8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕(ICP-DSE)設(shè)備
1. 詳細(xì)介紹
Pishow® D 系列深刻蝕設(shè)備,是針對(duì)8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的用設(shè)備,擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì),保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。
提供Si Bosch工藝的解決方案。
該設(shè)備高性價(jià)比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率,可幫助不同客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能升。
2. 系統(tǒng)特性
Pishow® D 系列是采用深硅刻蝕技術(shù)的電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備
提供Bosch解決方案,實(shí)現(xiàn)對(duì)Si的高深寬比刻蝕
優(yōu)化的氣柜設(shè)計(jì),縮短進(jìn)氣距離,短工藝切換時(shí)間小于1.0
Pishow® D 系列可選擇8~4英寸晶圓,提供單腔式和多腔式等多種腔室搭配方式