AZX 400
用于薄膜評(píng)估的 X 射線熒光光譜儀
將 Be~U 中的所有元素(包括 B、C、N 和 O)包含在一個(gè)單元中,這些元素是重要的半導(dǎo)體材料
波長色散 X 射線熒光 (WDX) 光譜儀的**模型
WDX 具有高信噪比和高分辨率,使用可實(shí)現(xiàn)比能量色散 X 射線熒光 (EDX) 儀器更準(zhǔn)確的分析。 高功率 X 射線管和專用于超輕元素的光譜晶體可實(shí)現(xiàn)超輕元素測(cè)量,例如 B、C、N 和 O,這是 EDX 無法實(shí)現(xiàn)的。 此外,由于 Si 的影響,難以用 EDX 分析的 Al 超薄膜可以通過高分辨率的 WDX 清晰分離。

AZX 400 規(guī)格
產(chǎn)品名稱 | 阿茲 400 | |
---|---|---|
技術(shù) | 掃描波長色散 X 射線熒光光譜法 (WDXRF) | |
用 | 分析所有樣品的薄膜厚度和成分,例如 φ50 mm 至 φ300 mm 的晶圓、芯片、切割的晶圓等。 | |
科技 | 將 Be~U 中的所有元素(包括 B、C、N 和 O)包含在一個(gè)單元中,這些元素是重要的半導(dǎo)體材料 | |
主要組件 | 4 kW 封裝 X 射線管、掃描測(cè)角儀、初級(jí) X 射線濾光片、φ 30、20、10、1、0.5 mm 視場(chǎng)限制裝置 | |
選擇 | 晶圓加載器、SQX 軟件、CCD 相機(jī) | |
控制 (OC) | 外部 PC、MS Windows®作系統(tǒng)、同步涂層厚度成分分析標(biāo)準(zhǔn)軟件 | |
本體尺寸 | 1376 (W) x 1710 (H) x 890 (D) 毫米 | |
重量 | 約 800 kg(主機(jī)) | |
權(quán)力 | 三相 200 VAC 50/60 Hz,50A |
可以進(jìn)行超輕元素測(cè)量。
我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對(duì) B 的高靈敏度分析,B 用于通用存儲(chǔ)器和磁頭等磁性材料。 如果使用 FP 方法,也可以同時(shí)分析薄膜厚度和成分。
能夠分析超薄膜
在 MRAM 中的重要材料 MgO 薄膜中,可以高精度地區(qū)分 0.1 nm 的薄膜厚度差異。 未來,預(yù)計(jì)薄膜將變薄至約 0.5 nm,但 AZX 400 可用于充分分析。
多層薄膜分析
AZX 400 能夠使用 FP 方法對(duì)多達(dá) 10 層層壓薄膜進(jìn)行全層分析。 在 STT-MRAM 的情況下,除了 MgO 和 CoFeB 的重要膜外,還可以在單個(gè)配方中分析 Ta、Ru、PtMn 等。
使用靈敏度庫進(jìn)行無標(biāo)樣分析
對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)品制備困難的應(yīng)用,使用 SQX 軟件(可選)進(jìn)行半定量分析非常有用。 由于還考慮了晶圓分析的干涉衍射線的影響,并且可以選擇多個(gè)光譜,因此可分析的薄膜厚度比以前寬了一個(gè)數(shù)量級(jí)。
兼容各種樣品形狀,從大樣品到切割晶圓
使用大型樣品室可容納*大 φ400 mm × 50 (H) mm(*大重量 30 kg)的樣品尺寸。 適配器適用于各種樣品形狀。 從 300mm 晶圓的大型濺射靶材到切割晶圓,我們都可以用一個(gè)單元靈活地處理它們。
晶圓裝載機(jī)的自動(dòng)輸送(新)
從 300 mm FOUP 到 100 mm 開口包埋盒(可選)。 可以進(jìn)行全自動(dòng)分析,例如在夜間進(jìn)行分析,從而提高分析工作的效率。
配備 CCD 攝像頭,用于樣品觀察
CCD 相機(jī)(可選)可以測(cè)量對(duì)準(zhǔn)異物和圖案的點(diǎn)。 可以在查看圖像時(shí)設(shè)置*小直徑為 φ0.5 mm 的任何測(cè)量點(diǎn)。 面內(nèi)分布測(cè)量可在一次測(cè)量中執(zhí)行多達(dá) 999 個(gè)點(diǎn)。 結(jié)合高精度樣品臺(tái),可實(shí)現(xiàn) 0.1 mm 步長的分析。
由經(jīng)過驗(yàn)證的軟件提供支持
基于其他型號(hào)采用并已在數(shù)百臺(tái)設(shè)備上使用的軟件,它實(shí)現(xiàn)了多種用戶友好的功能。
SEMI 標(biāo)準(zhǔn)品收購
它是 SEMI 認(rèn)證的儀器,為**半導(dǎo)體制造應(yīng)用設(shè)定了標(biāo)準(zhǔn)。
AZX 400 應(yīng)用
?濺射靶材成分
和絕緣膜:SiO2、BPSG、PSG、AsSG、Si?N?、SiOF、SiON等
高介電常數(shù)和鐵電薄膜:PZT、BST、SBT、Ta?O?、HfSiOx
?金屬薄膜:Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni 等。
?電極薄膜:摻雜多晶硅(摻雜劑:B、N、O、P、As)、非晶硅、WSix、Pt 等。
其他摻雜薄膜(As、P)、捕獲惰性氣體(Ne、Ar、Kr 等)、C (DLC)、
鐵電薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR。 PCM、GST、GeTe
、焊點(diǎn)的組成:SnAg、SnAgCuNi
、MEMS:ZnO、AlN、PZT、SAW 器件的厚度和組成
工藝:AlN、ZnO、ZnS、SiO ?(壓電薄膜)的厚度和組成 Al、AlCu、AlSc、AlTi(電極膜)
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。