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EPR助力提升太陽能電池質(zhì)量和性能

來源:南京新飛達光電科學技術(shù)有限公司   2024年01月18日 16:01  

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EPR

EPR助力提升太陽能電池質(zhì)量和性能

應(yīng)用說明

秉持誠信 不斷創(chuàng)新

引言

最近三十年里,光伏組件的累計銷售每增加一倍,其平均價格即下降

20%。難于獲取足夠高純度的硅或(有機光伏電池所需的)聚合物,一直

是阻礙光伏產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)快速增長的重要因素之一。因此,市場非常需要成本

低廉的、生產(chǎn)光伏應(yīng)用所需的硅和聚合物的技術(shù)。但成本低廉的生產(chǎn)技

術(shù)極有可能導致所生產(chǎn)的硅或聚合物純度降低。因此,對缺陷和雜質(zhì)含

量有精確的要求, 同時不影響達成產(chǎn)品良率和成本目標,并實現(xiàn)更短的能

源行業(yè)投資回報周期,具有至關(guān)重要的作用。

光伏材料中的順磁性缺陷和雜質(zhì)包括:

. SiO2 中的E 中心

. SiO2 c-Si中的原子H0

. 懸空鍵(Si-SiO2界面處的Pb 中心)

. 晶界缺陷

. 晶粒內(nèi)缺陷

. 過渡金屬 . 自由基

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深能級缺陷對多晶硅薄膜太陽能電池的器件性能的影響

具備高電子質(zhì)量的薄膜,是發(fā)展下一代硅薄膜太陽能電池的前提。為了生

產(chǎn)出可以硅晶圓太陽能電池相媲美的晶體硅薄膜太陽能電池,

我們探索了許多在玻璃襯底上制備多晶硅薄膜的方法。然而

多晶硅太陽能電池相比硅晶圓太陽能電池開路電壓(V  )顯著降低。對

oc

固相晶體硅太陽能電池進行的EPR研究表明,深能級順磁性缺陷是多晶硅

中的主要復合中心,因而是制約多晶硅電子質(zhì)量的最重要因素。EPR研究

所得到的結(jié)論包括:

. 多晶硅太陽能電池中通常存在晶界和晶粒內(nèi)缺陷

. 借助布魯克的SpinCount模塊,可以測定缺陷含量(即缺陷密度Ns

oc

. 沉積后處理(SPCRTA、HP)可提高電子質(zhì)量?V  隨著缺陷密度的

降低而升高

. EPR研究證明,順磁性缺陷密度是制約多晶硅太陽能電池性能的一個 因素

1多晶硅薄膜太陽能電池性能與缺陷密度之間的關(guān)系。

根據(jù)知識共享許可協(xié)議4.0Creative Commons Attribution License 4.0)的條件摘自參考文獻[1]。

鑒定多晶硅薄膜中的晶粒內(nèi)和晶界缺陷

證明是順磁性缺陷在制約多晶硅太陽能電池的器件性能后,在微觀水平上探討觀測到的缺陷來源,對于鑒定這些缺陷至關(guān)重 要。通過對平均晶粒粒徑為200 μm的液相晶化層,及擁有類似晶粒內(nèi)形態(tài)但不同晶粒粒徑(0.25 μm-1 μm)的特定固相晶化 硅層,進行EPR定量測量,可以表征多晶硅薄膜中的晶粒內(nèi)和晶界缺陷。結(jié)果發(fā)現(xiàn),缺陷特性由兩個擁有不同g值(g = 2.0055 2.0032)的信號組成,它們分別被歸為晶界缺陷和晶粒內(nèi)缺陷。

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2晶粒粒徑為0.25 μm200 μm的多晶硅薄膜的EPR 圖。EPR數(shù)據(jù)表明,在g = 2.0032處存在晶粒內(nèi)缺陷(深黃色譜 ),g = 2.0055處存在晶界缺陷(紅色譜圖)。根據(jù)知識共享 許可協(xié)議4.0Creative Commons Attribution License 4.0)的 條件摘自參考文獻[2]

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3描電鏡(SEM)下的多晶硅薄膜圖像。通過EPR鑒別出的兩種缺陷分別顯示為深黃色和 色。根據(jù)知識共享許可協(xié)議4.0Creative  Commons  Attribution  License  4.0)的條件摘自參考 文獻[2]

鈣鈦礦:研發(fā)低成本和高效率太陽能電池的新途徑

近年來,鈣鈦礦結(jié)構(gòu)在光伏電池和儲能應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的發(fā)展前景。 鈣鈦礦型光伏電池成本低,壽命長。這些太陽能電池具有可調(diào)帶隙、高  吸光能力和高載流子遷移率等理想性能,且能量轉(zhuǎn)換效率(PCE)顯著提  高。但是,鈣鈦礦結(jié)構(gòu)在其界面和晶界處存在外源缺陷,它們將影響鈣  鈦礦薄膜的結(jié)晶度,并使其在太陽能電池中的結(jié)構(gòu)容易發(fā)生分解。通過  EPR可以研究順磁性缺陷的類型及其在晶格中的密度。

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4鈣鈦礦型太陽能電池的示意圖。根據(jù)知識共享許可協(xié)議4.0 Creative Commons Attribution  License 4.0)的條件摘自沖 繩科學技術(shù)大學院大學(OIST)的網(wǎng)站。

布魯克拜厄斯賓將持續(xù)改進其產(chǎn)品,并有權(quán)更改規(guī)格而不另行通知。

序號:T192641 © 05/2023 Bruker BioSpin。

鈣鈦礦薄膜中聚焦離子束誘導的順磁性缺陷

據(jù)知,離子束輻照能夠誘導相變和非晶化等結(jié)構(gòu)變化。在聚焦離子束輻照 條件下,EPR可檢測到含錳氧化物的鈣鈦礦薄膜中孤立和定域的順磁性自 旋。這些缺陷在低溫下(5-50 K)表現(xiàn)出居里效應(yīng),表明在缺陷部位存在定 域電子。

通過EPR檢測和鑒定缺陷類型及分布,是幫助研究人員和制造商找到消除 缺陷的適當解決方案的關(guān)鍵。無論是在太陽能電池中,還是作為燃料電池 和空氣電池中的電極,或者固態(tài)鋰離子電池中的電解質(zhì),鈣鈦礦材料在儲 能應(yīng)用中都已展現(xiàn)出非常誘人的應(yīng)用前景。因此,通過缺陷工程可以調(diào)控 這些新型材料的性能,以便更好地了解它們的吸光性能。

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5不同溫度下,鈣鈦礦薄膜中聚焦離子束輻照誘導的缺陷 中心的EPR譜圖。根據(jù)知識共享許可協(xié)議4.0Creative Com- mons Attribution License 4.0)的條件摘自參考文獻[5]。

參考文獻

1.     Fehr M. et al., In?uence of deep defects on device performance of thin-?lm polycrystalline silicon solar cells,Appl. Phys. Lett. (2012) 101 123904

2.    SontheimerT. et al. (Silicon Photovoltaics), Identi?cation of intra-grain and grain boundary defects in polycrystalline Si thin ?lms by electron paramagnetic resonance, Phys. Status Solidi RRL (2013) 11 959

3.    Snaith H. J., Perovskites: The emergence of a new era for low-cost, high-ef?ciency solar cells, J. Phys. Chem. Lett. (2013) 4 3623

4.    Bera S. et al., Review of defect engineering in perovskites for photovoltaic application, Mater. Adv. (2022) 3 5234    5.    Jeon N. J. et al., Focused-ion-beam induced paramagnetic defects in FAMn:PbI3  perovskite ?lms, Adv. Chem. Eng.

Sci. (2022) 12 87





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