多功能磁控濺射鍍膜機(jī)（高真空磁控濺射儀）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。

多功能磁控濺射鍍膜機(jī)-設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)

秉承設(shè)備為工藝實(shí)現(xiàn)提供實(shí)現(xiàn)手段的理念，我們做了如下設(shè)計(jì)和工程實(shí)現(xiàn)，實(shí)際運(yùn)行效果良好，為用戶的專用工藝實(shí)現(xiàn)提供了精準(zhǔn)的工藝設(shè)備方案。

靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理

-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導(dǎo)致離化電場(chǎng)的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場(chǎng)分壓增大），導(dǎo)致鍍膜效果不好；電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質(zhì)量。

-靶材和靶面接觸不良，導(dǎo)致水冷效果不好，降低鍍膜質(zhì)量。

-增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì)，保證面接觸。

距離可調(diào)整

基片和靶材之間的距離可調(diào)整，以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。

角度可調(diào)

磁控濺射靶頭可調(diào)角度，以便針對(duì)不同尺寸基片的均勻性，做精準(zhǔn)調(diào)控。

集成一體化柜式結(jié)構(gòu)

一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)：

安全性好（操作者不會(huì)觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件）

占地面積小，尺寸約為：長(zhǎng)1100mm×寬780mm（標(biāo)準(zhǔn)辦公室門是800mm寬）（傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場(chǎng)地，可以放兩臺(tái)設(shè)備。

控制系統(tǒng)

采用計(jì)算機(jī)＋PLC兩級(jí)控制系統(tǒng)

安全性

-電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)

-設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能

-溫度檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測(cè)和流量

-檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

勻氣技術(shù)

工藝氣體采用勻氣技術(shù)，氣場(chǎng)更均勻，鍍膜更均勻。

基片加熱技術(shù)

采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi)，所以高溫加熱過(guò)程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì)，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對(duì)基片加熱。

真空度更高、抽速更快

真空室內(nèi)外，全部電化學(xué)拋光，*去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見(jiàn)），沒(méi)有微觀藏污納垢的地方，腔體內(nèi)表面積減少一倍以上，鍍膜更純凈，真空度更高，抽速更快。

設(shè)備詳情

設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能

1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進(jìn)樣室、鍍膜室+手套箱

2、磁控濺射靶數(shù)量及類型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容

5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱

6、通入反應(yīng)氣體，可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜7、操作方式：手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)

工作條件

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

-基片托架：根據(jù)供件大小配置。

-基片加熱器溫度：根據(jù)用戶供應(yīng)要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調(diào)。

-基片架公轉(zhuǎn)速度 ：2 ～100 轉(zhuǎn) / 分鐘，可控可調(diào)；基片自轉(zhuǎn)速度：2 ～20 轉(zhuǎn) / 分鐘。

-基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。

-靶面到基片距離： 30 ～ 140mm 可調(diào)。

-Φ2 ～Φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動(dòng)靶控板，靶可擺頭調(diào)角度。

-鍍膜室的極限真空：6X10^-5Pa，恢復(fù)工作背景真空 7X10^-4Pa ，30 分鐘左右（新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?/p>

-設(shè)備總體漏放率：關(guān)機(jī) 12 小時(shí)真空度≤10Pa。

關(guān)于我們

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡(jiǎn)稱：鵬城半導(dǎo)體），由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)沿與市場(chǎng)沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)化難題，爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與精密制造，具體應(yīng)用域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。

公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)；還有來(lái)自工業(yè)界的高裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備先/進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測(cè)設(shè)備平臺(tái)，可以在高起點(diǎn)開(kāi)展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場(chǎng)的部分半導(dǎo)體設(shè)備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)，激光沉積設(shè)備PLD

|化學(xué)氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設(shè)備ALD

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設(shè)備

團(tuán)簇式太陽(yáng)能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設(shè)備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電制備設(shè)備

|真空鍍膜機(jī)用電源/真空鍍膜機(jī)控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）

控制系統(tǒng)及軟件

團(tuán)隊(duì)部分業(yè)績(jī)分布
自主設(shè)計(jì)制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計(jì)制造的MBE超高真空外延生長(zhǎng)室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺(tái)、Rheed原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計(jì)量外延生長(zhǎng)的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到8.0×10^-9Pa。

設(shè)備于2005年在浙江大學(xué)光學(xué)儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室投入使用，至仍在正常使用。

設(shè)計(jì)制造磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應(yīng)用于團(tuán)簇式太陽(yáng)能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設(shè)備?，F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設(shè)計(jì)制造了全自動(dòng)磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場(chǎng)和垂直磁場(chǎng)，自行設(shè)計(jì)的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位國(guó)家光電實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了OLED有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F(xiàn)使用單位香港城市大學(xué)先/進(jìn)/材料實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)LED無(wú)機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心。

設(shè)計(jì)制造了磁控濺射研究型設(shè)備。現(xiàn)使用單位浙江大學(xué)半導(dǎo)體所。

設(shè)計(jì)制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設(shè)備?，F(xiàn)使用單位武漢理工大學(xué)。

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