SEM3200 通用型鎢燈絲掃描電子顯微鏡
- 公司名稱 青島森納瑞精密儀器有限公司
- 品牌 國儀量子
- 型號 SEM3200
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2024/9/10 21:49:28
- 訪問次數(shù) 966
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專業(yè)經(jīng)營三坐標、數(shù)字投影儀、輪廓測量儀、影像儀、測長儀、三維測量系統(tǒng)、粗糙度測量儀、工業(yè)CT等各類檢測儀器、蔡司工業(yè)顯微鏡、日本三豐儀器設(shè)備的商貿(mào)企業(yè)。
產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 儀器種類 | 熱場發(fā)射 |
---|---|---|---|
應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
產(chǎn)品特點(*為選配件)
低電壓
碳材料樣品,低電壓下,穿透深度較小,可以獲取樣品表面真實形貌,細節(jié)更豐富。
毛發(fā)樣品,在低電壓下,電子束輻照損傷減小,同時消除了荷電效應(yīng)。
低真空
過濾纖維管材料,導(dǎo)電性差,在高真空下荷電明顯,在低真空下,無需鍍膜即可實現(xiàn)對不導(dǎo)電樣品的直接觀察。
大視場
生物樣品,采用大視場觀察,能夠輕松獲得瓢蟲整體形貌及頭部結(jié)構(gòu)細節(jié),展現(xiàn)跨尺度分析。
導(dǎo)航&防碰撞
光學導(dǎo)航
想看哪里點哪里,導(dǎo)航更輕松
標配倉內(nèi)攝像頭,可拍攝高清樣品臺照片,快速定位樣品。
手勢快捷導(dǎo)航
可通過雙擊移動、鼠標中鍵拖動、框選放大,進行快捷導(dǎo)航
如框選放大:在低倍導(dǎo)航下,獲得樣品的大視野情況,可快速框選您感興趣的樣品區(qū)域,提高工作效率。
防碰撞技術(shù)
采取多維度的防碰撞方案:
1. 手動輸入樣品高度,精準控制樣品與物鏡下端距離,防止發(fā)生碰撞;
2. 基于圖像識別和動態(tài)捕捉技術(shù),運動過程中對倉內(nèi)的畫面進行實時監(jiān)測;
3. 硬件防碰撞,可在碰撞一瞬間停止電機,減少碰撞損傷。(*SEM3200A需選配此功能)
特色功能
智能輔助消像散
直觀反映整個視野的像散程度,通過鼠標點擊清晰處,可快速調(diào)節(jié)像散至最佳。
自動聚焦
一鍵聚焦,快速成像。
自動消像散
一鍵消像散,提高工作效率。
自動亮度對比度
一鍵自動亮度對比度,調(diào)出灰度合適圖像。
多種信息同時成像
SEM3200軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像。可同時觀察到樣品的形貌信息和
成分信息。
快速圖像旋轉(zhuǎn)
拖動一條線,圖像立刻“擺正角度”。
豐富拓展性
掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察,更可以進行樣品表面的微區(qū)成分分析。
SEM3200接口豐富,除支持常規(guī)的二次電子探測器(ETD)、背散射電子探測器(BSED)、X射線能譜儀(EDS)外,也預(yù)留了諸多接口,如電子背散射衍射(EBSD)、陰極射線(CL)等探測器都可以在SEM3200上進行集成。
背散射電子探測器
二次電子成像和背散射電子成像對比
背散射電子成像模式下,荷電效應(yīng)明顯減弱,并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。
鍍層樣品:
鎢鋼合金樣品:
四分割背散射電子探測器——多通道成像
探測器設(shè)計精巧,靈敏度高,采用4分割設(shè)計,無需傾斜樣品,可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。
四個單通道的陰影像
成分像
能譜
LED小燈珠能譜面分析結(jié)果。
電子背散射衍射
鎢燈絲電鏡束流大,滿足高分辨EBSD的測試需求,能夠?qū)饘佟⑻沾?、礦物等多晶材料進行晶體取向標定以及晶粒度大小等分析。
該圖為Ni金屬標樣的EBSD反極圖,能夠識別晶粒大小和取向,判斷晶界和孿晶,對材料組織結(jié)構(gòu)進行精確判斷。
應(yīng)用案例
普通芯片-1
普通芯片-2
負極-碳
負極-碳包硅
正極-鈷酸鋰
正極-錳酸鋰
太陽能電池-1
太陽能電池-2
高分子泡沫
催化劑-MOF材料
2A12鋁合金析出相
Mg-Zn合金化合物層
不銹鋼-黃銅焊接件
鈦合金基體組織
合金斷口脆性+韌性
韌性斷口
鋼鐵夾雜物BSE
鋼鐵夾雜物SE
硅藻-1
硅藻-2
雞葡萄球菌-1
雞葡萄球菌-2
大米
糯米淀粉顆粒-1
糯米淀粉顆粒-2
受潮鹽顆粒
粉體-鈦酸鋇
粉體-liusuan鎂
粉體-氧化鋁
過濾功能材料
巖石
納米材料-二氧化硅微球
SiC陶瓷BSE
SiC陶瓷SE
陶瓷復(fù)合材料
產(chǎn)品參數(shù)
型號 | SEM3200A | SEM3200 | ||
---|---|---|---|---|
電子光學系統(tǒng) | 電子槍類型 | 預(yù)對中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍 | ||
分辨率 | 高真空 | 3 nm @ 30 kV(SE) | ||
4 nm @ 30 kV(BSE) | ||||
8 nm @ 3 kV(SE) | ||||
*低真空 | 3 nm @ 30 kV(SE) | |||
放大倍率 | 1-300,000x(底片倍率) | |||
1-1000,000x(屏幕倍) | ||||
加速電壓 | 0.2 kV~30 kV | |||
成像系統(tǒng) | 探測器 | 二次電子探測器(ETD) | ||
*背散射電子探測器、*低真空二次電子探測器、*能譜儀EDS等 | ||||
圖像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |||
真空系統(tǒng) | 真空模式 | 高真空 | 優(yōu)于5×10-4 Pa | |
*低真空 | 5~1000 Pa | |||
控制方式 | 全自動控制 | |||
樣品室 | 攝像頭 | 光學導(dǎo)航 | ||
樣品倉內(nèi)監(jiān)控 | ||||
樣品臺配置 | 三軸自動 | 五軸自動 | ||
行程 | X: 120 mm | X: 120 mm | ||
Y: 115 mm | Y: 115 mm | |||
Z: 50 mm | Z: 50 mm | |||
/ | R: 360° | |||
/ | T: -10°~ +90° | |||
軟件 | 語言 | 中文 | ||
操作系統(tǒng) | Windows | |||
導(dǎo)航 | 光學導(dǎo)航、手勢快速導(dǎo)航 | |||
自動功能 | 自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散 | |||
特色功能 | 智能輔助消像散、*大圖拼接(選配軟件) | |||
安裝要求 | 房間 | 長 ≥ 3000 mm,寬 ≥ 4000 mm,高 ≥ 2300 mm | ||
溫度 | 20 ℃~25 ℃ | |||
濕度 | ≤ 50 % | |||
電氣參數(shù) | 電源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kVA |