Si3N4p/氮化硅復合材料 科研試劑
摘要：根據Si3N4顆粒體的結構特點及等溫化學氣相法 (ICVI)的工藝特點,對Si3N4顆粒Si3N4復合材料的致密化過程進行了數值模擬.用球形孔隙模型表征Si3N4顆粒體的結構特征,用傳 質連續(xù)方程表征在預制體中的濃度分布.為了檢驗模型的性和適用性,進行了相應的實驗驗證.模擬結果與實驗結果具有相似的致密化規(guī)律,的滲透 時間和孔隙率與實驗結果均接近,表明中建立的數學模型可以較好地表征Si3N4P/Si3N4復合材料的ICVI過程.
Si3N4p/氮化硅復合材料 科研試劑
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