成都晶威科技有限公司的鈍化離子注入平面硅PIPS探測(cè)器是現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝產(chǎn)品。在大多數(shù)應(yīng)用中，這種探測(cè)器已經(jīng)取代了硅表面位壘探測(cè)器(SSB)器和擴(kuò)散結(jié)型探測(cè)器(DJ)。

   PIPS探測(cè)器與硅表面位壘探測(cè)器(SSB)和擴(kuò)散結(jié)型探測(cè)器(DJ)類(lèi)型相比，PIPS探測(cè)器具有很多優(yōu)勢(shì)：

1. 所有結(jié)構(gòu)邊緣均埋置在內(nèi)部-不需要使用環(huán)氧封邊劑。
   1. 為了獲得更好的能量分辨率，連接觸點(diǎn)通過(guò)離子注入精確形成的，且更薄。
2. 入射窗堅(jiān)固耐用，可方便清洗擦拭。
   1. 漏電流一般為硅表面位壘探測(cè)器(SSB)和擴(kuò)散結(jié)型探測(cè)器(DJ)的1/8到1/100。
   2. 入射窗(死層)厚度小于相應(yīng)的硅表面位壘探測(cè)器(SSB)或擴(kuò)散結(jié)型探測(cè)器(DJ)。

6.標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器可烘烤至100℃。

1. 探測(cè)器采用平面工藝,利用光刻技術(shù)來(lái)確定探測(cè)器的幾何形狀。通過(guò)精確控制氧化物鈍化，離子注入用于控制形成精確的連接,這對(duì)于低反向漏電流和更薄的入射窗是非常必要的。光刻技術(shù)適用于任何直徑為80mm的幾何圖形。
2. PIPS探測(cè)器與硅表面位壘探測(cè)器(SSB)不同的是,硅表面位壘探測(cè)器(SSB)的原始結(jié)邊是環(huán)氧樹(shù)脂密封的,以達(dá)到某種程度的穩(wěn)定性，而PIPS探測(cè)器的結(jié)構(gòu)邊緣都埋在探測(cè)器內(nèi)部。通過(guò)改變封裝結(jié)構(gòu)形式有三個(gè)主要優(yōu)點(diǎn):1)PIPS探測(cè)器的穩(wěn)定性不依賴(lài)于環(huán)氧密封膠;2)微等離子體擊穿的風(fēng)險(xiǎn)很小,不會(huì)對(duì)PIPS探測(cè)器造成影響;3)漏電流僅為硅表面位壘探測(cè)器(SSB)或擴(kuò)散結(jié)型探測(cè)器(DJ)的一小部分。