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低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀阻抗儀
詳細(xì)摘要:低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀阻抗儀概述GDAT-S是具有多種功能和更高測(cè)試頻率的新型阻抗分析儀,體積小,緊湊便攜,便于上架使用。本系列儀器基本精度為0.05%,測(cè)試頻率87高1MHz及10mHz的分辨率,4.3寸的LCD屏幕配合中英文操作界面,操作方便簡(jiǎn)潔。集成了變壓器測(cè)試功能、平衡測(cè)試功能,提高了測(cè)試效率。儀器提供了豐富的接口,能滿足自動(dòng)分選測(cè)試,數(shù)據(jù)傳輸和保存的各種要求。
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-S所在地: 參考價(jià):¥50000
絕緣油介質(zhì)與體積電阻率測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:絕緣油介質(zhì)與體積電阻率測(cè)試儀概述絕緣油介質(zhì)損耗及電阻率測(cè)試儀是依據(jù)GB/T5654-2007《液體絕緣材料 相對(duì)電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測(cè)量》設(shè)計(jì)制造的高精密一體化檢測(cè)儀器。
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-C所在地: 參考價(jià):¥25000
導(dǎo)熱硅脂工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:導(dǎo)熱硅脂工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀直徑為10cm或更大些,需要測(cè)低損耗因數(shù)值時(shí),很重要的一點(diǎn)是導(dǎo)線串聯(lián)電阻引入損耗要盡可能地小。

厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點(diǎn)間厚度的變化,對(duì)1%的精確度來(lái)講,1.5mm的厚度就足夠了。
產(chǎn)品型號(hào):BQS-37所在地: 參考價(jià):面議
工頻介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:工頻介電常數(shù)測(cè)試儀電橋采用接觸電阻小,機(jī)械壽命長(zhǎng)的十進(jìn)開(kāi)關(guān),保證測(cè)量的穩(wěn)定性
儀器具有雙屏蔽,能有效防止外部電磁場(chǎng)的干擾。
產(chǎn)品型號(hào):BQS-37a所在地: 參考價(jià):面議
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 測(cè)量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對(duì)濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn=100 pF R4=3183.2(Ω)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)量誤差
電容量Cx40pF—20000pF±0.5% Cx±2pF
介損損耗tgδ0-1±1.5% tgδx±0.0001
在Cn=100 pF R4=318.3(Ω
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-S所在地: 參考價(jià):面議
諧振法測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:諧振法測(cè)試儀性能特點(diǎn):
平板電容器
極片尺寸:φ25.4mm\\φ50mm
極片間距可調(diào)范圍和分辨率:≥10mm,±0.01mm
園筒電容器
電容量線性:0.33pF / mm±0.05 pF
長(zhǎng)度可調(diào)范圍和分辨率:≥0~20mm,±0.01mm
夾具插頭間距:25mm±1mm
夾角損耗角正切值:≤4×10-4(1MHz時(shí))
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A所在地: 參考價(jià):面議
工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀符合GB1409、GB5654

及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常

數(shù)的試驗(yàn)方法其采用了西林電橋的經(jīng)典線路,內(nèi)附0-2500的數(shù)顯高壓電源及

100PF標(biāo)準(zhǔn)電容器,并可按用戶要求擴(kuò)裝外接標(biāo)準(zhǔn)電容線路。
產(chǎn)品型號(hào):BQS-37A所在地: 參考價(jià):面議
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT
詳細(xì)摘要:高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT儀器的技術(shù)指標(biāo)
Q值測(cè)量范圍:2~1023
Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;
電感測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H 自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能
電容直接測(cè)量范圍:1~460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍: 30~500pF
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A所在地: 參考價(jià):面議
橡膠介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:橡膠介電常數(shù)測(cè)試儀測(cè)量項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)量誤差
電容量Cx40pF—20000pF±0.5% Cx±2pF
介損損耗tgδ0-1±1.5% tgδx±0.0001
在Cn=100 pF R4=318.3(Ω)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)量誤差
電容量Cx4pF—2000pF±0.5% Cx±3pF
介損損耗tgδ0-0.1±1.5% tgδx±0.0001
產(chǎn)品型號(hào):BQS-37a所在地: 參考價(jià):面議
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT-a
詳細(xì)摘要:高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT-a儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至醉低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為晶確。
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A所在地: 參考價(jià):面議
西林電橋介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:西林電橋介電常數(shù)測(cè)試儀BQS-37a(QS-37a)型高壓電橋采用典型的西林電橋線路。橋臂在基本量程時(shí),與R4橋臂并聯(lián),測(cè)量數(shù)值為正損耗因數(shù)。結(jié)構(gòu)采用了雙層屏蔽。并通過(guò)輔橋的輔助平衡,消除寄生參數(shù)對(duì)電橋平衡的影響。輔橋由電位自動(dòng)電位跟蹤器與內(nèi)層屏蔽(S)組成。
產(chǎn)品型號(hào):BQS-37a所在地: 參考價(jià):面議
點(diǎn)膠紙介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:點(diǎn)膠紙介電常數(shù)測(cè)試儀儀器所配(HVx)高壓電線雖出廠時(shí)已檢測(cè)合格,但測(cè)量時(shí)仍需遠(yuǎn)離人體及低壓測(cè)試線(Cx);高壓芯線與高壓屏蔽線均不允許接地和測(cè)試回路的低電位部分。
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A所在地: 參考價(jià):面議
高頻介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:高頻介電常數(shù)測(cè)試儀品止(注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿,以免夾得過(guò)緊或過(guò)松),這時(shí)能讀,錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林,它起粘著作用,又能排取的測(cè)試裝置液晶顯示 屏上的數(shù)值,既是樣品的厚度 D2。改變 Q
產(chǎn)品型號(hào):BQS-37A所在地: 參考價(jià):面議
全自動(dòng)油品介質(zhì)損耗及電阻率測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:全自動(dòng)油品介質(zhì)損耗及電阻率測(cè)試儀采用大屏幕 TFT 純彩液晶觸控顯示器,顯示清晰。只需簡(jiǎn)單設(shè)置,儀器即可自動(dòng)進(jìn)行測(cè)試。并自動(dòng)存儲(chǔ)和打印測(cè)試結(jié)果。
交流試驗(yàn)電源采用AC-DC-AC 轉(zhuǎn)換方式,有效避免市電電壓及頻率波動(dòng)對(duì)介損測(cè)試準(zhǔn)確性影響,即便是發(fā)電機(jī)發(fā)電,該儀器也能正確運(yùn)行。
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-C1所在地: 參考價(jià):面議
電容電橋測(cè)試儀BQS
詳細(xì)摘要:電容電橋測(cè)試儀BQS符合GB1409、GB5654及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常數(shù)的試驗(yàn)方法
產(chǎn)品型號(hào):BQS-37a所在地: 參考價(jià):面議
低頻介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:低頻介電常數(shù)測(cè)試儀概述GDAT-S是具有多種功能和更高測(cè)試頻率的新型阻抗分析儀,體積小,緊湊便攜,便于上架使用。本系列儀器基本精度為0.05%,測(cè)試頻率zui高1MHz及10mHz的分辨率,4.3寸的LCD屏幕配合中英文操作界面,操作方便簡(jiǎn)潔。集成了變壓器測(cè)試功能、平衡測(cè)試功能,提高了測(cè)試效率。儀器提供了豐富的接口,能滿足自動(dòng)分選測(cè)試,數(shù)據(jù)傳輸和保存的各種要求。
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-S所在地: 參考價(jià):面議
電容器薄膜材料介電常數(shù)測(cè)量?jī)x
詳細(xì)摘要:電容器薄膜材料介電常數(shù)測(cè)量?jī)x信號(hào)源頻率覆蓋范圍10KHz-70MHz (雙頻對(duì)向搜索 確保頻率不被外界干擾)另有GDAT-C 頻率范圍200KHZ-160M
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A所在地: 參考價(jià):面議
互感器高頻介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:互感器高頻介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A所在地: 參考價(jià):面議
絕緣管材工頻介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:絕緣管材工頻介電常數(shù)測(cè)試儀BQS-37a型高壓電橋是本公司推出的新一代高壓電橋,主要用于測(cè)量工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。
產(chǎn)品型號(hào):BQS-37a所在地: 參考價(jià):面議
GBT1409-2006電氣絕緣材介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:GBT1409-2006電氣絕緣材介電常數(shù)測(cè)試儀:高頻Q表是多用途的阻抗測(cè)量?jī)x器,為了提高測(cè)量精度,除了使Q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小,使耦合回路的頻響盡可能地好之外,還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法。
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A所在地: 參考價(jià):面議

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