電流傳感器

傳感器輸出的是電壓信號(hào)，隨著薄膜制備技術(shù)的提高，開(kāi)始涌現(xiàn)出多種制備手段，最重要的優(yōu)點(diǎn)就是材料具有鐵電性，隨著薄膜制備技術(shù)的提高，開(kāi)始涌現(xiàn)出多種制備手段，并且也利用多種技術(shù)制備了壓電薄膜，如磁控濺射技術(shù)、脈沖激光沉積技術(shù)、化學(xué)氣相沉積和金屬化合物氣相沉積技術(shù)等。壓電薄膜與非鐵電的材料相比較，最重要的優(yōu)點(diǎn)就是材料具有鐵電性，在一定的外加電場(chǎng)和溫度條件下，PZT材料內(nèi)部電疇發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)，自發(fā)極化方向重新確定，這樣使得在多晶材料中原本隨機(jī)排列的極化軸通過(guò)電場(chǎng)的作用取向排列而產(chǎn)生了凈壓電響應(yīng)。所以PZT材料的壓電性能要高于材料，是兩倍以上。這種應(yīng)變片在受力時(shí)產(chǎn)生的阻值變化通常較小，一般這種應(yīng)變片都組成應(yīng)變電橋，PZT薄膜材料具有高介電常數(shù)、低的聲波速度、高的耦合系數(shù)，橫向壓電系數(shù)和縱向壓電系數(shù)在三者之中最高，也被視為三者之中最為有前途的壓電薄膜材料，但是PZT薄膜制備過(guò)程復(fù)雜，壓電薄膜制備的器件不需要使用價(jià)格昂貴的壓電單晶，只要在襯底上沉積一層很薄的壓電材料，因而具有經(jīng)濟(jì)和省料的特點(diǎn)。而且制備薄膜過(guò)程中按照一定取向來(lái)沉積薄膜，不需要進(jìn)行極化定向和切割等工藝。另外，利用壓電薄膜制備的器件應(yīng)用范圍廣泛、制作簡(jiǎn)單、成本低廉，同時(shí)其能量轉(zhuǎn)換效率高，還能與半導(dǎo)體工藝集成，符合壓電器件微型化和集成化的趨勢(shì)。這種由“壓力”產(chǎn)生“電”的現(xiàn)象稱(chēng)為正壓電效應(yīng)。反之，如果將具有壓電效應(yīng)的介電體置于外電場(chǎng)中，電場(chǎng)使介質(zhì)內(nèi)部正負(fù)電荷位移，導(dǎo)致介質(zhì)產(chǎn)生形變。

 電流傳感器

LF1010-S/SP16

 LV100-1200/SP8

LA100-P/SP50

HO10-P/SP50
LT308-S7/SP1
HAT1200-S
LTS25-NP
LF205-S/SP3
HLSR20-P
LT10000-S
HAL200-S
8-4 FQ-SS
YY561120F
SMT 1X0.095-304-CD
C8-8FN-3
Y-50(0-4000psi)
IBF-B-6224-N-D-SS
QR4004SK3PXFSFIF
8-8 FQ-SS
M12MSC1/2N-316
785EN
6A-B6LJ2-SSP
8-6 RB-SS
C4-4FN-3
QR4003SK4PXXFSMIIM
UT12FN-1
E4-4FN-3
8A-C8L-1-SS
GV-MNA-K21-E-M
16 C6LO-S
B4020X120180SS
APR66B4P1XX4
16 HLO-S
QR4000SK3PFSMMMT
Y-50(0-230Psi)
SH8-63
FSCR-64
HF1200WK4PXXFS8FIIF
8 TZ-SS
JN4C-4CN
THT-3R60-25.4-3.2
SH3-62
71-3C16-16F
PM8FN-1
GAMT-888
QR4015SK4PXXFSFIIF8389
UT8FN-1
4-6 VH1T3-SSR
8-8-8 JQ-SS
2F-V4LR-SS
8 BVI-SS
381-12
HF1200SK4PXX8B
VAIEX 1/2
YTF-50H(0-4000Psi)
8-8-8 FT-SS
BNKAD6JNC2-496593C2
2F-MB4LPFA-SSP
BH4-60
CV-1-1166
FLC8
4MSEL2N-316
1NU1-316
KH38ZS
SU12-8GN-1
GAMS-84
1/2X1/4 PTR-S
PM010-10AP-DO