產(chǎn)品概述：
系統(tǒng)主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
設備用途：
團簇型等離子體化學氣相沉積設備（PECVD），采用等離子體增強化學氣相沉積技術，在光學玻璃、硅片、石英、不銹鋼片等不同襯底材料上，沉積氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜，可以制備非晶硅、微晶硅薄膜太陽能電池器件。
真空室結構:
1個中央傳輸室：蝶形結構；3個沉積室：方形結構； 1個進樣室：方形結構
真空室尺寸:
中央傳輸室：Φ1000×280mm ； 沉積室：260×260×280mm ；進樣室：300×300×300mm
極限真空度:
中央傳輸室：6.67E-4 Pa；沉積室：6.67E-6 Pa ；進樣室：6.67 Pa
沉積源:
樣品尺寸，溫度:
114X114X3mm， 加熱溫度350度，機械手傳遞樣品
占地面積（長x寬x高）:
約13米x9米x2.3米（設計待定）
電控描述:
全自動
工藝:
在80X80mm范圍內(nèi)硅膜的厚度均勻性優(yōu)于±5%
特色參數(shù) :
共有8路工作氣體
化工儀器網(wǎng)