CryoSAS 是一款低溫硅材料分析儀,可用于太陽 能和電子硅行業(yè)的超高靈敏度質(zhì)量控制。它可以同時定量分析碳、氧以及淺層雜質(zhì)(如硼、磷、砷等)。
根據(jù)ASTM/SEMI標(biāo) 準(zhǔn),CryoSAS操作簡便,無需液氦等制冷劑。相比于傳統(tǒng)的濕 化學(xué)分析法,CryoSAS更為快速、靈敏,并且對樣品沒有任何 損害。
·對單晶硅中所含的第三、五族雜質(zhì)(硼、磷、砷、鋁、鎵、銻) 的定量分析,檢出限達ppta量級。
·多晶或單晶硅中代位碳的定量分析,檢出限達ppba量級。
·多晶或單晶硅中間隙氧的定量分析,檢出限達ppba量級。
·全自動檢測流程,自動分析數(shù)據(jù)、自動生成檢測報告。
根據(jù)ASTM/SEMI MF1389標(biāo)準(zhǔn),低溫近紅外光致發(fā)光(PL)實驗可以用于單晶硅中淺層雜質(zhì)(如硼、磷等)的定量分析。
我們將高靈敏度VERTEX 80 傅立葉變換光譜儀和專為硅材料低溫光致發(fā)光實驗 設(shè)計的低溫恒溫器相結(jié)合,實現(xiàn)了低檢出限小于1ppta的超高檢出水平。
根據(jù) ASTM/SEMI MF1389標(biāo)準(zhǔn),定量分析單晶硅中的硼、磷和鋁含量。 用CVD方法制備的TCS(三氯硅烷)硅外延層也可進行PL實驗,以實現(xiàn)TCS的質(zhì)量控制。
多種附加功能,如自動控制恒溫器制冷、專用的PL硅材料QC軟件、標(biāo)準(zhǔn)建模樣品和第二個激 發(fā)激光。
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