簡單介紹:
鹵素燈RTP退火爐是一款6寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術,可實現(xiàn)真正的基底溫度測量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償,溫度控制**,溫度重復性高,客戶包括國際上許多半導體公司及科研團隊,是半導體制程退火工藝的理想選擇。
技術特色:
• 真正的基片溫度測量,無需傳統(tǒng)的溫度補償
• 紅外鹵素管燈加熱
• 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性
• 快速數(shù)字PID溫度控制
• 不銹鋼冷壁真空腔室
• 系統(tǒng)穩(wěn)定性好
• 結(jié)構緊湊,小型桌面系統(tǒng)
• 帶觸摸屏的PC控制
• 兼容常壓和真空環(huán)境,真空度標準值為5×10-3Torr,采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr
• *高3路氣體(MFC控制)
• 沒有交叉污染,沒有金屬污染
真實基底溫度測量技術介紹:
如上圖,由陣列式鹵素燈輻射出熱量經(jīng)過石英窗口到達樣品表面,樣品被加熱,傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進行測量基片溫度,由于熱電偶與基片有一定距離,測量的不是基片真實的溫度,必須進行溫度補償。
采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進行測溫,如上圖,接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連,工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置,陣列式鹵素燈輻射出熱量經(jīng)過石英窗口到達樣品表面,樣品被加熱,片狀Real T/C KIT同時被加熱,由于基片與Real T/C KIT很近,它們之間也會進行熱量傳遞,并很快達到熱平衡,所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度,從而實現(xiàn)基片溫度的真實測量。
技術參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 鹵素燈RTP退火爐 |
產(chǎn)品型號 | CY-RTP1000-Φ150-T |
基片尺寸 | 6英寸 |
基片基座 | 石英針(可選配SiC涂層石墨基座) |
溫度范圍 | 150-1250℃ |
加熱速率 | 10-150℃/S |
溫度均勻性 | ≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
溫度控制精度 | ≤ ±3℃ |
溫度重復性 | ≤ ±3℃ |
真空度 | 5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
氣路供應 | 標準1路N2吹掃及冷卻氣路,由MFC控制(*多可選3路) |
退火持續(xù)時間 | ≥35min@1250℃ |
溫度控制 | 快速數(shù)字PID控制 |
尺 寸 | 870mm*650mm*620mm |