1 產(chǎn)品概述:
快速退火爐,又稱RTP(Rapid Thermal Processing)快速熱處理爐,是一種用于快速熱處理、熱氧化處理、高溫退火等工藝的設(shè)備。它利用鹵素紅外燈等高效熱源,通過快的升溫速率(可達(dá)150攝氏度/)和精確的溫控系統(tǒng),將晶圓或材料快速加熱到所需溫度(高可達(dá)1200攝氏度),并在短時(shí)間內(nèi)完成退火過程,從而消除材料內(nèi)部缺陷,改善產(chǎn)品性能。快速退火爐廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、LED、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)中,是現(xiàn)代微電子制造域重要設(shè)備。
2 設(shè)備用途:
1、快速熱處理(RTP):用于對(duì)晶圓或材料進(jìn)行快速加熱和冷卻處理,以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能。
2、快速退火(RTA):通過快速升溫和降溫過程,消除材料內(nèi)部的應(yīng)力、缺陷和雜質(zhì),提高材料的性能。
3 、熱氧化處理(RTO):在特定氣氛下對(duì)材料進(jìn)行加熱處理,形成所需的氧化物層。
4、離子注入/接觸退火:在離子注入后對(duì)材料進(jìn)行退火處理,以激活注入的離子并改善材料的電學(xué)性能。
5、 金屬合金化:如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制備過程中,通過快速退火促進(jìn)合金化反應(yīng)。
6、 化合物合金制備:如砷化鎵、氮化物等化合物的合金制備過程中,快速退火爐也發(fā)揮著重要作用生。同時(shí),加熱還可以促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行,提高處理效果。
3. 設(shè)備特點(diǎn)
1 高效加熱與快速升降溫:采用鹵素紅外燈等高效熱源,升溫速率快,高可達(dá)150攝氏度/;降溫速率也快,如從1000攝氏度降到300攝氏度僅需幾分鐘。
2 高精度溫控系統(tǒng):采用先進(jìn)的微電腦控制系統(tǒng)和PID閉環(huán)控制溫度,控溫精度可達(dá)±0.5攝氏度,溫控均勻性≤0.5%設(shè)定溫度。
3 多功能性與靈活性:可根據(jù)用戶工藝需求配置真空腔體、多路氣體等,滿足不同工藝條件的需求。
4 低污染與環(huán)保:試樣反應(yīng)區(qū)處在一個(gè)密閉的石英腔體內(nèi),大大降低了間接污染試樣的可能性;同時(shí),設(shè)備在設(shè)計(jì)和制造過程中注重環(huán)保理念,減少了對(duì)環(huán)境的污染。
5 操作簡便與自動(dòng)化:配備可視化觸摸屏和智能控制系統(tǒng),設(shè)定數(shù)據(jù)和操作都是圖文界面,操作方便;同時(shí),可實(shí)現(xiàn)單臺(tái)或多臺(tái)電爐的遠(yuǎn)程控制、實(shí)時(shí)追蹤、歷史記錄、輸出報(bào)表等功能。
4 設(shè)備參數(shù):
適用于大 100 毫米(4 英寸)的單晶圓
由石英玻璃制成的工藝室
帶集成氣體入口和出口
包括一條帶氮?dú)赓|(zhì)量流量控制器的過程氣體管路(5 nlm = 標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘)
h由頂部和底部紅外加熱,每個(gè)加熱帶 9 個(gè)燈和 14 kW
頂部和底部加熱
外部泵系統(tǒng)的真空度(高 10E-6 hPa,高 10E-3 hPa:參見 RTP-100),
包括渦輪分子泵、真空測量、閘閥和壓力表;不包括粗泵SPS 過程控制器,帶 50 個(gè)程序,每個(gè)程序多 50 個(gè)步驟(以太網(wǎng)接口),SIMATIC
7 英寸觸摸屏,便于編程和過程控制
高氣溫 1200 °C
通過熱電偶進(jìn)行溫度控制
需要水冷
電氣連接類型:2 x 32 A CEE 插頭(3x 230 V,3 相,N,PE,18 kW)
烤箱尺寸:504 x 521 x 576 毫米(寬 x 深 x 高)
重量: 68 kg