圖1：CIPOS Mini

CIPOS mini專為低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，它采用600V IGBT，適用于功率范圍在200W-3.3kW的應(yīng)用。我們?cè)跒殡姍C(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用選擇合適的開關(guān)技術(shù)時(shí)，需要考慮以下開關(guān)參數(shù)：

• 轉(zhuǎn)換效率

• 魯棒性

• 成本

在評(píng)估開關(guān)轉(zhuǎn)換效率時(shí)，考慮潛在的開關(guān)損耗至關(guān)重要，這包括：

• 導(dǎo)通損耗

• 開關(guān)損耗

• 二極管反向恢復(fù)損耗

MOSFET和IGBT在導(dǎo)通狀態(tài)下，都會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通損耗。

MOSFET的損耗是導(dǎo)通電阻（Rdson）引起的，導(dǎo)致導(dǎo)通期間出現(xiàn)壓降。該電阻隨著溫度的升高而增加，在高溫下會(huì)導(dǎo)致更高的損耗。

IGBT的導(dǎo)通損耗也是由器件導(dǎo)通（ON）時(shí)的壓降造成的，用參數(shù)Vce(sat)表示。相同電流密度下，它隨溫度的變化程度較低。

圖2比較了相同芯片尺寸的MOSFET（IP60R099C6）和IGBT（IRGP4063D）的壓降隨溫度的變化情況。

圖2：在相同電流密度下，兩個(gè)器件的導(dǎo)通壓降與溫度的關(guān)系

一般而言，MOSFET的開關(guān)速度比IGBT更快。

MOSFET屬于電壓控制器件，其開關(guān)速度取決于充放電柵極電容的時(shí)間。由于柵極電容較小，它可以更快地從導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)快速的充放電。

IGBT也屬于電壓控制器件，但它整合了MOSFET和雙極晶體管的特性。由于內(nèi)部存在雙極晶體管結(jié)構(gòu)，因此與MOSFET相比，IGBT的開關(guān)速度更慢。由于在開關(guān)過(guò)程中，IGBT需要克服內(nèi)部晶體管基極區(qū)存儲(chǔ)的電荷，這增加了開關(guān)過(guò)程的延遲。

MOSFET在其結(jié)構(gòu)中固有地包含一個(gè)內(nèi)置二極管，這一特性無(wú)法更改。與此相反，IGBT在其結(jié)構(gòu)中沒(méi)有集成二極管。英飛凌在其智能功率模塊中使用了快恢復(fù)二極管。通過(guò)超薄晶圓和場(chǎng)截止等先進(jìn)技術(shù)，發(fā)射極控制二極管適用于消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用，反向恢復(fù)過(guò)程平穩(wěn)，從而顯著降低IGBT的導(dǎo)通損耗。

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，所選開關(guān)器件的魯棒性發(fā)揮著重要作用。這需要評(píng)估系統(tǒng)短路期間的器件行為。

IGBT在典型的工作模式中，會(huì)在導(dǎo)通（ON）期間在飽和區(qū)內(nèi)工作；在短路時(shí)，集電極電流（Ic）激增，迅速?gòu)娘柡蛥^(qū)轉(zhuǎn)移到有源區(qū)。這種轉(zhuǎn)變會(huì)導(dǎo)致集電極電流受到自身的限制，而不受集電極-發(fā)射極電壓（Vce）的影響，因此，IGBT電流的增加及隨后的功耗是自動(dòng)受到限制的。

相比之下，MOSFET在正常導(dǎo)通（ON）期間，在線性區(qū)運(yùn)行；在短路時(shí)，MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)。與IGBT不同，MOSFET的線性區(qū)很廣。從線性區(qū)向飽和區(qū)的轉(zhuǎn)變，發(fā)生在較高的漏源電壓（Vds）水平下。隨著Vds值增加，漏極電流也增加。但由于Vds不斷升高，器件往往在抵達(dá)該轉(zhuǎn)變點(diǎn)之前，就發(fā)生故障。

這些固有特性將影響MOSFET短路保護(hù)機(jī)制的實(shí)現(xiàn)方式，因此，其設(shè)計(jì)與IGBT不同。

IGBT的這些特性使其更具魯棒性，因此，更適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

精簡(jiǎn)的IGBT生產(chǎn)流程比MOSFET更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)帶來(lái)了規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)，提高了基于IGBT的IPM的成本效益。