美國吉時(shí)利KEITHLEY2651A數(shù)字源表研究領(lǐng)域：
各種器件的I-V功能測(cè)試和特征分析，包括：
離散和無源元件
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動(dòng)器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）等等
簡(jiǎn)單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)、傳感器
集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
圓片級(jí)可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
太陽能電池
電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測(cè)器
電路保護(hù)器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機(jī)電子
基本運(yùn)放電路
二極管和電路
晶體管電路

測(cè)試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測(cè)試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
太陽能電池和 LED 設(shè)計(jì)
高電子遷移率晶體管設(shè)計(jì)
復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)

分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件
碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)
測(cè)量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測(cè)量
在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測(cè)量
納米級(jí)器件和材料的電氣測(cè)量
提高超高電阻和電阻率測(cè)量的可重復(fù)性
一種微分電導(dǎo)的改進(jìn)測(cè)量方法
納米技術(shù)準(zhǔn)確電氣測(cè)量的技術(shù)
納米級(jí)材料的電氣測(cè)量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
迎接65nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)量挑戰(zhàn)
測(cè)量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測(cè)量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析
評(píng)估氧化層的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和試驗(yàn)低電阻、低功耗半導(dǎo)體器
輸出極低電流和測(cè)量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻
低阻測(cè)量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。
用于*CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測(cè)試
高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測(cè)量技術(shù)進(jìn)行更高準(zhǔn)確度的電阻測(cè)量
配置分立電阻器驗(yàn)證測(cè)試系統(tǒng)
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測(cè)試
多臺(tái)數(shù)字源表的觸發(fā)器同步
高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測(cè)試
OLED顯示器的直流生產(chǎn)測(cè)試
在運(yùn)行中第5次測(cè)量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析
數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個(gè)緩沖器獲取多達(dá)5000點(diǎn)數(shù)據(jù)
連接器的生產(chǎn)測(cè)試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

1. MOS 電容器
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。
I-V 曲線分析：
電荷建立 (測(cè)量電壓 - 時(shí)間圖，用低電流源)； 氧化層電容測(cè)定； 與 C-V 曲線比較。
C-V 曲線 (準(zhǔn)靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線：
表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
移動(dòng)氧化層電荷密度 (偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)

2. 雙極結(jié)型晶體管
   主題
 正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量。
 正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對(duì)于幾個(gè) Vce 正值。
 正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
 確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
 Βf 與 log(Ic) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
 非理想特性：爾利電壓。
 反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對(duì)于幾個(gè)Vce負(fù)值。
 反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
 確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
 Βr 與 log(Ie) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
 Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對(duì)于給定的 Ib 電流。
 Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實(shí)驗(yàn)做比較。
 BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析?；鶇^(qū)摻雜濃縮。

3. 亞微米集成 MOSFET
輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強(qiáng)或耗盡)，溝道長度調(diào)制參數(shù)(λ) 在飽和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效溝道長度與 VDS 的關(guān)系。
傳輸特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底偏壓特性：
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯底電流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長溝道和短溝道公式的輸出特性模型：比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

美國吉時(shí)利KEITHLEY2600數(shù)字源表進(jìn)行VCSEL測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600測(cè)量光伏電池的I-V特性
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表的SCPI應(yīng)用轉(zhuǎn)換為2600系列源表的腳本應(yīng)用
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表進(jìn)行IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試
使用兩臺(tái)美國吉時(shí)利KEITHLEY2600型數(shù)字源表輸出2A電流
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600或其它非脈沖模式源表產(chǎn)生電流 (或電壓) 脈沖
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表提升多引腳器件的生產(chǎn)量
美國吉時(shí)利KEITHLEY2602數(shù)字源表創(chuàng)建可擴(kuò)縮、多引腳、多功能IC測(cè)試系統(tǒng)
美國吉時(shí)利KEITHLEY2602數(shù)字源表對(duì)激光二極管模塊和VCSEL進(jìn)行高吞吐率直流生產(chǎn)測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表進(jìn)行二極管生產(chǎn)測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表進(jìn)行高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表進(jìn)行IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600 數(shù)字源表驗(yàn)證變阻器
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600系列源表進(jìn)行電池放電/充電周期
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600配置電阻網(wǎng)絡(luò)的生產(chǎn)測(cè)試系統(tǒng)
美國吉時(shí)利KEITHLEY2651 2kW 脈沖源表進(jìn)行大電流變阻器的生產(chǎn)測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600數(shù)字源表進(jìn)行熱敏電阻的生產(chǎn)測(cè)試

2651A，2657A美國吉時(shí)利keithley數(shù)字源表概述
2651A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器的脈沖功率2000W，200W直流電源，PA和UV分辨率高達(dá)50A @40V

美國吉時(shí)利KEITHLEY2657A數(shù)字源表是一種高電壓，高功率，低電流源測(cè)量單元（SMU）儀器，可提供*的力量，精度，速度，靈活性和易于使用在R＆D，生產(chǎn)測(cè)試，以提高生產(chǎn)力和可靠性的環(huán)境。型號(hào)2657A是專為表征和測(cè)試高電壓電子和功率半導(dǎo)體器件，如二極管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管和IGBT，以及其他組件和材料中，需要高電壓，響應(yīng)速度快，和精確的測(cè)量的電壓和電流的。型號(hào)2657A加入吉時(shí)利2600A系列的功率半導(dǎo)體器件表征和測(cè)試解決方案系列，提供zui高的功率和低電流性能在業(yè)界。這些自定義配置的解決方案支持業(yè)界zui強(qiáng)大的參數(shù)化特征的軟件平臺(tái)，與您共同成長，為您的應(yīng)用程序的發(fā)展。

型號(hào)2657A一樣，每個(gè)2600A系列數(shù)字源表儀器，提供了一個(gè)具有高度靈活性，四象限電壓和電流源/負(fù)載，再加上精密電壓和電流表。它可以被用來作為
半導(dǎo)體特性分析儀
V或I波形發(fā)生器
V或電流脈沖發(fā)生器
精密電源V和I回讀
真正的電流源
數(shù)字萬用表（DCV，DCI，歐姆，功率6?位分辨率）
精密電子負(fù)載

標(biāo)配件
2600-KIT螺釘端子連接器套件
2600B源表CD
2600B快速使用指南
適用于2600B的2400仿真腳本
7709-308A 型DB50公連接器套件（焊杯），帶外殼
CA-180-3A型TSP-Link電纜
KTS-850E02,測(cè)試腳本創(chuàng)建軟件CD套件

額外選購配件
2600-BAN型SMUt輸出至香蕉頭測(cè)試線/適配器電纜
8606型高性能模塊化探頭套件（適用于2000、2001、2002、2010、2400系列）
屏蔽雙絞線
2600-TLINK型數(shù)字I/O至TLINK適配電纜，長度為1米
CA-126-1A型，公對(duì)DB25 母線，數(shù)字 I/O 線 ，1.5米（適用于213型）
7007-1：雙層屏蔽高級(jí)GPIB接口電纜，長度1米（3.3ft）（用于GPIB互連）
7007-2：雙層屏蔽高級(jí)GPIB接口電纜，長度2米（6.6ft）（用于GPIB互連）
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型 IEEE-488.2 PCI Bus 插件板
4299-1型單機(jī)架安裝套件，帶前支架和后支架
4299-2型雙機(jī)架安裝套件，帶前支架和后支架
4299-5 1U通風(fēng)面板
KUSB-488B型 IEEE-488.2 USB-to-GPIB USB接口適配器
自動(dòng)特性分析套件（ACS）基本版本，適合元件特性分析
2600-FIX-TRX 2600SMU與HI、LO TRiAX鏈接線(2線傳感)
2600-TRIAX型SMU連接頭（適用于四線傳感）
8101-4TRX，8101-4TRX型成分測(cè)試夾具-優(yōu)化低電壓設(shè)備測(cè)試
8101-PIV，8101-PIV型成分測(cè)試夾具-優(yōu)化低電壓設(shè)備測(cè)試