1、電擊穿理論：

固體介質(zhì)電擊穿理論建立在氣體放電的碰撞電離理論基礎(chǔ)上。氣體碰撞電離理論指出，擊穿場(chǎng)強(qiáng)與電子的自由行程有關(guān)，氣體密度增加時(shí)，電子自由行程減少，電子無(wú)法獲得足夠的能量，擊穿場(chǎng)強(qiáng)相應(yīng)升高。固體的密度約是空氣的2000倍，如果把固體看做是氣體壓縮2000倍的產(chǎn)物，那么固體內(nèi)部電子自由行程就比氣體中電子自由行程小2000倍，固體的擊穿場(chǎng)強(qiáng)大致比空氣高2000倍,這一估算結(jié)果與試驗(yàn)結(jié)果相差不大。所以，以氣體碰撞電離模型為出發(fā)點(diǎn)來(lái)說(shuō)明固體電擊穿現(xiàn)象是有根據(jù)的。

固體絕緣材料電擊穿強(qiáng)度測(cè)定儀參數(shù)指標(biāo)：

● 型    號(hào)：ZJC-50kV

● 試驗(yàn)電壓：交流 0--50 KV， 直流 0--50 KV ;

● 電器容量：3 KVA；

● 高壓分級(jí)：50kV（全量程不分檔）；

● 擊穿電壓：0-50kV；

● 升壓速率：0.1kV/s、0.2 kV/s、0.5  kV/s、1.0  kV/s、2.0  kV/s；

● 電壓測(cè)量精度（10%-100%FS）：≤2％；

● 升壓方式：勻速升壓、耐壓試驗(yàn)；

● 過(guò)電流保護(hù)裝置：試樣擊穿時(shí)在0.1S內(nèi)切斷電源；

● 試驗(yàn)電極：￠25兩個(gè)，￠75一個(gè)，r3圓角；

● 軟件控制：簡(jiǎn)潔的人機(jī)操作界面，簡(jiǎn)單易學(xué)；可方便設(shè)置試驗(yàn)電壓、選擇升壓速率。

● 固體絕緣材料電擊穿強(qiáng)度測(cè)定儀外形尺寸：1100×800×1500mm；

● 電源：AC220V 50/60Hz  16A。

固體電介質(zhì)電擊穿按照擊穿發(fā)生的判定條件不同，可以大致分為兩類，一類是以碰撞電離作為擊穿判據(jù)的碰撞電離理論，另一類是以電離開(kāi)始后，電子數(shù)目倍增到一定數(shù)值，足以破壞介質(zhì)絕緣狀態(tài)作為判據(jù)的雪崩擊穿理論。

碰撞電離理論是指固體電介質(zhì)內(nèi)部導(dǎo)帶中含有的自由電子在外加電場(chǎng)的作用下做加速運(yùn)動(dòng)，這些運(yùn)動(dòng)的電子與晶格發(fā)生碰撞，同時(shí)把本身的能量傳遞給晶格，引起晶格振動(dòng)。當(dāng)電子從電場(chǎng)獲得的能量大于碰撞晶格時(shí)失去的能量，高能電子撞擊晶格形成電離，產(chǎn)生電子，電介質(zhì)內(nèi)部的自由電子數(shù)目逐漸增加，最終形成貫穿兩極的通道，介質(zhì)發(fā)生擊穿。

雪崩擊穿理論是指介質(zhì)中碰撞電離發(fā)生后，電子一面向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)，一面發(fā)展碰撞電離，介質(zhì)中的電子數(shù)目呈指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)，產(chǎn)生“電子雪崩"。當(dāng)電子雪崩發(fā)展到一定的程度，傳遞的能量足以破壞介質(zhì)的晶格結(jié)構(gòu)時(shí)，介質(zhì)發(fā)生擊穿。賽茲通過(guò)計(jì)算發(fā)現(xiàn)，當(dāng)電子經(jīng)過(guò)40次碰撞，也就是說(shuō)，陰極發(fā)出的初始電子，在向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中，1cm內(nèi)的電離次數(shù)達(dá)到40次，介質(zhì)便開(kāi)始發(fā)生擊穿，這個(gè)理論也稱為“四十代"理論。

伴隨著對(duì)固體電介質(zhì)擊穿理論更加深入的研究，一些科研工作者對(duì)于固體電介質(zhì)的擊穿進(jìn)行了一系列的試驗(yàn)探究并提出了一些新穎的觀點(diǎn)。

在低溫下，IedaM驗(yàn)證了電子崩擊穿機(jī)理。電子的自由行程會(huì)在很大程度上影響聚合物的擊穿場(chǎng)強(qiáng)數(shù)值，聚合物分子密度變大會(huì)減小聚合物內(nèi)部電子的自由行程，一旦電子自由行程減小，電子在電場(chǎng)作用下獲得的能量減小，這就明顯提高了聚合物材料的擊穿場(chǎng)強(qiáng)。

電擊穿主要有以下特點(diǎn)：一是擊穿電壓與介質(zhì)所處的環(huán)境溫度幾乎無(wú)關(guān)；二是除擊穿時(shí)間極短的情況外，擊穿電壓與電壓作用時(shí)間幾乎無(wú)關(guān)；三是介質(zhì)本身發(fā)熱不明顯；四是擊穿電壓受電場(chǎng)的均勻程度影響較大。

2、熱擊穿理論：

在長(zhǎng)期工作電壓的作用下，固體聚合物內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生熱量，同時(shí)也向周圍環(huán)境散發(fā)熱量，當(dāng)介質(zhì)處于低溫且散熱好的環(huán)境下，介質(zhì)的發(fā)熱量與散熱量可以維持動(dòng)態(tài)平衡，聚合物內(nèi)部的熱量不會(huì)累積，這個(gè)狀態(tài)叫做介質(zhì)的熱穩(wěn)定狀態(tài)，此時(shí)聚合物的溫度維持在一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的水平。當(dāng)介質(zhì)本身的發(fā)熱量大于散熱量，介質(zhì)內(nèi)部的發(fā)熱與散熱失去平衡，熱量會(huì)不斷積累，溫度不斷上升。在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)內(nèi)部的極化和傳導(dǎo)電流會(huì)引起聚合物材料的電能損耗，會(huì)使電介質(zhì)內(nèi)部溫度上升，并且使介質(zhì)的損耗增大，發(fā)熱量繼續(xù)增加，如此的惡性循環(huán)，最終導(dǎo)致聚合物分解、熔化、碳化或燒焦，進(jìn)而失去其絕緣性能而發(fā)生擊穿，這種形式的擊穿稱之為熱擊穿。

熱擊穿通常出現(xiàn)在介質(zhì)熱循環(huán)不通暢的地方，而且其擊穿行為發(fā)生的速度相比于電擊穿慢很多，通常出現(xiàn)在幾秒或者幾十秒左右。伴隨著介質(zhì)內(nèi)部溫度的不斷升高，介質(zhì)電導(dǎo)上升致使擊穿電壓等級(jí)大幅度下降。聚合物熱擊穿場(chǎng)強(qiáng)大約是10⁴～10⁵V/cm，溫度與電壓作用時(shí)間是其最為主要的影響因素。

3、電化學(xué)擊穿理論：

在長(zhǎng)期工作電壓的作用下，固體聚合物內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生局部放電現(xiàn)象，這使得聚合物的絕緣性能逐漸劣化、電氣強(qiáng)度逐步降低最終發(fā)生擊穿的現(xiàn)象稱為電化學(xué)擊穿。在聚合物即將擊穿時(shí)，由于劣化處缺陷的存在，導(dǎo)致該處溫度升高進(jìn)而出現(xiàn)熱擊穿，也會(huì)因聚合物劣化后電氣強(qiáng)度大幅度降低而發(fā)生電擊穿。局部放電是聚合物局部出現(xiàn)氣隙或氣泡而造成放電的現(xiàn)象。聚合物內(nèi)部出現(xiàn)局部放電現(xiàn)象有以下三種原因。一是在局部放電過(guò)程中產(chǎn)生對(duì)聚合物有腐蝕和氧化作用的O3、NO和NO2等氣體；二是放電過(guò)程中帶電粒子轟擊聚合物，聚合物局部溫度上升，加速聚合物的氧化并使其局部電導(dǎo)和介質(zhì)損耗增加；三是帶電粒子的撞擊導(dǎo)致分子內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生破壞。局部放電引起的這幾個(gè)因素嚴(yán)重影響著聚合物（如紙、布、漆及聚乙烯材料等）的電學(xué)性能。