1. 產(chǎn)品概述

設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。

PlasmaPro 100 PECVD 由于電溫度均勻性和電中的噴淋頭設(shè)計(jì)，可提供出色的保形沉積和低顆粒生成，允許射頻能量產(chǎn)生等離子體。等離子體的高能反應(yīng)性物質(zhì)提供高沉積速率，以達(dá)到所需的基板厚度，同時(shí)保持低壓。其雙頻 13.56MHz 和 100KHz 功率應(yīng)用于上電，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)力控制和薄膜致密化.

高質(zhì)量的薄膜，高產(chǎn)量和出色的均勻性

電的適用溫度范圍寬

兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓

成本低且易于維護(hù)電阻絲加熱電，高溫度可達(dá)400°C或1200°C

實(shí)時(shí)監(jiān)測清洗工藝， 并且可自動(dòng)停止工藝

2. 特點(diǎn)

將反應(yīng)物質(zhì)輸送到基材，通過腔室具有均勻的高電導(dǎo)路徑，允許使用高氣體流量，同時(shí)保持低壓射頻供電噴淋頭，具有優(yōu)化的氣體輸送功能，通過LF/RF開關(guān)提供均勻的等離子體處理，從而可以精確控制薄膜應(yīng)力高泵送能力，提供寬的工藝壓力窗口

通過均勻的高導(dǎo)通路徑連接的腔室，將反應(yīng)粒子輸送到襯底

在維持低氣壓的同時(shí)，允許使用較高的氣體通量

高度可變的下電

充分利用等離子體的三維特性，在優(yōu)秀的高度條件下，襯底厚度大可達(dá)10mm

電的溫度范圍寬（-150°C至+ 400°C），可通過液氮，液體循環(huán)制冷機(jī)或電阻絲加熱

可選的吹排及液體更換單元可自動(dòng)進(jìn)行模式切換

由再循環(huán)制冷機(jī)單元供給的液體控溫的電

出色的襯底溫度控制

射頻功率加載在噴頭上，同時(shí)優(yōu)化氣體輸送

提供具有低頻/射頻切換功能的均勻的等離子體工藝，可精確控制薄膜應(yīng)力

ICP源尺寸為65mm，180mm，300mm

確保200mm晶圓的工藝均勻性

高抽氣能力

提供了更寬的工藝氣壓窗口

晶壓盤與背氦制冷

更好的晶片溫度控制

3. 應(yīng)用范圍：

高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅 和 二氧化硅 用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途

用于高亮度LED 生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕