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磁控濺射 PC-002 磁控濺射鍍膜機(jī)
- 公司名稱 鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) 磁控濺射 PC-002
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2023/11/1 15:29:17
- 訪問次數(shù) 422
磁控濺射儀廠家磁控濺射鍍膜機(jī)廠家磁控濺射儀報(bào)價(jià)多功能磁控濺射磁控濺射鍍膜機(jī)供應(yīng)商
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
磁控濺射鍍膜機(jī)(高真空磁控濺射儀)是用磁控濺射的方法,制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等;適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜;可鍍制磁性材料和非磁性材料。
磁控濺射鍍膜機(jī)(高真空磁控濺射儀)-設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)
秉承設(shè)備為工藝實(shí)現(xiàn)提供實(shí)現(xiàn)手段的理念,我們做了如下設(shè)計(jì)和工程實(shí)現(xiàn),實(shí)際運(yùn)行效果良好,為用戶的專用工藝實(shí)現(xiàn)提供了精準(zhǔn)的工藝設(shè)備方案。
靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理
-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的,如果做不到面接觸,接觸電阻將增大,導(dǎo)致離化電場(chǎng)的幅值不夠(接觸電阻增大,接觸面的電場(chǎng)分壓增大),導(dǎo)致鍍膜效果不好;電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫,降低鍍膜質(zhì)量。
-靶材和靶面接觸不良,導(dǎo)致水冷效果不好,降低鍍膜質(zhì)量。
-增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì),保證面接觸。
距離可調(diào)整
基片和靶材之間的距離可調(diào)整,以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。
角度可調(diào)
磁控濺射靶頭可調(diào)角度,以便針對(duì)不同尺寸基片的均勻性,做精準(zhǔn)調(diào)控。
集成一體化柜式結(jié)構(gòu)
一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn):
安全性好(操作者不會(huì)觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件)
占地面積小,尺寸約為:長1100mm×寬780mm(標(biāo)準(zhǔn)辦公室門是800mm寬)(傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm),相同面積的工作場(chǎng)地,可以放兩臺(tái)設(shè)備。
控制系統(tǒng)
采用計(jì)算機(jī)+PLC兩級(jí)控制系統(tǒng)
安全性
-電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)
-設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能
-溫度檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)
-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測(cè)和流量
-檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)
勻氣技術(shù)
工藝氣體采用勻氣技術(shù),氣場(chǎng)更均勻,鍍膜更均勻。
基片加熱技術(shù)
采用鎧裝加熱絲,由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi),所以高溫加熱過程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì),保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里,保證溫常的均勻,然后再對(duì)基片加熱。
真空度更高、抽速更快
真空室內(nèi)外,全部電化學(xué)拋光,*去除表面微觀毛刺叢林(在顯微鏡下可見),沒有微觀藏污納垢的地方,腔體內(nèi)表面積減少一倍以上,鍍膜更純凈,真空度更高,抽速更快。
設(shè)備詳情
設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能
1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室+進(jìn)樣室、鍍膜室+手套箱
2、磁控濺射靶數(shù)量及類型:1 ~ 6 靶,圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置:由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝
3、靶的安裝位置:由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝
4、磁控濺射靶:射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容
5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱
6、通入反應(yīng)氣體,可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜7、操作方式:手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)
7、樣品傳遞采用折疊式超高真空機(jī)械手
工作條件
類型 | 參數(shù) | 備注 |
---|---|---|
供電 | ~ 380V | 三相五線制 |
功率 | 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置 | |
冷卻水循環(huán) | 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置 | |
水壓 | 1.5 ~ 2.5×10^5Pa | |
制冷量 | 根據(jù)扇熱量配置 | |
水溫 | 18~25℃ | |
氣動(dòng)部件供氣壓力 | 0.5~0.7MPa | |
質(zhì)量流量控制器供氣壓力 | 0.05~0.2MPa | |
工作環(huán)境溫度 | 10℃~40℃ | |
工作濕度 | ≤50% |
設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
-基片托架:根據(jù)供件大小配置。
-基片加熱器溫度:根據(jù)用戶供應(yīng)要求配置,溫度可用電腦編程控制,可控可調(diào)。
-基片架公轉(zhuǎn)速度 :2 ~100 轉(zhuǎn) / 分鐘,可控可調(diào);基片自轉(zhuǎn)速度:2 ~20 轉(zhuǎn) / 分鐘。
-基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。
-靶面到基片距離: 30 ~ 140mm 可調(diào)。
-Φ2 ~Φ4 英寸平面圓形靶 2 ~ 3 支,配氣動(dòng)靶控板,靶可擺頭調(diào)角度。
-鍍膜室的極限真空:6X10^-5Pa,恢復(fù)工作背景真空 7X10^-4Pa ,30 分鐘左右(新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?/p>
-設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī) 12 小時(shí)真空度≤10Pa。
1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7