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論文題目:Non-volatile rippled-assisted optoelectronic array for all-day motion detection and recognition
發(fā)表期刊:Nature Communications IF: 17.65
DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-024-46050-z
【引言】
隨著人工智能和信息技術(shù)的進(jìn)步,運(yùn)動檢測和識別 (MDR) 技術(shù)在自動駕駛、安全監(jiān)控、道路交通管制和軍事相關(guān)等領(lǐng)域變得越來越重要。當(dāng)前基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 圖像傳感器對運(yùn)動檢測存在著一些不足。例如,傳感器對光線依賴性強(qiáng)和缺乏數(shù)據(jù)處理能力。對光線的依賴導(dǎo)致了這些傳感器僅在明亮的環(huán)境下能高效檢測運(yùn)動,在黑暗環(huán)境下表現(xiàn)不佳。缺乏數(shù)據(jù)處理能力會造成傳感器無法提取和處理運(yùn)動信息的問題。使得現(xiàn)有的傳感器難以分析運(yùn)動軌跡或識別具體物體。此外,將圖像傳感器的大量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為數(shù)字形式以便進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸和存儲,也會導(dǎo)致時間和電力的浪費。
【成果簡介】
為了解決上述在運(yùn)動檢測領(lǐng)域所存在的問題,2024年2月復(fù)旦大學(xué)相關(guān)課題組聯(lián)合中科院相關(guān)團(tuán)隊利用小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3,將MoS2二維材料制備出形變增強(qiáng)光電器件(RAO)。所制備出的器件僅能夠?qū)崿F(xiàn)持續(xù)可重構(gòu)的非易失性正負(fù)光電導(dǎo),還在室溫下具有高的遷移率和光存儲動態(tài)范圍。由于所制備的RAO光電器件陣列模仿了蛇的視覺系統(tǒng)特性,可在全天候運(yùn)動檢測和識別 (MDR) 方面實現(xiàn)從可見光 (405 nm) 到近紅外 (940 nm) 的寬帶譜檢測。相關(guān)工作以《Non-volatile rippled-assisted optoelectronic array for all-day motion detection and recognition》為題,在SCI期刊《Nature Communications》上發(fā)表。
文中使用的小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3克服了傳統(tǒng)光刻工藝中需要掩膜版的難題,通過電腦控制DMD微鏡矩陣開關(guān),經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)調(diào)制,直接在光刻膠上曝光繪出所要的圖案。與此同時,該設(shè)備還具備結(jié)構(gòu)緊湊(70cm X 70cm X 70cm)、直寫速度高,高分辨率(XY:<1 μm)等特點。采用集成化設(shè)計,全自動控制,可靠性高,操作簡便。憑借這些優(yōu)勢,MicroWriter ML3為本研究器件的成功制備提供了關(guān)鍵技術(shù)支持。
小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3
【圖文導(dǎo)讀】
圖1. RAO光電器件結(jié)構(gòu)示意圖。(a)RAO光電器件的3D概念圖,每一個單元構(gòu)成圖像中的一個像素。(b)由MicroWriter ML3所制備的RAO光電器件的光學(xué)表征結(jié)果。(c)RAO器件中MoS2形變部分的掃描透射表征結(jié)果。(d)64個RAO光電單元的拉曼表征結(jié)果,和(e)RAO光電器件的拉曼圖譜分析結(jié)果。(f)兩種NV色心在RAO器件中隨時間的變化結(jié)果。(g)和(h)在光照條件下正負(fù)光電導(dǎo)的變化機(jī)理示意圖。
圖2. RAO光電器件的光電性能表征結(jié)果。(a)VDS為0.5V的條件下IDS隨VBG的變化結(jié)果。(b)由光誘導(dǎo)的兩種NV色心的狀態(tài)統(tǒng)計。(c)RAO器件中電子遷移率的統(tǒng)計結(jié)果。(d)RAO 陣列的閾值電壓統(tǒng)計特性與遷移率的統(tǒng)計特性類似,都服從正態(tài)分布。(e)和(f)每個像素最小和最大的IDS。(g) 本工作中電子遷移率與已報到工作相比較。(h) 本工作與之前工作中電子遷移率和厚度間的比較。(i)本工作與他人工作中器件的光學(xué)動態(tài)范圍比較。
圖3. 通過MicroWriter ML3制備的光電器件的光學(xué)和掃描電鏡表征結(jié)果。(a),(b)和(c)為光學(xué)結(jié)果。(d),(e)和(f)為器件的掃描電鏡表征結(jié)果。
圖4. 受到蛇眼啟發(fā)的全天候運(yùn)動檢測系統(tǒng)。(a)和(b)蛇眼捕捉動態(tài)目標(biāo)的原理。(c)在有足夠光線條件下的RAO運(yùn)動檢測結(jié)果。(d)在光線不足條件下的檢測結(jié)果。
【結(jié)論】
論文中,復(fù)旦大學(xué)和中科院的相關(guān)團(tuán)隊利用MicroWriter 小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3制備了基于MoS2的二維光電檢測器件。由于該器件利用了MoS2的形變效應(yīng),顯著提高了器件中的電子遷移率。與同類器件相比,論文中所制備出的光電檢測器件光學(xué)檢測范圍更大,數(shù)據(jù)處理能力更強(qiáng),功耗更低。該工作為需要進(jìn)行全天候光學(xué)動態(tài)檢測的相關(guān)領(lǐng)域,提供了新的方案,更提供了新的解決思路。從論文中還可以看出,MicroWriter ML3無掩模光刻機(jī)得益于其強(qiáng)大的光刻和套刻能力,可以十分方便地實現(xiàn)實驗中所設(shè)計圖形的曝光,是各學(xué)科科研中制備各類微納器件的得力助手。
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1、小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3
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