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這款晶圓熱退火爐是半導體晶片惰性氣氛快速熱退火系統(tǒng),適合晶圓的最大直徑為100mm,晶圓通過上部快速檢修門手動裝入腔室，并放置在熱補償石墨臺上。加熱器系統(tǒng)基于線性鹵素燈，位于爐體下方。這種設計確保了均勻的晶圓加熱，沿晶圓表面具有紅外發(fā)射的非均勻吸收（例如，具有成形金屬拓撲結構的晶圓）。
晶圓熱退火爐允許執(zhí)行相對較短的工藝，溫度高達1000°С，最大加熱速率高達40°С/s。對于與接觸退火無關的應用，系統(tǒng)可在無石墨工作臺的情況下運行，石墨工作臺的加熱速率可提高至200°С/s。最高溫度下的退火時間可達10分鐘。該室由鋁制成，具有集成的水冷100mm石英窗口，用于在退火過程中監(jiān)測晶片，也可用于安裝可選的光學高溫計。

晶圓熱退火爐特點

•帶水冷的鋁制工藝室

•通過膜或渦旋（可選）泵對工藝室進行初步泵送

•晶閘管控制器的加熱功率操作

•自動泵送和氣體凈化室，允許“一鍵式"工藝操作

•內(nèi)置PID控制器的多級退火過程

•通過兩個控制熱電偶監(jiān)測加熱臺溫度

•光學高溫計，用于額外控制晶圓表面溫度（可選），可通過石英窗口沿晶圓表面進行X-Y溫度掃描

•高運行間再現(xiàn)性

•易于操作和維護

晶圓熱退火爐規(guī)格參數(shù)

工藝過程反應器中的極限壓力:<10Torr (可選<5×10

^-3）

泵浦速率： 5 m^3/h

反應器壁水冷： 是的

最大晶圓直徑：100mm

最大加熱速率：200℃/s  (不帶電極夾具）

最大加熱速率：40℃/s  (帶電極夾具）

最大加熱溫度：1000℃

熱均勻性@100mm直徑： +/-2(<1300℃）

真空退火：無

氧氣退火：無

自動化退火：標配