1. 系統(tǒng)特性
Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備是面向12英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備
設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔(ICP etch chamber)、去膠腔(strip chamber)、傳輸模塊(transfer module)構(gòu)成
適用于0.18微米及其他技術(shù)代邏輯應(yīng)用中的高密度鋁導(dǎo)線工藝,以及鋁墊刻蝕
2. 詳細(xì)介紹
Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備,為針對12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開發(fā)的用產(chǎn)品, 同時(shí)也可應(yīng)用于鋁墊(Al pad)刻蝕。該設(shè)備承襲了 Chimera® A 的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念,具有出色的均勻性調(diào)控手段, 可以為客戶提供高性價(jià)比的解決方案