰臄?shù)據(jù)直接下載到您的PC上。


圖15 100μH、20%、雙端口電感器的FRA屏幕截圖


Moku 輸出通道1上生成了1 kHz至10 MHz的掃頻正弦波。藍色線顯示通道2(V2),而紅色跡線顯示通道1(V1)。Moku數(shù)學(xué)通道呈橙色,并配置為兩通道的除法運算 (ch2/ch1)。我們添加了幾個光標(biāo)來測量10 kHz、100 kHz 和 1 MHz處的相位和幅度。


橙色數(shù)學(xué)通道光標(biāo)使我們能夠快速查看 10 kHz 頻率處的相位差,即∅ = 6.775°。代入到式(12)(13)中可得X= 5.94Ω,L = 94.5μH,在100 µH±20%的范圍內(nèi)。

雖然電感器的工作頻率為10 kHz,但我們也可以在100 kHz下根據(jù)圖15的測量數(shù)據(jù)進行測量,其中= 47.619°。再次代入式(13),得出L = 87.2 µH。這低于標(biāo)定值,但這是現(xiàn)實線圈電感器的正?,F(xiàn)象。


我們使用Moku iPad應(yīng)用程序,通過Dropbox將高分辨率FRA幅度和相位數(shù)據(jù)保存到 .CSV文件中,因此我們可以將其快速導(dǎo)入Excel中,并利用式(13)生成電感(藍色)和相位(綠色)與頻率的關(guān)系,如圖16所示。


這低于標(biāo)定值,但這是現(xiàn)實線圈電感器的正?,F(xiàn)象。


我們使用Moku iPad應(yīng)用程序,通過Dropbox將高分辨率FRA幅度和相位數(shù)據(jù)保存到 .CSV文件中,因此我們可以將其快速導(dǎo)入Excel中,并利用式(13)生成電感(藍色)和相位(綠色)與頻率的關(guān)系,如圖16所示。


圖16 電感與相位和頻率的關(guān)系圖


從圖中我們可以清楚地看到,在100 kHz以上,電感穩(wěn)定下降,直到5 MHz左右,此時電感實際上為零。發(fā)生這種情況的原因是,實際上我們使用的線圈電感器不是理想的電感器,而是具有一些電阻和電容。等效電路實際上如圖17所示。



電感器的阻抗隨頻率線性增加。但現(xiàn)實世jie中的電感器包含了電阻元件Resr、并聯(lián)的Repr與寄生電容(Cepc)。Resr有時在數(shù)據(jù)表中被引用為直流電阻,是線圈的電阻;Repr是有效并聯(lián)或交流電阻,Cepc是由于線圈靠近而產(chǎn)生的并聯(lián)電容。


因此,共振頻率由下式?jīng)Q定:



通過查詢該電感的數(shù)據(jù)表,我們可以找到該電感器的典型阻抗特性。該阻抗特性曲線顯示諧振峰在5 MHz左右,如圖18所示


圖18 電感器的典型特性曲線


由于Moku設(shè)備可以非常簡單地通過Dropbox將FRA的數(shù)據(jù)共享到 .CSV,因此我們可以輕松使用Excel提供幅值阻抗與頻率的關(guān)系圖,如圖19所示。


圖19 Moku:Lab測試的阻抗曲線


測量得到的諧振頻率略高于5 MHz,測量特性與圖18非常一致。


總結(jié)


通過使用Moku:Lab的FRA(頻率響應(yīng)分析儀)儀器,我們可以方便快捷的進行高精度的阻抗測試,并取得了很好的實驗結(jié)果。不僅如此,使用Moku:Go或Moku:Pro同樣也可完成該測試。Moku系列產(chǎn)品不僅有頻率相應(yīng)分析儀,鎖相放大器,任意波形發(fā)生器、頻譜分析儀、數(shù)據(jù)記錄器、示波器、相位計、PID控制器、波形發(fā)生器、云編譯等功能,還有多儀器并行功能可以同時使用多個儀器,歡迎您與我們一同交流討論!




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