有些零部件需要從宏觀整體到微觀細(xì)節(jié)進(jìn)行顯微分析：從宏觀（>2毫米）到細(xì)觀（<2毫米到50微米），再到微觀（<50微米到1微米）

大多數(shù)情況下，生產(chǎn)過(guò)程中的顯微分析以及在線和隨機(jī)QC會(huì)直接在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行，以檢測(cè)產(chǎn)品是否存在任何缺陷或異常。在生產(chǎn)過(guò)程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)進(jìn)行快速檢查或篩選有助于確保產(chǎn)品符合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范。離線QC通常在生產(chǎn)活動(dòng)的各個(gè)階段進(jìn)行，但遠(yuǎn)離生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)，其目的是進(jìn)一步減少，甚至消除不符合特定規(guī)格的檢測(cè)產(chǎn)品。離線QC的頻率低于在線或隨機(jī)QC，而且通常需要對(duì)零部件進(jìn)行更為詳細(xì)的調(diào)查。

對(duì)于源自生產(chǎn)或服務(wù)階段的FA，以及原型設(shè)計(jì)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)（R&D），有時(shí)可能需要對(duì)零部件進(jìn)行快速檢查或深入分析?？焖贆z查或深入分析均可用于對(duì)故障進(jìn)行根本原因分析，或者在研發(fā)階段開(kāi)展原型研究。根本原因分析通常需要對(duì)一個(gè)或多個(gè)零部件或者連接進(jìn)行詳細(xì)評(píng)估，以清楚了解導(dǎo)致產(chǎn)品故障的原因。在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中，原型設(shè)計(jì)通常可以借助對(duì)零部件和連接進(jìn)行快速檢查或深入分析，實(shí)現(xiàn)優(yōu)化，從而驗(yàn)證產(chǎn)品性能，并且能以高效率的方式投入生產(chǎn)。

 

Emspira 3數(shù)碼顯微鏡有助于在線或隨機(jī)QC實(shí)現(xiàn)高效率的顯微分析、基礎(chǔ)分析和記錄，同時(shí)在宏觀到細(xì)觀（>2毫米到50微米）比例上實(shí)現(xiàn)FA和研發(fā)的快速檢查。

 

DVM6數(shù)碼顯微鏡可實(shí)現(xiàn)高效的顯微分析、詳細(xì)分析和記錄，以便在細(xì)觀到微觀（2毫米到1微米）比例上對(duì)FA和研發(fā)工作進(jìn)行離線QC和深入分析。

案例分析：

作為一個(gè)在線或隨機(jī)QC的潛在案例，使用徠卡數(shù)碼顯微鏡（如Emspira 3）記錄的硬盤部件圖像。此例中，我們可以看到硬盤磁碟或盤片讀寫頭和驅(qū)動(dòng)臂的示意圖。接著，通過(guò)輕松、快捷地增加變焦系數(shù)，可以記錄讀寫頭和驅(qū)動(dòng)臂的圖像，從而在較高放大倍率下呈現(xiàn)劃痕（缺陷）以供記錄。

較低放大倍率下硬盤讀寫頭和驅(qū)動(dòng)臂的圖像。

放大圖中的固定區(qū)域，以呈現(xiàn)同一硬盤讀寫頭和驅(qū)動(dòng)臂的更多細(xì)節(jié)。驅(qū)動(dòng)臂靠近頭部區(qū)域的金屬表面有劃痕（箭頭位置）。

對(duì)于離線QC期間的顯微分析，顯微鏡通常用于對(duì)零部件進(jìn)行更為詳細(xì)的檢查，這對(duì)于在線QC來(lái)說(shuō)不切實(shí)際或者沒(méi)有可能。作為離線QC的潛在案例之一，圖4顯示了硬盤底部的局部圖像，即PCB電路板的底面。使用DVM6顯微鏡拍攝的圖像，該顯微鏡配備一體式環(huán)形燈以及采用四分之一波片和浮雕對(duì)比法的同軸照明裝置。我們可以看到焊盤、跡線、通孔以及基板表面。硬盤PCB電路板底面的不同細(xì)節(jié)，例如劃痕、缺陷和污染，在其中一張圖像上有著更加清晰的顯示。正如硬盤PCB電路板所示，DVM6的一體式照明裝置和多種光學(xué)對(duì)比法確保用戶能夠觀察并記錄難以看到的零部件細(xì)節(jié)，而且更加高效，因?yàn)闊o(wú)需更改顯微鏡設(shè)置。