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場發(fā)射掃描電鏡Quattro SEM特點(diǎn)與用途：

    在自然狀態(tài)下對材料進(jìn)行預(yù)案為研究，具有環(huán)境真空模式（ESEM）的高分辨率場發(fā)射掃描電鏡；

    縮短樣品制備時(shí)間：低真空和環(huán)境真空技術(shù)可針對不導(dǎo)電和/或含水樣品直接成像和分析，樣品表面無荷電累積；
    在各種操作模式下分析導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品，同步獲取二次電子像和背散射電子像；
    優(yōu)良的分析性能，樣品倉可同時(shí)安裝3三個(gè)EDS探測器，其中2個(gè)EDS端口分開180°、WDS和共勉EDS/EBSD;
    針對不導(dǎo)電樣品的分析性能：憑借“壓差真空系統(tǒng)"實(shí)現(xiàn)低真空模式下的EDS和EBSD分析；
    靈活、準(zhǔn)確的優(yōu)中心樣品臺(tái)，105°傾斜角度范圍，可多方位觀察樣品；
    軟件直觀、簡便易用，并配置用戶向?qū)Ъ癠ndo（撤銷）功能，操作步驟減少，分析更快速；
    全新創(chuàng)新選項(xiàng)，包括可伸縮RGB陰極熒光（CL）探測器、1100℃高真空熱臺(tái)和AutoScript。

金屬及合金、斷口、焊點(diǎn)、拋光斷面、磁性及超導(dǎo)材料
陶瓷、復(fù)合材料、塑料
薄膜/涂層
地質(zhì)樣品斷面、礦物
軟材料：聚合物、藥物、濾膜、凝膠、生物組織、植物材料
顆粒、多孔材料、纖維
水合/脫水/濕潤/接觸角分析
結(jié)晶/相變
氧化/催化
材料生成
拉伸（伴隨加熱或冷卻）

發(fā)射源：高穩(wěn)定型肖特基場發(fā)射電子槍

分辨率：

放大倍率：6 ~ 2,500,000×
加速電壓范圍：200V ~ 30kV
探針電流范圍：1pA – 200nA，連續(xù)可調(diào)
X-Ray工作距離：10mm，EDS檢出角35°
樣品室：從左至右為340mm寬的大存儲(chǔ)空間，樣品室可拓展接口數(shù)量12個(gè)，含能譜儀接口3個(gè)（其中2個(gè)處于180°對角位置）

樣品臺(tái)和樣品：

探測器系統(tǒng)：

同步檢測多達(dá)四種信號(hào)，包括

樣品室高真空二次電子探測器ETD
低真空二次電子探測器LVD
氣體SED（GSED，用于環(huán)境掃描模式）
樣品室內(nèi)IR-CCD紅外相機(jī)（觀察樣品臺(tái)高度）
可用于樣品導(dǎo)航的彩色光學(xué)相機(jī)Nav-Cam™

控制系統(tǒng)：
操作系統(tǒng)：64為GUI（Windows10）、鍵盤、光學(xué)鼠標(biāo)
圖像顯示：24寸LCD顯示器，WUXGA 1920×1200
定制化的圖像用戶界面，可同時(shí)激活多達(dá)4個(gè)視圖
導(dǎo)航蒙太奇
軟件支持Undo和Redo功能