1 產(chǎn)品概述:

   物理氣相沉積（PVD）平臺(tái)是一種在真空環(huán)境中，通過(guò)物理方法將固體或液體材料源表面氣化成氣態(tài)原子、分子或離子，并沉積在基體表面形成具有特定功能的薄膜的設(shè)備。PVD平臺(tái)通常包括真空系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、氣體控制系統(tǒng)、沉積室、基體支撐及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等部分。AE物理氣相沉積平臺(tái)可能集成了這些關(guān)鍵技術(shù)組件，以提供高效、精確的薄膜沉積解決方案。

2 設(shè)備用途：

  AE物理氣相沉積平臺(tái)的主要用途包括：

1. 表面改性：通過(guò)沉積耐磨、耐腐蝕、導(dǎo)電、絕緣、潤(rùn)滑等特性的薄膜，改善基體材料的表面性能。

2. 功能薄膜制備：制備具有光導(dǎo)、壓電、磁性、超導(dǎo)等功能的薄膜，應(yīng)用于電子、光學(xué)、傳感器等領(lǐng)域。

3. 裝飾和保護(hù)：在高檔手表、珠寶、建筑材料等表面沉積金屬或合金薄膜，提供美觀和防腐蝕保護(hù)。

4. 微納加工：在微電子、半導(dǎo)體、納米技術(shù)等領(lǐng)域，制備高精度、高質(zhì)量的薄膜結(jié)構(gòu)。

3 設(shè)備特點(diǎn)

  高精度和均勻性：通過(guò)精確控制沉積參數(shù)，如溫度、壓力、氣體流量等，實(shí)現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性沉積。

  多功能性：支持多種PVD技術(shù)，如真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜等，滿足不同應(yīng)用需求。

  環(huán)保和節(jié)能：在真空環(huán)境中進(jìn)行沉積，減少環(huán)境污染；采用高效能源利用技術(shù)，降低能耗。

  自動(dòng)化和智能化：集成計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化操作和智能化監(jiān)控，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

Angstrom Engineering 的 Amod PVD 平臺(tái)是一款物理氣相沉積系統(tǒng)，以下是其一些技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用：
技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn)：

• 尺寸：可生產(chǎn)100-1200mm基板。

• 鍍膜源：濺射（射頻、直流、脈沖直流、HIPIMS和反應(yīng)式）、熱蒸發(fā)（使用各種舟形、絲狀和坩堝加熱器）、電子束蒸發(fā)（提供多種源功率和電源選項(xiàng)）。

• 等離子和離子束處理：使用一系列離子源進(jìn)行清洗和薄膜增強(qiáng)，包括輝光放電等離子清洗。

緊湊的 600 mm x 1000 mm 系統(tǒng)占用空間。渦輪分子泵提供高真空。QCM傳感器經(jīng)過(guò)精心隔離，以確保不會(huì)受到相鄰源材料的干擾。包括全系統(tǒng)培訓(xùn)。
特征基于配方的高多層控制。順序沉積或共同沉積。夾具支持高達(dá) 100mm x 100mm 的基材。準(zhǔn)備進(jìn)行手套箱集成。源配置可輕松安裝大 100 mm x 100 mm 的基板尺寸。腔室可容納 2 或 4 個(gè)熱阻源。