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CVD鍍膜系統(tǒng)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng) 武漢賽斯特精密儀器有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024/10/11 14:11:14
  • 訪問(wèn)次數(shù) 423

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  武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專(zhuān)業(yè)研發(fā),以力學(xué)試驗(yàn)機(jī)儀器為主,同時(shí)銷(xiāo)售各種、中低端分析儀器?,F(xiàn)有員工60多人,公司成功開(kāi)發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗(yàn)軟件,并采用全數(shù)字化,操作簡(jiǎn)捷,*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求,公司亦通過(guò)了ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證和國(guó)家計(jì)量體系認(rèn)證,榮獲了“武漢市第九界消費(fèi)者滿(mǎn)意單位”的稱(chēng)號(hào)。
  產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子、高校、政府研究機(jī)構(gòu)、環(huán)保機(jī)構(gòu)、石油化工、紡織制造、第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)、*別研究院、新能源、集成電路、芯片、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體行業(yè)、顯示器領(lǐng)域、光電材料、鋰電池、機(jī)械生產(chǎn)等領(lǐng)域。并與武漢理工大學(xué)、華中科技大學(xué)等建立了長(zhǎng)期合作,每年投入大量研究經(jīng)費(fèi),招攬各方優(yōu)秀的技術(shù)人才加盟突破國(guó)內(nèi)技術(shù)壁壘,不斷攻克新的技術(shù)難題,另外公司還積極拓展海外業(yè)務(wù),產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)越南,印度,埃及等國(guó)家和地區(qū)。
  本著“專(zhuān)業(yè)品質(zhì),專(zhuān)業(yè)服務(wù)”為宗旨,以“科技、品質(zhì)、競(jìng)爭(zhēng)、創(chuàng)新”為理念,通過(guò)不斷汲取新的技術(shù),新的理念,繼續(xù)開(kāi)發(fā)研制新產(chǎn)品,并為廣大客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)的售前,售中,售后服務(wù)。熱烈歡迎廣大新老朋友業(yè)函,來(lái)電,蒞臨我公司參觀指導(dǎo)!


 

實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)儀器,測(cè)試儀器設(shè)備等

產(chǎn)地類(lèi)別 國(guó)產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 化工

CVD鍍膜系統(tǒng)的知識(shí)介紹:

現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)到可使用等離子體

從小晶片到200mm大晶片

適用于學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)、研發(fā)的熱和/或等離子體化學(xué)產(chǎn)品,可用于:

氧化物:HfO2,Al2O3,TiO2,SiO2,ZnO,Ta2O5

氮化物:TiN,Si3N4

金屬:Ru,Pt

ALD應(yīng)用舉例:

納米電子學(xué)

高k柵極氧化物

存儲(chǔ)電容器絕緣層-銅連線(xiàn)間的高縱橫比擴(kuò)散勢(shì)壘區(qū)

有機(jī)發(fā)光二極管和聚合物的無(wú)針孔鈍化層

鈍化晶體硅太陽(yáng)能電池

應(yīng)用于微流體和MEMS的高保形涂層

納米孔結(jié)構(gòu)的涂層

生物微機(jī)電系統(tǒng)

燃料電池

直觀性強(qiáng)的的軟件提高性能

使用與牛津儀器的值得信賴(lài)的Plasmalab®產(chǎn)品家族相同的軟件平臺(tái),OpAL的程序驅(qū)動(dòng)、多用戶(hù)級(jí)別、PC2000TM控制的軟件易于操作且可為快速ALD做相應(yīng)修改。

CVD鍍膜系統(tǒng)向世界范圍內(nèi)的生產(chǎn)商和研發(fā)者提供沉積工藝解決方案的經(jīng)驗(yàn)為我們提供了世界上強(qiáng)大沉積工藝庫(kù)和沉積工藝能力。以下是牛津儀器等離子技術(shù)可以提供的一些沉積工藝的一個(gè)范例。討論您的特定需求,我們專(zhuān)業(yè)的銷(xiāo)售和應(yīng)用工作人員將很高興幫助您選擇合適的沉積工藝和工具,以滿(mǎn)足您的需求。

電介質(zhì)

沉積SiO2—沉積二氧化硅

沉積SiN—沉積氮化硅

二氧化硅(SiO2)的反應(yīng)離子束濺射沉積(RIBD)技術(shù)

金屬氮化物

沉積HfN—沉積氮化鉿(遠(yuǎn)程等離子體*輔助)

金屬氧化物

沉積Al2O3-沉積三氧化二鋁

高品質(zhì)光學(xué)鍍膜:二氧化硅,五氧化二鉭

二氧化鉿反應(yīng)離子束沉積(HfO2 RIBD)

沉積La2O3—沉積氧化鑭

離子束沉積VaO( 5-x )--沉積氧化釩Deposition

ZnO ALD(單熱型)—沉積氧化鋅原子層

沉積ITO—沉積銦錫氧化物—磁控濺射

金屬

濺射沉積Al—濺射沉積鋁

沉積Ru—沉積釕

其他

沉積a-Si—沉積非晶硅(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和化學(xué)氣相沉積SiGe—沉積鍺硅

沉積PolySi—沉積多晶硅

沉積SiC—沉積碳化硅

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積DLC—沉積類(lèi)金剛石膜




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