雙腔室超高真空雙傾角蒸鍍系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
廈門(mén)韞茂科技有限公司為您提供雙腔室超高真空雙傾角蒸鍍系統(tǒng)的參數(shù)、價(jià)格、型號(hào)、原理等信息，產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號(hào)為QBT-E，價(jià)格為150萬(wàn)-200萬(wàn)RMB...
電子束蒸發(fā)鍍膜廠家 參考價(jià)：面議
廈門(mén)韞茂科技有限公司為您提供電子束蒸發(fā)鍍膜廠家的參數(shù)、價(jià)格、型號(hào)、原理等信息，產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號(hào)為QBT-E，價(jià)格為150萬(wàn)-200萬(wàn)RMB，更多相關(guān)...
約瑟夫森結(jié)鍍膜設(shè)備 參考價(jià)：面議
廈門(mén)韞茂科技有限公司為您提供約瑟夫森結(jié)鍍膜設(shè)備的參數(shù)、價(jià)格、型號(hào)、原理等信息，產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號(hào)為QBT-E，價(jià)格為150萬(wàn)-200萬(wàn)RMB，更多相關(guān)...
蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
廈門(mén)韞茂科技有限公司為您提供雙腔室超高真空雙傾角蒸鍍PVD系統(tǒng)的參數(shù)、價(jià)格、型號(hào)、原理等信息，產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號(hào)為QBT-E，價(jià)格為150萬(wàn)-200萬(wàn)...
超高真空鍍膜設(shè)備 參考價(jià)：面議
超高真空鍍膜設(shè)備系統(tǒng)專業(yè)制備約瑟夫森結(jié)制備，可精確生長(zhǎng)所需的金屬層和氧化絕緣層，確保高性能制備及高成品率。
正極材料包覆 參考價(jià)：面議
正極材料包覆（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有...
粉末原子層沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
粉體包覆（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限...
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技...
量子鍍膜設(shè)備 參考價(jià)：面議
廈門(mén)韞茂科技有限公司為您提供QBT-I 量子鍍膜設(shè)備的參數(shù)、價(jià)格、型號(hào)、原理等信息，QBT-I 產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號(hào)為QBT-I ，價(jià)格為150萬(wàn)-20...
雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)QBT-P配備進(jìn)樣室及濺射腔室，濺射室配備離子刻蝕功能，腔室內(nèi)配備超高真空傳輸，設(shè)備真空度≤3E-9Torr，基板加熱900℃，可制備...
磁控濺射鍍膜機(jī)廠家 參考價(jià)：面議
磁控濺射鍍膜機(jī)廠家在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁場(chǎng)。當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后，并不直接飛向陽(yáng)極，而是在正交電磁場(chǎng)作用下作來(lái)回振蕩...
PALD廠家 參考價(jià)：面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)PALD廠家（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉...
PEALD 參考價(jià)：面議
雙腔室高真空等離子體PEALD系統(tǒng)是對(duì)ALD技術(shù)的擴(kuò)展，通過(guò)等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強(qiáng)了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，從而拓展了ALD對(duì)前驅(qū)源的選擇范圍和...
粉末ALD廠家 參考價(jià)：面議
粉末ALD廠家（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具...
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
雙腔室高真空等離子體ALD設(shè)備是對(duì)ALD技術(shù)的擴(kuò)展，通過(guò)等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強(qiáng)了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，從而拓展了ALD對(duì)前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用...
ALD 參考價(jià)：面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)ALD（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的...
原子層沉積設(shè)備廠家 參考價(jià)：面議
原子層沉積設(shè)備廠家（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)...
原子層沉積系統(tǒng)廠家 參考價(jià)：面議
原子層沉積系統(tǒng)廠家（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)...
桌面式原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)ALD（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的...
粉末原子層沉積 參考價(jià)：面議
粉末原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具...
等離子體原子層沉積 參考價(jià)：面議
雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要...
雙腔室高真空高速蒸鍍系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
廈門(mén)韞茂科技有限公司為您提供QBT-I 雙腔室高真空高速蒸鍍系統(tǒng)的參數(shù)、價(jià)格、型號(hào)、原理等信息，QBT-I 產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號(hào)為QBT-I ，價(jià)格為1...
雙腔室超高真空雙磁控測(cè)射系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
雙腔室超高真空雙磁控測(cè)射系統(tǒng)在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁場(chǎng)。當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后，并不直接飛向陽(yáng)極，而是在正交電磁場(chǎng)作用下...
全自動(dòng)四腔超高真空雙傾角鍍膜系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
全自動(dòng)四腔超高真空雙傾角鍍膜系統(tǒng)專專業(yè)制備約瑟夫森結(jié)制備，可精確生長(zhǎng)所需的金屬層和氧化絕緣層，確保高性能制備及高成品率。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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