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Quattro SEM環(huán)境真空掃描電鏡為具有環(huán)境真空功能的靈活、多功能高分辨率掃描電鏡，可以將成像和分析全面性能與環(huán)境模式（ESEM）相結合，使得樣品研究得以在自然狀態(tài)下進行。
Quattro的場發(fā)射電子槍（FEG）確保了優(yōu)異的分辨率，通過不同的探測器選項，可以調節(jié)不同襯度信息，包括定向背散射、STEM和陰極熒光信息。來自多個多個探測器和探測器區(qū)分的圖像可以同步采集和顯示，使得單次掃描即可獲得樣品信息，從而降低電子束敏感樣品的束曝光并實現真正額動態(tài)試驗。Quattro的三種真空模式使得系統(tǒng)具有靈活性，可以容納廣泛的樣品類型，無論樣品導電、絕緣、潮濕或是在高溫條件下，均可獲得可靠的分析結果。Quattro*的硬件有用戶向導支持，不僅可以指導操作者，還可以直接進行交換，輕松縮短結果獲取時間。
金屬及合金、斷口、焊點、拋光斷面、磁性及超導材料
陶瓷、復合材料、塑料
薄膜/涂層
地質樣品斷面、礦物
軟材料：聚合物、藥物、濾膜、凝膠、生物組織、植物材料
顆粒、多孔材料、纖維
水合/脫水/濕潤/接觸角分析
結晶/相變
氧化/催化
材料生成
拉伸（伴隨加熱或冷卻）
發(fā)射源：高穩(wěn)定型肖特基場發(fā)射電子槍
分辨率：
| 型號 | Quattro C | Quattro S |
| 高真空 | ||
| 30kV（SE） | 1.0nm | |
| 1kV（SE） | 3.0nm | |
| 低真空 | ||
| 30kV（SE） | 1.3nm | |
| 3kV（SE） | 3.0nm | |
| 30kV（BSE） | 2.5nm | |
| 環(huán)境掃描模式 | ||
| 30kV（SE） | 1.3nm | |
放大倍率：6 ~ 2,500,000×
加速電壓范圍：200V ~ 30kV
探針電流范圍：1pA – 200nA，連續(xù)可調
X-Ray工作距離：10mm，EDS檢出角35°
樣品室：從左至右為340mm寬的大存儲空間，樣品室可拓展接口數量12個，含能譜儀接口3個（其中2個處于180°對角位置）
樣品臺和樣品：
探測器系統(tǒng)：
同步檢測多達四種信號，包括
樣品室高真空二次電子探測器ETD
低真空二次電子探測器LVD
氣體SED（GSED，用于環(huán)境掃描模式）
樣品室內IR-CCD紅外相機（觀察樣品臺高度）
可用于樣品導航的彩色光學相機Nav-Cam™
控制系統(tǒng)：
操作系統(tǒng)：64為GUI（Windows10）、鍵盤、光學鼠標
圖像顯示：24寸LCD顯示器，WUXGA 1920×1200
定制化的圖像用戶界面，可同時激活多達4個視圖
導航蒙太奇
軟件支持Undo和Redo功能
Quattro SEM環(huán)境真空掃描電鏡特點與用途：
在自然狀態(tài)下對材料進行預案為研究，具有環(huán)境真空模式（ESEM）的*高分辨率場發(fā)射掃描電鏡；
縮短樣品制備時間：低真空和環(huán)境真空技術可針對不導電和/或含水樣品直接成像和分析，樣品表面無荷電累積；
在各種操作模式下分析導電和不導電樣品，同步獲取二次電子像和背散射電子像；
優(yōu)良的分析性能，樣品倉可同時安裝3三個EDS探測器，其中2個EDS端口分開180°、WDS和共勉EDS/EBSD;
針對不導電樣品的分析性能：憑借“壓差真空系統(tǒng)”實現低真空模式下的EDS和EBSD分析；
靈活、準確的優(yōu)中心樣品臺，105°傾斜角度范圍，可多方位觀察樣品；
軟件直觀、簡便易用，并配置用戶向導及Undo（撤銷）功能，操作步驟減少，分析更快速；
創(chuàng)新選項，包括可伸縮RGB陰極熒光（CL）探測器、1100℃高真空熱臺和AutoScript。
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