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CY-RTP1000-Φ200-300-T 鹵素燈RTP退火爐

參考價 15000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 鄭州成越科學儀器有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 CY-RTP1000-Φ200-300-T
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/12/18 10:50:13
  • 訪問次數(shù) 7

聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!


鄭州成越科學儀器有限公司位于鄭州市*開發(fā)區(qū),是一家專業(yè)從事材料制備設備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的高科技公司。重點專注于CVD石墨烯制備設備、熒光粉燒結(jié)設備、氧化鋯生物陶瓷燒結(jié)、納米材料制備、電池材料制備、陶瓷材料的微波燒結(jié)、稀有金屬的區(qū)域提純等研究發(fā)展方向。

鄭州成越科學儀器有限公司的研發(fā)團隊憑借自身在熱處理技術方面的專業(yè)知識和豐富的實踐經(jīng)驗,先后研發(fā)出了多款*材料制備設備。主要產(chǎn)品有:微波燒結(jié)爐、真空管式爐、箱式電阻爐、高頻感應爐、氧化鋯燒結(jié)爐、熒光粉燒結(jié)爐、晶體退火爐、電池材料燒結(jié)爐、旋轉(zhuǎn)管式爐、立式管式爐、CVD管式爐等;

其他的產(chǎn)品還有:等離子清洗機、真空手套箱、真空干燥箱、環(huán)境模擬測試柜、行星球磨機、高純石英管、99剛玉管、真空法蘭等。

近年來,在社會各界的關心支持下,公司不斷發(fā)展壯大,與國內(nèi)外多所高校和科研單位建立起了合作關系;公司還聘請了多位國內(nèi)外重點高校的教授,博導為公司常年的技術顧問,他們時刻與國內(nèi)外學術界保持交流,出國訪問,并親臨一線指導產(chǎn)品的生產(chǎn)和研發(fā),使我公司的產(chǎn)品不斷完善,并緊跟世界研究熱點,推出相關的新產(chǎn)品。產(chǎn)品遠銷歐美、日韓等國家,并在國內(nèi)外市場獲得業(yè)界*好評。

如果您正在被國貨的產(chǎn)品質(zhì)量所困擾,選擇我們將改變您對國貨的某些觀念;如果您正在為自己的實驗方案的實施而茫然,選擇我們將有專業(yè)的技術團隊為您量身定做!如果您正在為故障設備的售后無人理會而發(fā)愁,選擇我們一切的問題將由我們負責到底。鄭州成越科學儀器有限公司的誠信、實力和產(chǎn)品質(zhì)量獲得業(yè)界的認可。歡迎各界朋友蒞臨參觀、指導和業(yè)務洽談。


管式爐,氣氛爐,馬弗爐,等離子磁控濺鍍膜儀,等離子清洗機,切斷機,拋光機

簡單介紹:

鹵素燈RTP退火爐是一款6寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術,可實現(xiàn)真正的基底溫度測量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償,溫度控制**,溫度重復性高,客戶包括國際上許多半導體公司及科研團隊,是半導體制程退火工藝的理想選擇。


技術特色:

 • 真正的基片溫度測量,無需傳統(tǒng)的溫度補償

• 紅外鹵素管燈加熱

• 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性

• 快速數(shù)字PID溫度控制

• 不銹鋼冷壁真空腔室

• 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

• 結(jié)構緊湊,小型桌面系統(tǒng)

• 帶觸摸屏的PC控制

• 兼容常壓和真空環(huán)境,真空度標準值為5×10-3Torr,采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

• *高3路氣體(MFC控制)

• 沒有交叉污染,沒有金屬污染

真實基底溫度測量技術介紹:


鹵素燈RTP退火爐


如上圖,由陣列式鹵素燈輻射出熱量經(jīng)過石英窗口到達樣品表面,樣品被加熱,傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進行測量基片溫度,由于熱電偶與基片有一定距離,測量的不是基片真實的溫度,必須進行溫度補償。

 

  采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進行測溫,如上圖,接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連,工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置,陣列式鹵素燈輻射出熱量經(jīng)過石英窗口到達樣品表面,樣品被加熱,片狀Real T/C KIT同時被加熱,由于基片與Real T/C KIT很近,它們之間也會進行熱量傳遞,并很快達到熱平衡,所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度,從而實現(xiàn)基片溫度的真實測量。

技術參數(shù):


產(chǎn)品名稱

鹵素燈RTP退火爐

產(chǎn)品型號

CY-RTP1000-Φ150-T

基片尺寸

6英寸

基片基座

石英針(可選配SiC涂層石墨基座)

溫度范圍

150-1250

加熱速率

10-150/S

溫度均勻性

≤±1.5% (@800, Silicon wafer)

≤±1.0% (@800, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

溫度控制精度

 ±3

溫度重復性

 ±3

真空度

5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

氣路供應

標準1N2吹掃及冷卻氣路,由MFC控制(*多可選3路)

退火持續(xù)時間

35min@1250

溫度控制

快速數(shù)字PID控制

尺  寸

870mm*650mm*620mm


相關分類

氧化擴散設備


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