9
新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ
| Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長系統傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的進設計理念，新代高性能激光浮區(qū)爐（型號：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能，將浮區(qū)法晶體生長技術推向個全新的高度！ 應用域 可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學、半導體、光學等多種學科域相關單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。 |
激光浮區(qū)法單晶生長系統可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學、半導體、光學等多種學科域相關單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作，跟傳統的激光浮區(qū)法單晶生長系統相比，Quantum Design公司推出的新代激光浮區(qū)法單晶爐系統具有以下技術勢：
● 采用全新五束激光設計，確保熔區(qū)能量分布更加均勻
● 更加科學的激光光斑化方案，有助于降低晶體生長過程中的熱應力
● 采用了*的實時溫度集成控制系統
RIKEN（CEMS）設計的五束激光發(fā)生器原型機實物
新代激光浮區(qū)法單晶爐系統主要技術參數：
| 加熱控制 | 加熱類型 | 5束激光 |
| 激光功率 | 2KW、1.5KW兩種規(guī)格可選 | |
| 熔區(qū)溫度 | 2600℃ ~ 3000℃* | |
| 晶體生長控制 | 晶體生長大設計長度 | 150mm* |
| 晶體生長大設計直徑 | 8mm* | |
| 晶體生長大速度/轉速 | 300mm/hr; 100rpm | |
| 樣品腔可施加大壓力 | 10bar | |
| 樣品腔氣氛 | 多種氣路（O2/Ar/混合氣等）可供選配 | |
| 晶體生長監(jiān)控 | 高清攝像頭 | |
| 晶體生長控制 | PC控制 |
*具體取決于材料及實驗條件
應用案例
采用新代激光浮區(qū)法單晶爐系統生長出的部分單晶體應用案例：
Ruby |
Dy2Ti2O7 |
BaTiO3 |
Sr2RuO4 |
SmB6 |
Ba2Co2Fe12O22 |
Y3Fe5O12 |
* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
用戶單位
東京大學
日本國立材料研究所
