電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

性能測(cè)試方法

介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)定電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料在頻率1MHz，溫度從室溫至500℃條件下的介質(zhì)損耗角正切值。

1、定義和測(cè)試原理：

陶瓷材料的介質(zhì)損耗角正切值(tan)是表示在某一頻率交流電壓作用下介質(zhì)損耗的參數(shù)。所謂介質(zhì)損耗即是單位時(shí)間內(nèi)消耗的電能。

由陶瓷材料制成的元器件，當(dāng)它工作時(shí)，交變電壓加在陶瓷介質(zhì)上，并通過(guò)交變電流，這時(shí)陶瓷介質(zhì)連同與其相聯(lián)系的金屬部分，可以看成有損耗的電容器，并可用一個(gè)理想電容器和一個(gè)純電阻器并聯(lián)或串聯(lián)的電路來(lái)等效，如圖1所示。電壓和電流的相位關(guān)系可用圖2表示。

2、試樣：

2.1  試樣應(yīng)符合GB  5593—85《電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料》的規(guī)定。

2.2  試樣應(yīng)進(jìn)行清洗干燥處理。

2.3  試樣在正常試驗(yàn)大氣條件下放置不少于24h。

3、測(cè)量?jī)x器和設(shè)備：

3.1  測(cè)量?jī)x器

可采用直讀式損耗表、高頻Q表、高頻電橋及高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x等儀器。測(cè)量回路的Q值應(yīng)大于200。

3.2  加熱爐

爐內(nèi)溫度應(yīng)均勻?？捎米詣?dòng)或手動(dòng)方式進(jìn)行控溫，控溫范圍為室溫至500℃。在控溫范圍內(nèi)任一個(gè)溫度值，在10min內(nèi)溫度波動(dòng)不大于±1℃。

3.3  夾具

可采用圖3所示的三種形式中的任一種夾具。圖3a為一對(duì)尖形電極，材料用彈性銅片鍍銀，厚0.6mm。用石英管或其他致密的高溫絕緣材料制成的絕緣子支承置于接地屏蔽盒內(nèi)。圖3b為一個(gè)尖形和一個(gè)平板形電極。圖3a為一對(duì)圓平板形電極，平板之間距離用百分表（可讀到0.01mm）顯示。圓平板直徑應(yīng)小于25mm。

3.4  連接線

連接線要盡量短，最好小于25cm，連接線為鍍銀銅片，寬10mm，厚0.6mm。連接線也可用屏蔽線。

4、測(cè)量方法：

可采用直按測(cè)量法和替代法兩種。當(dāng)采用直接測(cè)量法時(shí)，必須消除連接線和試樣夾具等分布參數(shù)的影響。

測(cè)量電路的分布參數(shù)可用圖4表示，圖中L_S、R_S為與試樣串聯(lián)的連接線、夾具等的等效電感及電阻，C_P、R_P為與試樣并聯(lián)的連接線、夾具等的等效電容及電阻。當(dāng)L_S、R_S很小，且可忽略時(shí)，或當(dāng)C_P <C_X，R_P>R_X時(shí)，試樣的介質(zhì)損耗角正切值可用下式計(jì)算：

A—測(cè)量?jī)x器；B—控溫加熱爐；C—夾具和試樣

注：當(dāng)采用平板形電極夾具時(shí)，在測(cè)量C₀時(shí)應(yīng)保持電極距離等于試樣厚度。

當(dāng)采用替代法時(shí)，由于在兩次測(cè)量中分布參數(shù)的影響已消除，故不必再對(duì)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行修正。

5、測(cè)量步驟：

5.1  按圖5連接測(cè)量?jī)x器和裝置

6、測(cè)量誤差：

當(dāng)采用上述原理、方法和步驟進(jìn)行測(cè)量時(shí)，由連接線和夾具引入的誤差很小，可以忽略。測(cè)量的總誤差取決于所選用的測(cè)量?jī)x器。

ZJD-B陶瓷介質(zhì)損耗角正切值測(cè)試儀

ZJD-C陶瓷介質(zhì)損耗角正切值測(cè)試儀