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NanoFrazor Explore 3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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  • 我們是誰

    美國Quantum Design公司是科學(xué)儀器制造商,其研發(fā)生產(chǎn)的系列磁學(xué)測量系統(tǒng)及綜合物性測量系統(tǒng)已成為業(yè)內(nèi)進(jìn)的測量平臺,廣泛分布于全球材料、物理、化學(xué)、納米等研究域的科研實(shí)驗(yàn)室。Quantum量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司(暨Quantum Design中國子公司) 成立于2004年,是美國Quantum Design公司設(shè)立的諸多子公司之,在全權(quán)負(fù)責(zé)美國Quantum Design公司本部產(chǎn)品在中國的銷售及售后技術(shù)支持的同時(shí),還致力于和范圍內(nèi)物理、化學(xué)、生物域的科學(xué)儀器制造商進(jìn)行密切合作,幫助中國市場引進(jìn)更多全球范圍內(nèi)的質(zhì)設(shè)備和技術(shù),助力中國科學(xué)家的項(xiàng)目研究和發(fā)展。

  • 我們的理念

    Quantum Design中國的長期目標(biāo)是成為中國與進(jìn)行進(jìn)技術(shù)、進(jìn)儀器交流的重要橋頭堡。助力中國科技發(fā)展的十幾年中,Quantum Design中國時(shí)刻保持著積進(jìn)取、不忘初心、精益求精的態(tài)度,為中國科學(xué)家提供更質(zhì)的科學(xué)和技術(shù)支持。隨著中國科學(xué)在舞臺變得愈加舉足輕重,Quantum Design中國將繼續(xù)秉承“For Scientist, By Scientist”的理念,助力中國科技蓬勃發(fā)展,助力中國科技在騰飛!

  • 我們的團(tuán)隊(duì)

    Quantum Design中國擁有支具備強(qiáng)大技術(shù)背景、職業(yè)化工作作風(fēng)的團(tuán)隊(duì),并致力于培養(yǎng)并引進(jìn)更多博士業(yè)技術(shù)人才。目前公司業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)高學(xué)歷業(yè)碩博人才已占比超過70%以上,高水平人才的不斷加入和日益密切的團(tuán)隊(duì)配合幫助QD中國實(shí)現(xiàn)連續(xù)幾年銷售業(yè)績的持續(xù)增長

  • 我們的服務(wù)


  • Quantum Design中國擁有完善的本地化售前、售中和售后服務(wù)體系。國內(nèi)本地設(shè)有價(jià)值超過50萬美元的備件庫,用于加速售后服務(wù)響應(yīng)速度;同時(shí)設(shè)有超過300萬美元的樣機(jī)實(shí)驗(yàn)室,支持客戶對設(shè)備進(jìn)行進(jìn)步體驗(yàn)和深度了解。 “不僅提供超的產(chǎn)品,還提供超的售后服務(wù)”這將是Quantum Design中國區(qū)別于其他科研儀器供應(yīng)商的重要征,也正成為越來越多科學(xué)工作者選擇Quantum Design中國的重要原因。



PPMS,MPMS,低溫磁學(xué),表面成像,樣品制備,生命科學(xué)儀器

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 石油,電子,冶金,電氣,綜合

3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)-NanoFrazor Explore

納米光刻與微米光刻兼顧的聯(lián)合圖形化工藝方案

   NanoFrazor光刻技術(shù),衍生于IBM Research研發(fā)的熱掃描探針光刻技術(shù)——快速、準(zhǔn)確地控制納米針尖的移動(dòng)及溫度,用熱針尖實(shí)現(xiàn)對熱敏抗刻蝕劑的快速準(zhǔn)確刻寫,從而為納米制造提供了許多新穎的、*的可能性。

   3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)-NanoFrazor Explore以高速、精度和可靠性運(yùn)行,是目前所有掃描探針光刻技術(shù)中速度快、應(yīng)用廣泛的種。

   NanoFrazor Explore配備了進(jìn)的硬件和軟件,以較好地方式控制可加熱的NanoFrazor懸臂梁,以便進(jìn)行書寫和成像,實(shí)現(xiàn)基于閉環(huán)光刻技術(shù)的各種高精度圖案化工藝。2019年,Explore增配了激光直寫模塊,有效加快了征線寬在微米或亞微米水平的圖形的加工速度,成為納米光刻與微米光刻兼顧的聯(lián)合圖形化工藝方案。由此,在針對同抗刻蝕層的圖案化工藝中,實(shí)現(xiàn)了納米刻寫與微米刻寫的無縫銜接。從而可以根據(jù)不同的圖案征線寬,采用不同精度的刻寫技術(shù),兼顧精度與速度。

主要點(diǎn):

★  用加熱針尖直接刻寫圖案,分辨率于15 nm;

★  用激光熱揮發(fā)實(shí)現(xiàn)圖案化,分辨率于1 μm;

★  高速原位AFM輪廓成像;

★  樣品尺寸100×100 mm2;

★  閉環(huán)光刻;

★  灰度曝光,分辨率及精度達(dá)到2 nm;

★  用原位AFM實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的對準(zhǔn),從而實(shí)現(xiàn)無掩膜套刻及寫場拼接;

★  越的隔音及隔振性能;

★  無需潔凈間,亦無殊的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境要求


閉環(huán)光刻

NanoFrazor光刻系統(tǒng)是基于熱掃描探針光刻技術(shù),其核心部件是種可加熱的、非常尖銳的針尖,用此針尖可以直接進(jìn)行復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)的刻寫并且同時(shí)探測刻寫所得結(jié)構(gòu)的形貌。加熱的針尖通過熱作用,直接揮發(fā)局部的抗刻蝕劑,從而實(shí)現(xiàn)對各類高分辨納米結(jié)構(gòu)的制備。此外,NanoFrazor的光刻技術(shù)能夠與各類標(biāo)準(zhǔn)的圖形轉(zhuǎn)移方案(如lift-off、刻蝕)兼容,從而實(shí)現(xiàn)各類材料的圖形化制備。

“閉環(huán)光刻”技術(shù)確保圖形化工藝的高準(zhǔn)確

納米光刻與微米光刻兼顧的圖形化工藝方案

   自2019年開始,NanoFrazor Explore增配了激光直寫模塊,由此在保障納米分辨率圖案刻寫精度的同時(shí),大大提升了NanoFrazor Explore對微米分辨率圖形的刻寫速度。


激光刻寫

   基于激光的熱作用,以亞微米精度,快速、直接地?fù)]發(fā)抗刻蝕劑,從而實(shí)現(xiàn)大面積的圖案化工藝(例如微納結(jié)構(gòu)的引線或焊點(diǎn)圖形制備)。


熱探針直寫

   對于納米結(jié)構(gòu)或納米器件關(guān)鍵部分的高精度、高分辨率刻寫。

刻寫所得結(jié)構(gòu)的測量、觀測、對準(zhǔn)

   由于抗刻蝕劑直接揮發(fā),無須濕法顯影操作即可實(shí)現(xiàn)抗刻蝕劑的圖案化。在圖案化過程中,同根探針能夠原位、高速的對圖案化抗刻蝕劑進(jìn)行AFM成像和測試。

微米尺度及納米尺度的哈佛大學(xué)?;眨瑢PA刻蝕劑的刻蝕深度為30 nm,圖像由NanoFrazor Explore的探針進(jìn)行AFM成像獲得。(Courtesy of Harvard CNS)

設(shè)備型號

新產(chǎn)品發(fā)布:NEW??!

NanoFrazor Scholar —— 小面積直寫

   

  ■  3D納米直寫能力

        高直寫精度 (XY:高可達(dá)20nm, Z: 3nm)

        高速直寫 0.5 mm/s

  ■   無需顯影,實(shí)時(shí)觀察直寫效果

        形貌感知靈敏度0.1nm

        樣品無需標(biāo)記識別,多結(jié)構(gòu)套刻,對準(zhǔn)精度 50 nm

  ■   無臨近效應(yīng)

        高分辨,高密度納米結(jié)構(gòu)

  ■   無電子/離子損傷

        高性能二維材料器件

  ■   區(qū)域熱加工和化學(xué)反應(yīng)

        多元化納米結(jié)構(gòu)改性

  ■   小樣品臺

        30mm X 30mm

應(yīng)用案例

三維光子分子(3D PHOTONIC MOLECULES)

(Courtesy of IBM Research Zurich, publication in 2018)

單電子器件

Courtesy of IBM Research Zurich, publication in 2018

基于二維原子晶體的器件

(Courtesy of Prof. Elisa Riedo, NYU)

基于準(zhǔn)維納米材料的納米器件

(Courtesy of S. Karg & A. Knoll, IBM Research – Zurich)

基于布朗馬達(dá)的納米器件,可用于納米顆粒分類

(Courtesy of IBM Research, Publications in Science and PRL 2018)


已發(fā)表的文獻(xiàn)

● Wolf (JVST B 2015) Sub20nm Liftoff and Si Etch and InAs nanowire contacts

● Garcia (Nat Nano 2014) Advanced scanning probe lithography

● Rawlings (IEEE Nano 2014) Nanometer accurate markerless pattern overlay using thermal Scanning Probe Lithography

● Holzner (SPIE EMLC 2013) Thermal Probe Nanolithography

● Cheong (Nanoletters 2013) Thermal Probe Maskless Lithography for 27.5 nm Half-Pitch Si Technology

● Fei Ding (PhysRevB 2013) Vertical microcavities with high Q and strong lateral mode confinement

● Carrol (Langmuir 2013) Fabricating Nanoscale Chemical Gradients with ThermoChemical NanoLithography

● Paul (Nanotechnology 2012) Field stitching in thermal probe lithography by means of surface roughness correlation

● Kim (Advance Mat 2011) Direct Fabrication of Arbitrary-Shaped Ferroelectric Nanostructures on Plastic, Glass, and Silicon Substrates

● Holzner (APL 2011) High density multi-level recording for archival data preservation

● Holzner (Nanoletters 2011) Directed placement of gold nanorods using a removable template

● Paul (Nanotechnology 2011) Rapid turnaround scanning probe nanolithography

● Wang (Adv Funct Mat 2010) Thermochemical Nanolithography of Multifunctional Nanotemplates for Assembling Nano-Objects

● Wei and King (Science 2010)Nanoscale Tunable Reduction of Graphene Oxide for Graphene Electronics

● Pires (Science 2010) Nanoscale 3DPatterning of Molecular Resists by Scanning Probes

● Knoll (Adv Materials 2010) Probe-Based 3-D Nanolithography Using SAD Polymers

● Fenwick (Nat Nano 2009) Thermochemical nanopatterning of organic semiconductors

● Lee (Nanoletters 2009) Maskless Nanoscale Writing of Nanoparticle-Polymer Composites and Nanoparticle Assemblies using Thermal Nanoprobes

● Nelson (APL 2006) Direct deposition of continuous metal nanostructures by thermal dip-pe


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