水質(zhì)要求

• 微電子清洗對超純水的水質(zhì)要求**，需達(dá)到電子級水的標(biāo)準(zhǔn)。一般要求電阻率在 15~18MΩ?cm 甚至更高，以確保水中幾乎無雜質(zhì)離子，避免對微電子器件造成污染

• 水中的顆粒物質(zhì)需嚴(yán)格控制，通常要求顆粒粒徑小于一定數(shù)值，如 0.1μm 甚至更小，防止顆粒附著在微電子元件表面影響其性能和可靠性

• 有機(jī)物含量要極低，一般以總有機(jī)碳（TOC）來衡量，要求 TOC 值在幾個 ppb 甚至更低的水平，因為有機(jī)物可能會在清洗過程中殘留并對器件產(chǎn)生不良影響

• 微生物指標(biāo)也不容忽視，需保證超純水中無菌或微生物含量極低，防止微生物在微電子器件表面滋生繁殖，影響產(chǎn)品質(zhì)量

制備工藝

• 預(yù)處理：通常包括多介質(zhì)過濾、活性炭吸附、軟化等步驟，目的是去除水中的大顆粒懸浮物、有機(jī)物、硬度離子等，為后續(xù)的深度處理提供較好的進(jìn)水條件

• 反滲透（RO）：利用半透膜的原理，在壓力作用下，使水通過膜而鹽分等雜質(zhì)被截留，可有效去除水中的大部分溶解鹽類、有機(jī)物、膠體等雜質(zhì)，一般采用兩級反滲透工藝以提高脫鹽率

• 電去離子（EDI）：作為深度除鹽的關(guān)鍵技術(shù)，EDI 裝置中的離子交換樹脂在電場作用下不斷再生，可連續(xù)穩(wěn)定地生產(chǎn)高純度的超純水，進(jìn)一步去除水中殘留的微量離子，使水質(zhì)達(dá)到電子級水的要求

• 拋光處理：經(jīng)過上述處理后的水還可能含有極少量的雜質(zhì)，通過拋光混床、TOC-UV 氧化分解、終端超濾等拋光工藝，進(jìn)一步去除水中的痕量離子、有機(jī)物和顆粒物質(zhì)，確保超純水的水質(zhì)達(dá)到微電子清洗的高標(biāo)準(zhǔn)

• 氣體控制：在超純水制備過程中，還需要對溶解氣體進(jìn)行控制，如采用膜接觸器等技術(shù)脫除水中的溶解氧、二氧化碳等氣體，防止其對微電子器件造成氧化、腐蝕等不良影響