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NanoFrazor Explore 3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)
- 公司名稱 QUANTUM量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 NanoFrazor Explore
- 產(chǎn)地 瑞士
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/4/18 9:49:14
- 訪問次數(shù) 4679
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 石油,電子,冶金,電氣,綜合 |
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3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)-NanoFrazor Explore
納米光刻與微米光刻兼顧的聯(lián)合圖形化工藝方案
NanoFrazor光刻技術(shù),衍生于IBM Research研發(fā)的熱掃描探針光刻技術(shù)——快速、準(zhǔn)確地控制納米針尖的移動(dòng)及溫度,用熱針尖實(shí)現(xiàn)對熱敏抗刻蝕劑的快速準(zhǔn)確刻寫,從而為納米制造提供了許多新穎的、*的可能性。
3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)-NanoFrazor Explore以高速、精度和可靠性運(yùn)行,是目前所有掃描探針光刻技術(shù)中速度快、應(yīng)用廣泛的種。
NanoFrazor Explore配備了進(jìn)的硬件和軟件,以較好地方式控制可加熱的NanoFrazor懸臂梁,以便進(jìn)行書寫和成像,實(shí)現(xiàn)基于閉環(huán)光刻技術(shù)的各種高精度圖案化工藝。2019年,Explore增配了激光直寫模塊,有效加快了征線寬在微米或亞微米水平的圖形的加工速度,成為納米光刻與微米光刻兼顧的聯(lián)合圖形化工藝方案。由此,在針對同抗刻蝕層的圖案化工藝中,實(shí)現(xiàn)了納米刻寫與微米刻寫的無縫銜接。從而可以根據(jù)不同的圖案征線寬,采用不同精度的刻寫技術(shù),兼顧精度與速度。
主要點(diǎn):
★ 用加熱針尖直接刻寫圖案,分辨率于15 nm;
★ 用激光熱揮發(fā)實(shí)現(xiàn)圖案化,分辨率于1 μm;
★ 高速原位AFM輪廓成像;
★ 樣品尺寸100×100 mm2;
★ 閉環(huán)光刻;
★ 灰度曝光,分辨率及精度達(dá)到2 nm;
★ 用原位AFM實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的對準(zhǔn),從而實(shí)現(xiàn)無掩膜套刻及寫場拼接;
★ 越的隔音及隔振性能;
★ 無需潔凈間,亦無殊的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境要求
閉環(huán)光刻
NanoFrazor光刻系統(tǒng)是基于熱掃描探針光刻技術(shù),其核心部件是種可加熱的、非常尖銳的針尖,用此針尖可以直接進(jìn)行復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)的刻寫并且同時(shí)探測刻寫所得結(jié)構(gòu)的形貌。加熱的針尖通過熱作用,直接揮發(fā)局部的抗刻蝕劑,從而實(shí)現(xiàn)對各類高分辨納米結(jié)構(gòu)的制備。此外,NanoFrazor的光刻技術(shù)能夠與各類標(biāo)準(zhǔn)的圖形轉(zhuǎn)移方案(如lift-off、刻蝕)兼容,從而實(shí)現(xiàn)各類材料的圖形化制備。
“閉環(huán)光刻”技術(shù)確保圖形化工藝的高準(zhǔn)確度
納米光刻與微米光刻兼顧的圖形化工藝方案
自2019年開始,NanoFrazor Explore增配了激光直寫模塊,由此在保障納米分辨率圖案刻寫精度的同時(shí),大大提升了NanoFrazor Explore對微米分辨率圖形的刻寫速度。
激光刻寫
基于激光的熱作用,以亞微米精度,快速、直接地?fù)]發(fā)抗刻蝕劑,從而實(shí)現(xiàn)大面積的圖案化工藝(例如微納結(jié)構(gòu)的引線或焊點(diǎn)圖形制備)。
熱探針直寫
對于納米結(jié)構(gòu)或納米器件關(guān)鍵部分的高精度、高分辨率刻寫。
刻寫所得結(jié)構(gòu)的測量、觀測、對準(zhǔn)
由于抗刻蝕劑直接揮發(fā),無須濕法顯影操作即可實(shí)現(xiàn)抗刻蝕劑的圖案化。在圖案化過程中,同根探針能夠原位、高速的對圖案化抗刻蝕劑進(jìn)行AFM成像和測試。
微米尺度及納米尺度的哈佛大學(xué)?;眨瑢PA刻蝕劑的刻蝕深度為30 nm,圖像由NanoFrazor Explore的探針進(jìn)行AFM成像獲得。(Courtesy of Harvard CNS)
設(shè)備型號
新產(chǎn)品發(fā)布:NEW??! | NanoFrazor Scholar —— 小面積直寫 |
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■ 3D納米直寫能力 高直寫精度 (XY:高可達(dá)20nm, Z: 3nm) 高速直寫 0.5 mm/s ■ 無需顯影,實(shí)時(shí)觀察直寫效果 形貌感知靈敏度0.1nm 樣品無需標(biāo)記識別,多結(jié)構(gòu)套刻,對準(zhǔn)精度 50 nm ■ 無臨近效應(yīng) 高分辨,高密度納米結(jié)構(gòu) ■ 無電子/離子損傷 高性能二維材料器件 ■ 區(qū)域熱加工和化學(xué)反應(yīng) 多元化納米結(jié)構(gòu)改性 ■ 小樣品臺 30mm X 30mm |
應(yīng)用案例
三維光子分子(3D PHOTONIC MOLECULES)
(Courtesy of IBM Research Zurich, publication in 2018)
單電子器件
Courtesy of IBM Research Zurich, publication in 2018
基于二維原子晶體的器件
(Courtesy of Prof. Elisa Riedo, NYU)
基于準(zhǔn)維納米材料的納米器件
(Courtesy of S. Karg & A. Knoll, IBM Research – Zurich)
基于布朗馬達(dá)的納米器件,可用于納米顆粒分類
(Courtesy of IBM Research, Publications in Science and PRL 2018)
已發(fā)表的文獻(xiàn)
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