天康微差壓變送器工作原理及結(jié)構(gòu)：

MEMS（微電子機(jī)械加工系統(tǒng)）的系列高穩(wěn)定性單晶硅壓力傳感器，具有多項(xiàng)的性能，可廣泛應(yīng)用于石油化工，冶金電力，工業(yè)自動(dòng)化、航空航天、核能等領(lǐng)域。

天康微差壓變送器主要工作原理：

主單元包括傳感器和過(guò)程連接，工作原理如下：傳感器模塊采用全焊接技術(shù)，內(nèi)部擁有一個(gè)整體化的過(guò)載膜片，一個(gè)溫度傳感器和一個(gè)壓力/差壓傳感器。溫度傳感器作為溫度補(bǔ)償?shù)膮⒖贾?。壓?差壓傳感器通過(guò)隔離膜片和填充液，傳遞給壓力/差壓傳感器的硅芯片，使壓力/差壓傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化，從而導(dǎo)致檢測(cè)系統(tǒng)輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比，再由適配單元和放大器轉(zhuǎn)化成一標(biāo)準(zhǔn)化信號(hào)輸出。

系列單晶硅傳感器的特性：

● 全不銹鋼316L硅油充灌焊接密封結(jié)構(gòu)；

● EMC符合GB/T 18268.1-2008標(biāo)準(zhǔn)要求；

● 傳感器中心傳感單元采用的高精度單晶硅傳感器技術(shù)，最高可達(dá)±0.05%級(jí)的精度；

● 傳感器內(nèi)部集成高靈敏度溫度傳感器，單晶硅傳感器受溫度影響的性能優(yōu)≤±0.04%/10K；

■ 高純度單晶硅材質(zhì)

系列單晶硅芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì)，其材質(zhì)特性遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于市場(chǎng)上現(xiàn)有的復(fù)合硅、擴(kuò)散硅芯片。

■ 雙梁懸浮式MEMS技術(shù)

系列單晶硅芯片采用雙梁結(jié)構(gòu)，雙層惠斯通電橋布局，雙橋路相互補(bǔ)償，提高信噪比，達(dá)到最佳溫度特性。中間層弧角式懸浮，有效分解應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)超高過(guò)壓。

■ 1KPa…40MPa標(biāo)準(zhǔn)量程

1KPa，4KPa，40KPa，100KPa，200KPa，400KPa，4MPa，40MPa八個(gè)標(biāo)準(zhǔn)量程，涵蓋過(guò)程控制全壓力范圍。最小標(biāo)準(zhǔn)量程1KPa，保證微差壓段性能。

■ 全球 橋路電阻：10KΩ

有效控制溫度影響，保證輸出信號(hào)超高信噪比，功耗低。

■ 具有大過(guò)載的正負(fù)壓腔過(guò)壓性能

1KPa芯片過(guò)壓達(dá)1.5MPa（1500倍過(guò)壓）。

4KPa芯片過(guò)壓達(dá)2.5MPa（625倍過(guò)壓）。

絕大部分微壓力/差壓傳感器的應(yīng)用可實(shí)現(xiàn)無(wú)保護(hù)膜片結(jié)構(gòu)，提高整體準(zhǔn)確度與靜壓特性，同時(shí)簡(jiǎn)化傳感器結(jié)構(gòu)、降低成本，讓利于用戶。

■ 芯片單晶硅層厚度達(dá)2.5mm

在硅芯片技術(shù)中，硅片的尺寸與有效硅層的厚度將對(duì)芯片的成本和性能起到很關(guān)鍵的作用。而且統(tǒng)一的傳感器芯片材質(zhì)，將更好的實(shí)現(xiàn)溫度特性，讓芯片在溫度變化時(shí)，應(yīng)力特性一致。采用全單晶硅材質(zhì)，尺寸與厚度都為行業(yè)內(nèi)最大，不惜成本，注重品質(zhì)。

■ 芯片結(jié)構(gòu)的梅花鏡像布局

芯片惠斯通電橋與引線布局，采用梅花鏡像對(duì)稱布局。全對(duì)稱布局、均衡受力，減小噪聲來(lái)源，同時(shí)也方便一次封裝，提高穩(wěn)定性與一致性。