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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>配件耗材>其它儀器配件耗材>其它儀器配件> OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測(cè)器

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OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測(cè)器

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 深圳維爾克斯光電有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時(shí)間 2024/9/5 17:19:56
  • 訪問次數(shù) 174

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維爾克斯光電(www.highlightoptics.com)專業(yè)代理歐美激光器、光譜儀、光電測(cè)試分析儀器和光電元器件。憑借強(qiáng)力的專業(yè)技術(shù)背景和多年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn),維爾克斯能夠滿足客戶不同的應(yīng)用要求,精準(zhǔn)地為客戶提供高性價(jià)比的解決方案,并保證設(shè)備及時(shí)安裝、調(diào)試和故障排除。

我們提供自主開發(fā)的:微透鏡陣列、分束鏡、工程散射片、螺旋相位片、結(jié)構(gòu)光模組、離軸拋物面鏡、掃擺鏡、中空回射器、太赫茲透鏡、太赫茲窗口鏡、分辨率板、太赫茲鏡頭、激光防護(hù)眼鏡。

以色列Holoor公司衍射光學(xué)元件,光束整形器、高斯整平頂DOE、勻光鏡、勻化器、寬帶散射片、分束鏡、多焦點(diǎn)DOE、長焦深DOE、玻璃切割模組、定制衍射元件;

德國Holoeye公司結(jié)構(gòu)光DOE、激光散斑、隨機(jī)點(diǎn)陣、定制衍射元件;

德國ADLoptica光束整形器,pishaper光纖激光平頂整形,πshaper激光整形器;

美國RPC Photonics公司螺旋相位板、微透鏡陣列、工程散射片,工程漫射體,擴(kuò)散片;

美國Thorlabs,Edmund離軸拋物面鏡,微透鏡,激光防護(hù)鏡;

丹麥NILT納米壓印模板,微加工掩膜,納米壓印機(jī),硅模板,石英母版;

 

美國NOIR激光防護(hù)眼鏡,激光防護(hù)鏡,激光護(hù)目鏡常用型號(hào):ARG, EC2, YG3, DBD, YG2, FG1, DBY, ND1, YLW;

德國Laservision激光護(hù)目鏡,激光防護(hù)鏡,激光防護(hù)玻璃,激光防護(hù)簾;

以色列DUMA公司 Spoton系列激光位置測(cè)量儀,Beamon光斑分析儀,光束分析儀,激光準(zhǔn)直儀, Autocollimator,內(nèi)調(diào)焦自準(zhǔn)直儀,Alignmeter激光位置角度測(cè)量儀;

法國Phaseview公司M2儀,光束質(zhì)量分析儀,激光輪廓儀,激光波前測(cè)量儀;

立陶宛Optogama公司紅外熱像儀(可替代7215紅外熱像儀)、紅外相機(jī)、紅外觀察儀、4lasers鏡片、晶體、擴(kuò)束鏡、人眼安全激光器;

美國Dataray光斑分析儀,光束分析儀,M2儀,紅外光斑分析儀;

白俄羅斯Solar Laser公司SHR波長計(jì),SHR-IR激光波長計(jì),低重頻大能量固體激光器;

加拿大Gentec功率計(jì),能量計(jì),太赫茲探測(cè)器;

     

美國Chroma公司濾光片、濾光片盒子、濾光片套裝、FISH濾光片、窄帶濾光片、拉曼濾光片;

美國Adnover公司濾光片,定制濾光片,超窄帶濾光片;

德國BATOP可飽和吸收鏡,SESAM,可飽和吸收耦合輸出鏡,共振可飽和吸收鏡,可飽和吸收體SA,太赫茲聚焦鏡,激光芯片,微芯激光器;

德國B.Halle公司消色差波片、超寬帶消色差波片;

美國Innovation Photonics中紅外聚焦鏡,中紅外隔離器,紅外光纖,紅外偏振片,光纖耦合透鏡;

德國Layertec飛秒激光鏡片,皮秒激光鏡片、寬帶鏡、啁啾鏡、GT干涉鏡;

美國DRO,Design research optics二氧化碳鏡片,ZnSe反射鏡,硒化鋅透鏡,CO2合束鏡、CO2分束鏡;

美國LRO,Laser Research Optics分光鏡、合束器、全反射鏡、部分反射鏡、金屬反射鏡、輸出耦合鏡、零相位延遲片、部分相位延遲片;

德國Femto Fiber公司布拉格光纖光柵;

 

美國Minusk隔震臺(tái),減震平臺(tái),精密隔振平臺(tái),原子力顯微鏡隔振臺(tái);

德國Marzhauser公司(MW)顯微鏡載物臺(tái),手動(dòng)顯微鏡平移臺(tái);

英國PRIOR顯微鏡平臺(tái),顯微鏡載物臺(tái),顯微鏡電動(dòng)平臺(tái),納米電動(dòng)平臺(tái),自動(dòng)上片機(jī),自動(dòng)對(duì)焦系統(tǒng);

加拿大Zaber電控平移臺(tái),線性致動(dòng)器,旋轉(zhuǎn)臺(tái),真空平移臺(tái),內(nèi)置編碼器和驅(qū)動(dòng)器的位移臺(tái);

法國Piezoconcept納米平臺(tái),納米壓電平臺(tái);

芬蘭Sensapex微操作器,微操作系統(tǒng);

 

加拿大Sicencetech太陽光模擬器,AA*太陽光模擬器,光伏測(cè)試系統(tǒng),紅外光譜儀;

美國TTI公司C995光學(xué)斬波器,光纖脈沖轉(zhuǎn)換器,模擬信號(hào)收發(fā)器,O/E轉(zhuǎn)換模塊探測(cè)器;

美國Phase Photonics紅外光譜儀,中紅外光譜儀;

美國Scientech公司精密電子天平,激光功率計(jì);

 

荷蘭Anteryon CP-332/CP-544激光器,非球面鏡;

德國Advanced Laser Diode Systems(ALSG)半導(dǎo)體皮秒激光器,可單模光纖、單光子輸出;

德國Frankfurt Laser公司各類激光器及激光配件;

德國Alphalas公司激光器,可調(diào)諧波片,寬帶可調(diào)波片,超快探測(cè)器UPD;

美國Photonics Industries公司(PI)納秒激光器,皮秒激光器,高功率,高能量;

日本Oxide公司266nm激光器,波長轉(zhuǎn)換器,晶體,激光組件;

立陶宛Eksma,Ekspla公司光纖激光器,超短脈沖選擇器,普克爾斯盒;

 

美國Terasense太赫茲相機(jī),太赫茲源, THz人體安檢儀,超快太赫茲探測(cè)器;

德國Menlo公司飛秒光纖激光器,太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng),飛秒激光同步激發(fā)的太赫茲光譜系統(tǒng),光學(xué)頻率合成器、光梳;

瑞士Rainbow Photonics太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)(1-14THz),可調(diào)諧太赫茲源,THz有機(jī)晶體;

俄羅斯Tydex公司太赫茲光學(xué)元件、太赫茲透鏡、太赫茲波片、TH分光片、TH濾光片、太赫茲衰減片、太赫茲衍射鏡片,Golay Cell 高萊探測(cè)器;

西班牙NIT,德國TrinamiX,芬蘭Emberion,英國Redwavelabs紅外探測(cè)器。

 

俄羅斯SmarTThermoelectrics半導(dǎo)體制冷片,單極TEC,多極TEC熱電模塊;

德國Jutec耐高溫手套,隔熱手套,熱防護(hù)服;

美國AppliedImage公司圖像測(cè)試卡、ISO 測(cè)試卡 、圖像質(zhì)量分析軟件、Bar Code條形碼校正;

還代理英國Laser2000,德國Pleiger Laseroptik,立陶宛Optogama,美國Precision Laser Scanning等廠家;

 

油脂分析儀,石油分析儀,激光眼鏡,光學(xué)配件

供貨周期 一個(gè)月 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合

OSI InGaAs光電二極管,700nm-1700nm

OSI InGaAs光電二極管是用于檢測(cè)近紅外(700nm-1700nm波長)光的半導(dǎo)體器件。OSI Optoelectronics已經(jīng)開發(fā)了各種各樣的設(shè)備,適用于該頻譜范圍內(nèi)的大量應(yīng)用,如:背面檢測(cè)、功率監(jiān)測(cè)、DWDM組件、OTDR測(cè)量等。OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測(cè)器

OSI Optoelectronics的10Gbps光電二極管FCI-InGaAs-36C是一款支持OC-192(SONET/SDH)的光敏器件,具有低暗電流和良好的性能穩(wěn)定性。FCI-InGaAs-36C暗電流是0.5nA,電容是0.16pF,在1310nm處的響應(yīng)度是0.85A/W,芯片大小是450x250μm,有效面積是36μm。

陽極和陰極觸點(diǎn)均位于芯片頂面。OSI銦鎵砷光電二極管FCI-InGaAs-36C10Gbps高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的理想元件、它的光譜范圍從910nm1650nm。

OSI Optoelectronics的最新產(chǎn)品系列包括超低反射率光電二極管。該InGaAs/InP光電二極管專為電信應(yīng)用而設(shè)計(jì),在1520nm1620nm波長范圍內(nèi)的典型光學(xué)反射率低于0.6%。通過在InGaAs/InP光電二極管表面直接沉積專有的多層抗反射涂層,實(shí)現(xiàn)了在寬波長范圍內(nèi)的超低反射率。

型號(hào)

暗電流

電容

帶寬

有效區(qū)域

FCI-InGaAs-36C

0.5nA

0.16pF

9GHz

?36µm

FCI-InGaAs-WCER-LR

1nA

15pF

/

250x500µm

OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測(cè)器


OSI銦鎵砷光電二極管陣列型號(hào)

FCI-InGaAs-300B1XX系列是多功能背照式OSI InGaAs光電二極管陣列。它們的標(biāo)準(zhǔn)配置是有源面積為300um48元陣列。背照式InGaAs光電二極管陣列可倒裝到光學(xué)平面上,用于正面或背面照明。它們可以采用傳統(tǒng)安裝方式(有源區(qū)朝上),也可以朝下組裝,從而最大限度地減小整體尺寸。這些低電感、低暗電流和低電容背照式光電二極管陣列可使用或不使用陶瓷基板。

FCI-InGaAs-XXM系列是線性陣列光電二極管,具有4、8、1216個(gè)陣列,是OSI光電高速紅外敏感OSI InGaAs光電探測(cè)器陣列的一部分。每個(gè)AR涂層的元素是能夠2.5Gbps的數(shù)據(jù)速率表現(xiàn)出從1100納米到1620納的高響應(yīng)性。

型號(hào)

暗電流

電容

帶寬

有效區(qū)域

元素陣列

FCI-InGaAs-300B1

0.05nA

8pF

100MHz

?300µm

1

FCI-InGaAs-300B1x4

0.05nA

8pF

100MHz

?300µm

4

FCI-InGaAs-300B1x8

0.05nA

8pF

100MHz

?300µm

8

FCI-InGaAs-4M

0.03nA

0.65pF

2GHz

?70µm

4

FCI-InGaAs-8M

0.03nA

0.65pF

2GHz

?70µm

8

FCI-InGaAs-12M

0.03nA

0.65pF

2GHz

?70µm

12

FCI-InGaAs-16M

0.03nA

0.65pF

2GHz

?70µm

16

檢測(cè)器放大器混合

FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了寬動(dòng)態(tài)范圍跨阻放大器的緊湊型高速OSI InGaAs光電探測(cè)器。將探測(cè)器和跨阻放大器集成在一個(gè)密封的4引腳TO-46封裝中,為高速信號(hào)放大提供了理想的條件。高速度和高靈敏度使這些器件成為局域網(wǎng)、城域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和其他高速通信系統(tǒng)中使用的高比特率接收器的理想選擇。FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列還提供FCSC、STSMA插座。

型號(hào)

可供電壓

可供電流

工作波長

輸出阻抗

有效區(qū)域直徑

FCI-H125G-InGaAs-75

3-5.5V

26mA

1100-1650nm

50Ω

75μm

FCI-H250G-InGaAs-75

3-5.5V

35mA

1100-1650nm

50Ω

75μm

FCI-H622M-InGaAs-75

3-3.6V

22mA

1100-1650nm

75Ω

75μm

高速光電二極管

FCI-InGaAs-XXX系列具有75μm、120μm、300μm500μm的活動(dòng)區(qū)域尺寸,具有數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用所需的特性。這些器件在1100納米到1620納米范圍內(nèi)具有低電容、低暗電流和高響應(yīng)度的特點(diǎn),是局域網(wǎng)、城域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和其他高速通信系統(tǒng)中使用的高比特率接收器的理想之選。光電二極管封裝在3鉛隔離的TO-46罐或與AR涂層的平面窗口或微透鏡,以提高耦合效率。FCI- InGaAs-XXX系列還提供FC、SCSTSMA插座。

型號(hào)

暗電流

電容

上升時(shí)間

有效區(qū)域

FCI-InGaAs-75

0.03nA

1.5pF

0.2ns

?75µm

FCI-InGaAs-120

0.05nA

2pF

0.3ns

?120µm

FCI-InGaAs-300

0.30nA

10pF

1.5ns

?300µm

FCI-InGaAs-500

0.5nA

20pF

10ns

?500µm

OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測(cè)器


大面積光電二極管

FCI-InGaAs-XXX-X系列有源區(qū)尺寸分別為1mm、1.5mm3mm,是OSI Optoelectronics大有源區(qū)紅外敏感探測(cè)器的一部分,在1100nm1620nm范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的響應(yīng)性,對(duì)微弱信號(hào)具有很高的靈敏度。這些大有源區(qū)器件非常適合用于紅外儀器和監(jiān)控應(yīng)用。

型號(hào)

分流電阻

電容

有效區(qū)域直徑

FCI-InGaAS-1000-X

30MΩ

80pF

1mm

FCI-InGaAs-1500-X

20MΩ

200pF

1.5mm

FCI-InGaAs-3000-X

20MΩ

750pF

3mm


監(jiān)視器光電二極管

OSI Optoelectronics提供廣泛的InGaAs監(jiān)視器光電二極管。它們具有70um,120um,300um,500 um的有效面積,是安裝在金屬化陶瓷基板上的監(jiān)控器光電二極管系列的一部分。這些緊湊的組件設(shè)計(jì)為易于集成。

型號(hào)

暗電流

電容

上升時(shí)間

反向電壓(最大值)

有效區(qū)域直徑

封裝

FCI-InGaAs-75-WCER

0.03nA

0.65pF

0.2ns

20V

75μm

環(huán)繞式無鉛陶瓷

FCI-InGaAs-120-WCER

0.05nA

1pF

0.3ns

20V

120μm

FCI-InGaAs-300-WCER

0.3nA

10pF

1.5ns

15V

300μm

FCI-InGaAs-500-WCER

0.5nA

20pF

10ns

15V

500μm

FCI-InGaAs-75-ACER

0.03nA

0.65pF

0.2ns

20V

75μm

楔形無鉛陶瓷

FCI-InGaAs-120-ACER

0.05nA

1pF

0.2ns

20V

120μm

FCI-InGaAs-300-ACER

0.3nA

10pF

1.5ns

15V

300μm

FCI-InGaAs-500-ACER

0.5nA

20pF

10ns

15V

500μm

FCI-InGaAs-75-LCER

0.03nA

0.65pF

0.2ns

20V

75μm

帶兩條水平導(dǎo)線的腔體陶瓷

FCI-InGaAs-120-LCER

0.05nA

1pF

0.3ns

20V

120μm

FCI-InGaAs-300-LCER

0.3nA

10pF

1.5ns

15V

300μm

FCI-InGaAs-75-CCER

0.03nA

0.65pF

0.2ns

20V

75μm

FCI-InGaAs-120-CCER

0.05nA

1pF

0.3ns

20V

120μm

FCI-InGaAs-300-CCER

0.3nA

10pF

1.5ns

15V

300μm

FCI-InGaAs-500-CCER

0.5nA

20pF

10ns

15V

500μm


OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測(cè)器


尾纖光電二極管組件

FCI-InGaAs-XX-XX-XX 有源面積為75um120um,屬于OSI Optoelectronics的高速紅外敏感探測(cè)器系列,采用光纖尾纖封裝。單模/多模光纖與TO-46透鏡蓋封裝的密封OSI InGaAs光電二極管光學(xué)對(duì)準(zhǔn),提高了耦合效率和穩(wěn)定性。

型號(hào)

暗電流

電容

上升時(shí)間

有效區(qū)域直徑

FCI-InGaAs-70-XX-XX

0.03nA

0.65pF

0.2ns

75μm

FCI-InGaAs-120-XX-XX

0.05nA

1pF

0.3ns

120μm

FCI-InGaAs-70C-XX-XX

0.03nA

0.65pF

0.2ns

75μm

FCI-InGaAs-120C-XX-XX

0.05nA

1pF

0.3ns

120μm

OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測(cè)器


四象限InGaAs光電二極管

FCI-InGaAs-QXXX系列是有效面積大OSI InGaAs光電探測(cè)器,分為四個(gè)獨(dú)立的有效區(qū)域。這些光電二極管在1毫米和3毫米的有源區(qū)直徑。InGaAs系列具有高響應(yīng)性、高均勻性和元件之間的低串?dāng)_是精確調(diào)零或?qū)χ行膽?yīng)用以及光束輪廓分析應(yīng)用的理想選擇。它們?cè)?span style=";padding: 0px">1100nm至1620nm范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的響應(yīng)性,并且在時(shí)間和溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定,響應(yīng)時(shí)間快,適合高速或脈沖操作。OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測(cè)器

暗電流

串音

上升時(shí)間

有效區(qū)域直徑

元素差距

0.5nA

1%

3ns

1000μm

0.045mm

2nA

1%

24ns

3000μm

0.045mm




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