這款III族氮化物分子束外延系統(tǒng)專業(yè)為A3N材料生長設計的MBE設備,適合氨氣高溫下制備生長A3N半導體材料,提供非常廣泛的可用生長參數(shù)（有效氮通量、襯底溫度、生長過程中的真空度）。III族氮化物分子束外延系統(tǒng)設計在襯底上提供*的溫度（>1200℃）以及在長生長周期中加熱階段的可靠工作。利用氨作為活性氮源，可以生長出高質量、厚的AlN/AlGaN緩沖層。這項技術的結果是生長出位錯密度極低的活性層，為分子束外延（MBE）創(chuàng)造了記錄。
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)系列有兩種（STE3N2）和三種（STE3N3）基本類型，配備有緩沖準備室。除了NH3注入器外，III族氮化物分子束外延系統(tǒng)還可能配備氮等離子體源（可選），用于生長InGaN、InAlN和InAlN的活性層藻類：MgIn與氨水混合。
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)采用襯底支架和生長操縱器的加熱臺的patent設計，用于III氮化物生長的所有類型襯底（藍寶石、SiC、Si、AlN）提供了非常高的加熱均勻性。允許最大襯底直徑100mm,用于基礎和應用研發(fā)以及基于III型氮化物的高質量外延片的試生產。

III族氮化物分子束外延系統(tǒng)主要特點：
•特殊的先進設計和經批準的生長反應器，在NH3環(huán)境和jiduan基質溫度下提供關鍵系統(tǒng)組件的長期可靠運行
•超大液氮冷凍板，用于有效的氨氣泵送，在高NH3負荷下提供連續(xù)生長
•patent鋁源，特殊設計，延長使用壽命，在氨氣環(huán)境下提供超過2μm/h的AlN生長速率，無金屬蠕變
•能夠生長質量與在不匹配襯底上生長的MOCVD層相當?shù)?/span>GaN外延層
•在系統(tǒng)基本配置中對生長過程進行現(xiàn)場監(jiān)測的所有必要工具
•獲得patent的基板支架設計，在整個晶圓上提供高溫均勻性
•高溫生長操縱器，在不低于1200°С的生長溫度下提供高質量AlN層的連續(xù)生長
•在210-135 mm范圍內改變“源-基”距離的能力，以使用不同類型的電池和晶片OD優(yōu)化均勻性
•STE3N2雙腔型緊湊型“封裝外形”
•安裝期間的有效技術支持，包括基本工藝轉移
•簡單的系統(tǒng)操作和定期的技術維護
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)主要選項：
•準備室，帶有用于基板支架（7個）和脫氣臺的存儲盒，原子氫源專用端口
•額外的滲出細胞（5、15、25、35、60 cc的坩堝）
•附加PID調節(jié)器電源單元
•射頻等離子體氮源，帶有帶MFC的氮氣供應管線
•SiH4氣體噴射器和帶MFC的氣體供應管線
•Bayard-Alpert型束流監(jiān)測器（BFM）
•在渦輪泵中提供額外的原子基底，以及分子泵制備
•帶電源裝置的鈦升華泵
•額外的基板支架，包括用于非標準尺寸樣品的適配器
•系統(tǒng)運行的起始材料（Ga、Al、In、NH3、N2、Si、Mg、鈦金屬化藍寶石晶片等）
•基于相分離器的液氮供應系統(tǒng)
•額外的備件和附件套件
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)參數(shù)：