EDC濕法刻蝕顯影機(jī)適應(yīng)于半導(dǎo)體、化工材料、硅片、晶片、基片、導(dǎo)電玻璃等工藝，制版的表面顯影。

一、涂膠顯影機(jī)工作原理：

（1）可訂制濕法處理全套工藝（顯影，腐蝕，清洗，甩干）；

（2）擁有樣品清洗，氮?dú)獯祾?，甩干，背部清洗作為必配功能，確保 “Dry In，Dry Out”；

（3）特制的頂蓋閥門控制（VoD技術(shù)），確保試液無滴漏；

EDC濕法刻蝕顯影機(jī)具有可編程閥，它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應(yīng)用的要求重復(fù)進(jìn)行，如沖洗（通常是去離子水或溶劑），然后干燥（通常是氮?dú)猓┑戎蟮奶幚聿襟E。采用此序貫閥門技術(shù)的晶圓片和管道在*干燥的環(huán)境中開通和關(guān)閉處理過程。隔離和獨(dú)立的給水器可處在靜態(tài)的位置還可以蓋內(nèi)調(diào)節(jié)。涂膠顯影機(jī)還有可選擇的動(dòng)態(tài)線性或徑向滴膠的特性。

二、涂膠顯影機(jī)主要性能指標(biāo)：
1、腔體尺寸：9英寸 (220 毫米)；
2、Wafer&芯片：直徑6英寸（150毫米）的晶圓片或者5x5英寸（125毫米）的方片；
3、非真空托盤：聚丙烯材質(zhì)非真空托盤，可承載2、3英寸及150毫米的晶圓片-并帶有背面清洗功能；
3、轉(zhuǎn)動(dòng)速度：0-12,000rpm，
5、馬達(dá)旋涂轉(zhuǎn)速：穩(wěn)定性能誤差 < ±1%；
6、工藝時(shí)間設(shè)定：1-5999.9 sec/step 0.1 精度；
7、高精度數(shù)碼控制器：PLC控制，設(shè)置點(diǎn)精度小于0.006%；
8、程序控制：可存儲(chǔ)20個(gè)程序段，每個(gè)程序段可以設(shè)置51步不同的速度狀態(tài)；
9、分辨率：分辨率不超過1轉(zhuǎn)/分，可重復(fù)性不超過1轉(zhuǎn)/分，美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院（NIST）認(rèn)證過的，并且無需再校準(zhǔn)！]
10、腔體開關(guān)蓋板：透明ECTFE材質(zhì)圓頂蓋板，便于實(shí)時(shí)進(jìn)行可視化操作；
11、腔體材質(zhì)說明：用聚丙烯材質(zhì)制成的帶有聯(lián)動(dòng)傳感觸點(diǎn)的合瓣式艙體；
12、配套分析軟件：SPIN3000操作分析軟件；
13、配套真空泵系統(tǒng)：無油型 220~240伏交流，50/60赫茲；

三、適用工藝（包括但不限于下述濕法制程）
光刻膠顯影（KrF/ArF）
SU8厚膠顯影
顯影后清洗
PostCMP清洗
光罩去膠清洗
光刻膠去除
金屬Lift-off處理
刻蝕微刻蝕處理