配備內(nèi)置集成全自動VPD功能

可進行從 Na 到 U 的超痕量分析。 VPD-TXRF 的檢測限 (LLD) 對于 Al 達到 108 水平，對于過渡金屬達到 106 水平。從 VPD 預(yù)處理到 TXRF 測量全自動。 它還具有斜角收集VPD功能。

采用1靶3光束方式

Rigaku的方法使用三種類型的光譜晶體來提取適合待測量元素的單色X射線束，并用它來激發(fā)污染物元素。 用于測量輕元素的W-Mα射線不會激發(fā)Si，因此可以分析Na、Mg和Al。從Na到U連續(xù)進行高精度自動分析。

通過消除衍射輻射，最大限度地減少散射輻射的影響

采用抑制高次反射的光學系統(tǒng)和 XY-θ 驅(qū)動臺，X 射線入射方向自動選擇功能消除了來自基板的衍射線，并可在散射線干擾最小的情況下實現(xiàn)高信噪比測量。 可以對整個晶圓表面進行精確且高精度的微量分析。

可將坐標與異物檢查坐標數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)

通過將異物檢查裝置的坐標數(shù)據(jù)導(dǎo)入TXRF裝置，可以分析存在顆粒的位置的污染元素。 滴水軌跡搜索功能采用算法，需要快速、準確的坐標。

高速晶圓內(nèi)污染篩查“Sweeping-TXRF功能"

可以使用Sweeping-TXRF方法，該方法使用直接TXRF方法在晶圓表面上進行高速測量，以揭示污染物元素的分布。 可以在短時間內(nèi)對整個晶圓表面進行污染分析，而這種分析無法通過表面內(nèi)的 5 或 9 個點等代表性坐標測量來捕獲。僅需50分鐘即可完成300mm晶圓整個表面5×10 10 個原子/cm 2污染的檢測。除了污染元素的分布外，還可以通過對整個表面的測量值進行積分來計算晶片表面內(nèi)的平均污染濃度。

邊緣排除 0mm 無損、非接觸式污染測量“ZEE-TXRF 功能"

我們實現(xiàn)了晶圓邊緣附近的高靈敏度測量，這是以前使用 TXRF 方法無法測量的。 現(xiàn)在可以使用 TXRF 對污染集中的邊緣區(qū)域進行污染分析。

晶圓背面全自動測量“BAC-TXRF功能"

EFEM內(nèi)部安裝了晶圓翻轉(zhuǎn)機器人，實現(xiàn)了300mm晶圓背面污染物的全自動無人測量。 與 ZEE-TXRF 功能結(jié)合使用時，可以對晶圓各部分進行全面的污染分析和評估。

SDSA點滴搜索功能

它配備了SDSA功能（Square Drop Search Algorism），可以快速準確地搜索VPD收集后受污染的干燥痕跡的位置坐標。

兼容 300mm 晶圓廠

Fab配備標準FOUP/SMIF接口，兼容300mm/200mm晶圓。 它還支持各種AMHS，并通過支持主機和SECS/GEM協(xié)議來支持CIM/FA。