用于特定解決方案的探頭

• 角度聲束探頭

• 水浸探頭

• 帶有整合型楔塊的探頭

• 曲面陣列探頭

• 楔塊

相控陣技術(shù)的介紹

相控陣超聲檢測區(qū)別于其它技術(shù)的特性是可以通過計算機(jī)控制對多晶片探頭中的單個晶片進(jìn)行激勵（波幅和延遲）。通過軟件對多個壓電復(fù)合材料晶片的激勵可以生成一條聚焦的超聲聲束，方法是在發(fā)射聲束的過程中動態(tài)更改聲束的參數(shù)，如：角度、焦距和焦點大小。要通過相位上的積極干涉生成一條聲束，就要以極小的時間差，分別觸發(fā)探頭的多個活動晶片。同理，從所期望的焦點反射的回波會以可以計算獲得的時間偏移觸碰到探頭的不同晶片。在將每個晶片接收到的回波信號匯總之前，需對這些回波信號進(jìn)行時間偏移計算。匯總的結(jié)果是生成一個A掃描，這個A掃描會突出顯示來自所需焦點的響應(yīng)信號，而弱化來自被測樣件其它部位的信號。

使用軟件控制聲束角度、焦距和焦點大小

要生成一條超聲聲束，就需要在差別極小的不同時間對探頭的不同晶片進(jìn)行脈沖激勵。通過精確控制探頭晶片之間的時間延遲，可以生成具有不同角度、不同焦距及不同焦點大小的聲束。從所期望的焦點反射的回波會以可以計算獲得的時間偏移觸碰到探頭的不同晶片。

在將每個晶片接收到的回波信號匯總之前，需對這些回波信號進(jìn)行時間偏移計算。信號匯總的結(jié)果是生成一個A掃描。這個A掃描會突出顯示來自所期望焦點的響應(yīng)信號，而弱化來自材料其它部位的各種回波。

使用以電子方式控制的單個小巧的多晶片探頭可以完成多角度檢測

常規(guī)超聲檢測（UT）使用多種不同的探頭。而一個單個相控陣（PA）探頭則可以根據(jù)應(yīng)用的要求進(jìn)行配置，以序列方式產(chǎn)生不同的角度和焦點。

對形狀復(fù)雜樣件的檢測

根據(jù)用戶意愿并通過計算機(jī)控制可以生成具有多種聲束角度和聚焦長度的聲束，使用這些聲束可以對形狀復(fù)雜的樣件進(jìn)行檢測，如：渦輪盤、渦輪葉片根部、反應(yīng)器噴嘴等。

典型相控陣探頭的頻率范圍在1?MHz到17?MHz之間，晶片數(shù)量在10個到128個之間。奧林巴斯可為用戶提供各種各樣使用壓電復(fù)合材料技術(shù)的探頭，完成各種檢測應(yīng)用。這本產(chǎn)品目錄列出了奧林巴斯的標(biāo)準(zhǔn)相控陣探頭。這些探頭被分為3 種類型：角度聲束探頭、整合楔塊探頭，以及水浸探頭。我們還可以為用戶設(shè)計其它類型的探頭，以滿足用戶具體應(yīng)用的要求。

線性陣列探頭是工業(yè)應(yīng)用中常用的相控陣探頭。激活探頭孔徑是用于定義相控陣探頭的關(guān)鍵特性之一。

激活孔徑（A）是探頭的總激活長度?？讖介L度使用以下公式計算：

 A = n•p

其中n=PA探頭中的晶片數(shù)量

p?=?晶片間距，即相鄰兩個晶片中心之間的距離

計算激活孔徑長度更精確的方式是使用以下公式：

A = (n–1) •p + e

其中 e?=?晶片寬度，即一個單個壓電復(fù)合材料晶片的寬度 （其實際值為e<λ/2）

近場（N）?值為特定陣列的可用焦點的至大深度。這個值通過以下公式計算：

 N =D2f/4c

 其中D=?晶片直徑

f?=?頻率

c?=?材料聲速

• 要計算相控陣探頭的激活（主）軸上的近場值，需使用以下公式： D = n’ • p,其中n’是聚焦法則中的每個組的晶片數(shù)量。

• 要計算相控陣探頭的被動（次）軸上的近場值，需使用以下公式：D?=?被動寬度值，通常被稱為晶片高度。