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2025
03-122025
03-06測量介電常數(shù)的介質(zhì)諧振技術(shù)有哪些
介質(zhì)諧振技術(shù)中通常采用的是最一低的TE模。其原因在于,這種模式是最容易分辨的。下面我們介紹幾種不同的介質(zhì)諧振方法。介質(zhì)桿諧振技術(shù)介質(zhì)桿諧振技術(shù)(PostResonatorTechnique)最早是由Hakki和Coleman于1960年提出來的口。并且由Courtney于1970年完善成型,因此,這種技術(shù)也稱為Courtney諧振器技術(shù)。這種方法已經(jīng)被國際電工委員會(InternationalElectricalCommission,IEC)推薦為介電常數(shù)的標準之一。Courtney諧振器的結(jié)構(gòu)2025
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01-15影響電氣設(shè)備介質(zhì)損耗角正切的因素和結(jié)果分析
介質(zhì)損耗角正切(或稱介質(zhì)損耗因數(shù))通常用tanδ表示。測量tanδ值可以反映出絕緣介質(zhì)損耗的大小。良好絕緣的tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷,特別是存在氣隙,則tanδ將隨電壓的升高呈現(xiàn)明顯轉(zhuǎn)折,如圖所示。tanδ與電壓的關(guān)系曲線影響tanδ的因素1.溫度的影響溫度對tanδ的影響程度隨材料、結(jié)構(gòu)的不同而異。一般情況下,tanδ隨溫度上升而增加。為便于比較,應(yīng)將不同溫度下的tanδ值換算至20℃。應(yīng)當指出,由于被試品的溫度換算系數(shù)不是十分符合實際,換算后往往誤差較大。因此,盡量2025
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