1. 產(chǎn)品概述
AD-230LP是一種原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機金屬原料和氧化劑交替供給反應室，僅通過表面反應進行薄膜沉積。該系統(tǒng)具有負載鎖定室，且不向大氣開放反應室，因此能夠實現(xiàn)薄膜沉積的優(yōu)良再現(xiàn)性。
2. 設備用途/原理
氮化膜（AlN、SiN）的形成和低溫形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。電子設備的閘門絕緣子。半導體、有機EL等的鈍化膜。半導體激光器的反射面。在MEMS等3D結構上的沉積。石墨烯上的沉積。碳納米管保護膜粉末涂層。
3. 設備特點
可以在原子層水平上實現(xiàn)均勻的層控制?？蓪崿F(xiàn)高縱橫比結構的共形沉積。具有優(yōu)良的平面內均勻性和再現(xiàn)性，實現(xiàn)了穩(wěn)定的工藝。采用反應室結構，優(yōu)化了原料的氣路和氣體流，抑制了粒子。通過采用電容耦合等離子體(CCP)系統(tǒng)，使反應室體積小化，縮短了氣體吹掃時間，加快了一個循環(huán)的速度。
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