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西安齊岳生物科技有限公司

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鈦酸鎂MgTiO3/鈦酸鉍基鈣鈦礦相熱敏陶瓷

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所在地西安市

更新時間:2021-03-02 17:47:00瀏覽次數(shù):887次

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純度 98 供貨周期 現(xiàn)貨
規(guī)格 10mg 應用領域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè)
鈦酸鎂MgTiO3/鈦酸鉍基鈣鈦礦相熱敏陶瓷
鈦酸鉍鈉基鈣鈦礦型無鉛壓電陶瓷性能與機理研究

鈦酸鎂MgTiO3/鈦酸鉍基鈣鈦礦相熱敏陶瓷

鈦酸鎂MgTiO3/鈦酸鉍基鈣鈦礦相熱敏陶瓷

 產(chǎn)品:

鈣鈦礦復合氧化物納米晶體膠

含鑭鲺鈦礦型復合氧化物

錳酸鑭鈣鈦礦型復合氧化物

含鑭/氧化鈰-鈦鐵礦復合物

鈣鈦礦-鍶鈦礦-鈉鑭鈦礦復合物

鈣鈦礦型鈮/鈦酸鹽復合光催化劑

鈣鈦礦型復合氧化物鎳酸鑭光催化

鎳酸鑭鈣鈦礦氧化物薄膜

 鈦酸鉍鈉基鈣鈦礦型無鉛壓電陶瓷性能與機理研究

        【摘要】:壓電陶瓷作為一類重要的電子功能材料,應用于醫(yī)學、聲學、機械、電子、自動化等領域。當前對電子產(chǎn)品的環(huán)境友好性要求日益迫切,壓電陶瓷的無鉛化是未來的研究方向。鈦酸鉍鈉基鈣鈦礦型壓電陶瓷被認為是較具應用前景的無鉛壓電材料之一,具備其它無鉛壓電陶瓷體系無法媲美的優(yōu)點,例如高場致應變、高振速下好的性能穩(wěn)定性、的可重復性、易于大規(guī)模制備等。但是,鈦酸秘鈉基無鉛壓電陶瓷體系較低的退極化溫度了其應用范圍。以鈦酸鉍鈉基鈣鈦礦型無鉛壓電陶瓷為研究對象,探索其退極化溫度、場致應變以及優(yōu)化大功率應用性質的方法。系統(tǒng)研究了缺陷、離子替代以及晶粒尺寸對鈦酸鉍鈉基無鉛壓電陶瓷的相結構、介電、鐵電、壓電性能及其溫度穩(wěn)定性等的影響。研究了不同熱處理工藝對 0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.06BaTiO3(BNT-6BT)無鉛壓電陶瓷退極化溫度的影響。通過對變溫介電和變溫場致應變的研究,發(fā)現(xiàn)淬火工藝使BNT-6BT陶瓷的退極化溫度從96℃至136℃。通過X射線光電子能譜(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)、電子順磁共振譜(Electron paramagnetic resonance,EPR)等測試表明,陶瓷中的氧空位缺陷是退極化溫度的內(nèi)在機制;淬火工藝在陶瓷中引入氧空位缺陷,其對鐵電疇壁具有釘扎作用,使陶瓷可以在更寬的溫度范圍內(nèi)保持鐵電性,進而了退極化溫度。基于上述退極化溫度的氧空位缺陷機制,研究了 0.8(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.2(Bi0.5K0.5)TiO3(BNT-BKT)體系中具有氧缺陷的組元BaInO2.5(BaIn)的引入對陶瓷退極化溫度、鐵電及壓電等性能的影響。變溫介電譜表明,含氧缺陷組元的引入,了退極化溫度,較高可90℃;同時也了壓電常數(shù)。變溫復阻抗的研究說明了活化能與氧缺陷組分含量的關系。利用組分替代的方法,在鐵電體BNT-BT中引入組元(Bi0.5Na0.5)(Mn1/3Nb2/3)O3(BNMN),成功制備了 BNT-BT-BNMN三元弛豫鐵電體,隨著BNMN引入含量的,其鐵電性和壓電性變化。通過X射線衍射(X-ray diffraction,XRD)測試確定了 BNT-BT-xBNMN三元體系的準同型相界(Morphotropic Phase Boundary,MPB)為 x=0.005-0.02 之間,在 x=0.02 組分具有較高壓電常數(shù)150pC/N。在x=0.0275組分獲得了 0.28%的場致應變,與未替代組分相比了約一倍。采用非化學計量比的方法,研究了在 0.88(Bi05Na0.5)TiO3-0.08(Bi0.5K0.5)TiO3-0.04(Bi0.5Li0.5)TiO3(BNT-BKT-BLT)三元陶瓷中引入過量的低熔點易揮發(fā)元素K、Na對陶瓷的微觀結構、大功率性質以及溫度穩(wěn)定性等的影響。發(fā)現(xiàn)過量的K、Na了晶粒尺寸的長大,與未過量體系相比,晶粒尺寸增長了約10倍。阻抗譜和變溫介電譜的測試表明,晶粒尺寸較大的體系具有更高的機械因數(shù)和溫度穩(wěn)定性。隨后,在K、Na過量體系中加入Mn02,引入了缺陷偶極子,進一步了陶瓷的機械因數(shù)及溫度穩(wěn)定性。

 產(chǎn)品供應:

Cs2SrPbI6雙鈣鈦礦納米材料
Cs2KBiCl6雙鈣鈦礦三維材料
Cs2NaInCl6鈣鈦礦納米晶
鈦礦半導體納米晶體CsPbBr3
二維鈣鈦礦異質結(C4H9NH3)2PbI4
(C4H9NH3)2(CH3NH3)Pb2I7鈣鈦礦異質結構
(C4H9NH3)2(CH3NH3)Pb2I7鈣鈦礦晶體
TMOF-5
PbCoO3鈣鈦礦納米晶
全無機鹵素鈣鈦礦CsPbBr3晶體
鈣鈦礦/銅銦鎵硒(GIGS
CH3NH3PbI2Br/銅銦鎵硒鈣鈦礦材料
PMMA/CsPbBr3量子點
Zn2SnO4基鈣鈦礦太陽能電池材料
MAPbfI3金屬鹵化鈣鈦礦三維材料
有機氯化鉛雜化材料(C9NH20)7(PbCl4)Pb3Cl11
全無機銫鉛鹵鈣鈦礦量子點CsPbX3
(BA)4AgBiBr8有機無機雜化鹵素雙鈣鈦礦
Pb-Sn-Cu鈣鈦礦薄膜
(C4H9NH3)2(CH3NH3)3Pb4I13鈣鈦礦光電探測器
二維銣-銫合金鈣鈦礦材料RbxCs1-xPbBr3
摻鎂的鈣鈦礦薄膜CsPbBr3
疊層CsPbBr3/MABr鈣鈦礦薄膜
CsPbBr3@MABr核殼鈣鈦礦
核殼型PbSe@CsPbBr3鈣鈦礦納米材料
碘化肼錫(HASnI3)鈣鈦礦薄膜
MASnI3鈣鈦礦薄膜
二苯并環(huán)辛醇-聚(乙二醇)-脫鎂葉綠酸A偶聯(lián)物
低維Cs2PbI2Cl2鈣鈦礦納米晶
C4N2H14SnBr4錫基鈣鈦礦晶格
紅色/藍色鈣鈦礦二維納米晶
氮摻雜碳包覆的子彈狀Cu9S5空心顆粒(Cu9S5@NC
鈣鈦礦納米線陣列
六方密堆積相納米級Au六角星
Ti3SiC2納米晶
Ti2AlN陶瓷材料
CuInxGa1-xSe2薄膜材料
介孔碳納米球
多晶硅以及多晶CdTe
多孔碳納米片
多鐵性層狀鈣鈦礦Bi5CoTi3O15
聚多巴胺包覆金納米星(GNS@PDA)
雙功能改性鈣鈦礦薄膜定制

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