HUSTEC-1600A-MT 分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
| 參考價 | ￥ 1 |
| 訂貨量 | ≥1臺 |
- 公司名稱 深圳市華科智源科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 HUSTEC-1600A-MT
- 產(chǎn)地 深圳市寶安區(qū)航城街道恒豐工業(yè)城C4棟816
- 廠商性質 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2024/12/10 12:00:30
- 訪問次數(shù) 20
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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 外形尺寸 | 500（寬）x 450（深）x 250（高）mm |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 能源,電子,交通,汽車 | 重量 | 30kg |
| 主機尺寸 | 深 660*寬 430*高 210(mm) | 主機重量 | ＜35kg |
| 主機顏色 | 銀色系 | 主機功耗 | ＜300W |
| 海拔高度 | 海拔不超過 4000m | 環(huán)境要求 | -20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作） |
| 相對濕度 | 20%RH～75%RH (無凝露，濕球溫度計溫度 45℃以下) | 大氣壓力 | 86Kpa～106Kpa |
| 防護條件 | 無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等 |
HUSTEC華科智源
HUSTEC-1600A-MT
分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
一：分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主要特點
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，風力發(fā)電，變頻器，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現(xiàn)在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；
測試參數(shù)：
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。
二：應用范圍
A：IGBT單管及模塊，
B：大功率場效應管（Mosfet）
C：大功率二極管
D：標準低阻值電阻
E：軌道交通，風力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業(yè)篩選以及在線故障檢測
三、特征：
A：測量多種IGBT、MOS管
B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；
C：脈沖寬度 50uS~300uS
D：Vce測量精度2mV
E：Vce測量范圍>10V
F：電腦圖形顯示界面
G：智能保護被測量器件
H：上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能
I：MOS IGBT內部二極管壓降
J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)
K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比；
序號 | 測試項目 | 描述 | 測量范圍 | 分辨率 | 精度 |
1 | VF | 二極管正向導通壓降 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
2 | IF | 二極管正向導通電流 | 0~1200A | ≤200A時,0.1A | ≤200A時,±1%±0.1A |
3 | ＞200A時,1A | ＞200A時,±1% | |||
4 | Vces | 集電極-發(fā)射極電壓 | 0~5000V | 1V | ±1%,±1V |
5 | Ic | 通態(tài)集電極電流 | 0~1200A | ≤200A時,0.1A | ≤200A時,±1%±0.1A |
6 | ＞200A時,1A | ＞200A時,±1% | |||
7 | Ices | 集電極-發(fā)射極漏電流 | 0~50mA | 1nA | ±1%,±10μA |
8 | Vgeth | 柵極-發(fā)射極閾值電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
9 | Vcesat | 集電極-發(fā)射極飽和電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
10 | Igesf | 正向柵極漏電流 | 0~10uA | 1nA | ±2%,±1nA |
11 | Igesr | 反向柵極漏電流 | |||
12 | Vges | 柵極發(fā)射極電壓 | 0~40V | 1mV | ±1%,±1mV |
測試參數(shù)：
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用
1) 物理規(guī)格
設備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm；
質量：30kg
2) 環(huán)境要求
海拔高度：海拔不超過 1000m；
儲存環(huán)境：-20℃～50℃；
工作環(huán)境：15℃～40℃。
相對濕度：20%RH ~ 85%RH ；
大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。
防護：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；
3) 水電氣 用電要求：AC220V，±10%；
電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
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