PICOSUN™ P-300系統(tǒng)已經(jīng)成為高產(chǎn)能ALD制造業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。擁有的熱壁、*獨(dú)立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計(jì)， 確保我們可以生產(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和的電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì)量ALD薄膜。高效緊湊的設(shè)計(jì)使得維護(hù)更加方便、快捷， 最大限度的減少了系統(tǒng)的維護(hù)停工期和使用成本。擁有專(zhuān)技術(shù)的Picoflow™使得在超高深寬比結(jié)構(gòu)上沉積保形性薄膜更高效， 并已在生產(chǎn)線(xiàn)上得到驗(yàn)證。
 

PICOSUN™ P-300F系統(tǒng)代表了工業(yè)化ALD工藝。這個(gè)系統(tǒng)是為全自動(dòng)的批量生產(chǎn)而設(shè)計(jì)， 并與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化的單片晶圓真空集群平臺(tái)相結(jié)合。 P-300F系統(tǒng)通過(guò)SEMI S2/S8認(rèn)證，可以通過(guò)SECS/GEM整合到自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)上。
 

The PICOSUN™ P-300F是IC行業(yè)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)行業(yè)的選ALD系統(tǒng)！
 

襯底尺寸和類(lèi)型

•    200 mm 晶圓 50片/批次

•     150 mm 晶圓 50片/批次

•    100 mm 晶圓 50片/批次

•    高深寬比基底（最大深寬比1:2500）

•    基底材料： Si,玻璃，石英， SiC,GaN, GaAs, LiNbO3, LiTaO3, InP

工藝溫度和產(chǎn)率

•    50 – 300°C

•    最高達(dá)到1000片/24h@15nm Al2O3薄膜

•    批量生產(chǎn)的平均工藝時(shí)間小于10秒/循環(huán)*

•    Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各種金屬

•     同一批次薄膜不均勻性<1% 1σ

(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**

基片裝載

•    全自動(dòng)裝載， 帶垂直翻轉(zhuǎn)功能的真空集群設(shè)備

•    通過(guò)Picoplatform™ 200 真空集群系統(tǒng)進(jìn)行盒 對(duì)盒批量裝載

•    可選SMIF配置

前驅(qū)體

•    液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源

•    源瓶余量傳感器， 提供清洗和裝源服務(wù)

•    6根獨(dú)立源管線(xiàn)， 最多加載12個(gè)前驅(qū)體源