TE2000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀采用變頻電源技術(shù)，利用單片機(jī)、和現(xiàn)代化電子技術(shù)進(jìn)行自動(dòng)頻率變換、模/數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)運(yùn)算；達(dá)到抗干擾能力強(qiáng)、測(cè)試速度快、精度高、全自動(dòng)數(shù)字化、操作簡(jiǎn)便；電源采用大功率開(kāi)關(guān)電源，輸出45Hz和55Hz純正弦波，自動(dòng)加壓，可提供高10千伏的電壓；自動(dòng)濾除50Hz干擾，適用于變電站等電磁干擾大的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。

 TE2000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要參數(shù)：

電力變壓器繞組的tgδ
1)1～3年或自行規(guī)定
2)大修后
3)必要時(shí) 1)20℃時(shí)tgδ不大于下列數(shù)值：
330～500kV 0.6%
66～220kV 0.8%
35kV及以下 1.5%
2)tgδ值與歷年的數(shù)值比較不應(yīng)有顯著變化(一般不大于30%)
3)試驗(yàn)電壓如下：
繞組電壓10kV及以上 10kV
繞組電壓10kV以下 Un
4)用M型試驗(yàn)器時(shí)試驗(yàn)電壓自行規(guī)定 1)非被試?yán)@組應(yīng)接地或屏蔽
2) 同一變壓器各繞組tgδ的要求值相同
3)測(cè)量溫度以頂層油溫為準(zhǔn)，盡量使每次測(cè)量的溫度相近
4)盡量在油溫低于50℃時(shí)測(cè)量，不同溫度下的tgδ值一般可按下式換算
tgδ2=tgδ1×1.3（t2-t1)/10
式中tgδ1、tgδ2分別為溫度t1、t2時(shí)的tgδ值

電流互感器的tgδ及電容量
1)投運(yùn)前
2)1～3年
3)大修后
4)必要時(shí) 1)主絕緣tgδ(%)不應(yīng)大于下表中的數(shù)值，且與歷年數(shù)據(jù)比較，不應(yīng)有顯著變化:

電壓等級(jí)kV 20～35 66～110 220 330～500
大修后 油紙電容型
充油型
膠紙電容型 —
3.0
2.5 1.0
2.0
2.0 0.7
—
— 0.6
—
—
運(yùn)行中 油紙電容型
充油型
膠紙電容型 —
3.5
3.0 1.0
2.5
2.5 0.6
—
— 0.7
—
—

2)電容型電流互感器主絕緣電容量與初始值或出廠值差別超出±5%范圍時(shí)應(yīng)查明原因
3)當(dāng)電容型電流互感器末屏對(duì)地絕緣電阻小于1000MΩ時(shí)，應(yīng)測(cè)量末屏對(duì)地tgδ，其值不大于2% 1)主絕緣tgδ試驗(yàn)電壓為10kV，末屏對(duì)地tgδ試驗(yàn)電壓為2kV
2)油紙電容型tgδ一般不進(jìn)行溫度換算，當(dāng)tgδ值與出廠值或上一次試驗(yàn)值比較有明顯增長(zhǎng)時(shí)，應(yīng)綜合分析tgδ與溫度、電壓的關(guān)系，當(dāng)tgδ隨溫度明顯變化或試驗(yàn)電壓由10kV升到Um/√3 時(shí)，tgδ增量超過(guò)±0.3%，不應(yīng)繼續(xù)運(yùn)行
3)固體絕緣互感器可不進(jìn)行tgδ測(cè)量

電磁式電壓互感器的tgδ(20kV及以上)
1)繞組絕緣：
a)1～3年
b)大修后
c)必要時(shí)
2)66～220kV串級(jí)式電壓互感器支架：
a)投運(yùn)前
b)大修后
c)必要時(shí) 1)繞組絕緣tgδ(%)不應(yīng)大于下表中數(shù)值：

溫度℃ 5 10 20 30 40
35kV及以下 大修后 1.5 2.5 3.0 5.0 7.0
運(yùn)行中 2.0 2.5 3.5 5.5 8.0
35kV以上 大修后 1.0 1.5 2.0 3.5 5.0
運(yùn)行中 1.5 2.0 2.5 4.0 5.5

2)支架絕緣tgδ一般不大于6% 串級(jí)式電壓互感器的tgδ試驗(yàn)方法建議采用末端屏蔽法，其它試驗(yàn)方法與要求自行規(guī)定

電容式電壓互感器的中間變壓器的tgδ
1)大修后
2)必要時(shí) 與初始值相比不應(yīng)有顯著變化

SF6斷路器和GIS的斷口間并聯(lián)電容器的絕緣電阻、電容量和tgδ
1)1～3年
2)大修后
3)必要時(shí) 1)對(duì)瓷柱式斷路器和斷口同時(shí)測(cè)量，測(cè)得的電容值和tgδ與原始值比較，應(yīng)無(wú)明顯變化
2)罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)按制造廠規(guī)定
3)單節(jié)電容器按斷路器電容器規(guī)定 1)大修時(shí)，對(duì)瓷柱式斷路器應(yīng)測(cè)量電容器和斷口并聯(lián)后整體的電容值和tgδ，作為該設(shè)備的原始數(shù)據(jù)
2)對(duì)罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)必要時(shí)進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)方法按制造廠規(guī)定

多油斷路器和少油斷路器40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tgδ
1)1～3年
2)大修后 1)20℃時(shí)多油斷路器的非純瓷套管的tgδ(%)值見(jiàn)表20
2)20℃時(shí)非純瓷套管斷路器的tgδ(%)值，可比表20中相應(yīng)的tgδ(%)值增加下列數(shù)值：

額定電壓kV ≥126 ＜126 40.5(DW1—35DW1—35D)
gδ(%)值的增加數(shù) 1 2 3

1)在分閘狀態(tài)下按每支套管進(jìn)行測(cè)量。測(cè)量的tgδ超過(guò)規(guī)定值或有顯著增大時(shí)，必須落下油箱進(jìn)行分解試驗(yàn)。對(duì)不能落下油箱的斷路器，則應(yīng)將油放出，使套管下部及滅弧室露出油面，然后進(jìn)行分解試驗(yàn)
2)斷路器大修而套管不大修時(shí)，應(yīng)按套管運(yùn)行中規(guī)定的相應(yīng)數(shù)值增加
3)帶并聯(lián)電阻斷路器的整體tgδ(%)可相應(yīng)增加1

多油斷路器和少油斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻值，并聯(lián)電容器的電容量和tgδ
1)大修后
2)必要時(shí) 1)并聯(lián)電阻值應(yīng)符合制造廠規(guī)定
2)并聯(lián)電容器按下方高壓并聯(lián)電容器規(guī)定

空氣斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻，均壓電容器的電容量和tgδ
1)大修后 1)并聯(lián)電阻值符合制造廠規(guī)定
2)均壓電容器按斷路器電容器規(guī)定

套管的主絕緣及電容型套管對(duì)地末屏tgδ與電容量
1)1～3年
2)大修(包括主設(shè)備大修)后
3)必要時(shí) 1)20℃時(shí)的tgδ(%)值應(yīng)不大于下表中數(shù)值：

電壓等級(jí)kV

20～35 66～110 220～500
大修后 充油型 3.0 1.5 —
油紙電容型 1.0 1.0 0.8
充膠型 3.0 2.0 —
膠紙電容型 2.0 1.5 1.0
膠紙型 2.5 2.0 —
運(yùn)行中 充油型 3.5 1.5 —
油紙電容型 1.0 1.0 0.8
充膠型 3.5 2.0 —
膠紙電容型 3.0 1.5 1.0
膠紙型 3.5 2.0 —

2)當(dāng)電容型套管末屏對(duì)地絕緣電阻小于1000MΩ時(shí)，應(yīng)測(cè)量末屏對(duì)地tgδ，其值不大于2%
3)電容型套管的電容值與出廠值或上一次試驗(yàn)值的差別超出±5%時(shí)，應(yīng)查明原因 1)油紙電容型套管的tgδ一般不進(jìn)行溫度換算，當(dāng)tgδ與出廠值或上一次測(cè)試值比較有明顯增長(zhǎng)或接近左表數(shù)值時(shí)，應(yīng)綜合分析tgδ與溫度、電壓的關(guān)系。當(dāng)tgδ隨溫度增加明顯增大或試驗(yàn)電壓由10kV升到Um/√3 時(shí)，tgδ增量超過(guò)±0.3%，不應(yīng)繼續(xù)運(yùn)行
2)20kV以下純瓷套管及與變壓器油連通的油壓式套管不測(cè)tgδ
3)測(cè)量變壓器套管tgδ時(shí)，與被試套管相連的所有繞組端子連在一起加壓，其余繞組端子均接地，末屏接電橋，正接線測(cè)量

高壓并聯(lián)電容器、串聯(lián)電容器和交流濾波電容器的電容值
1)投運(yùn)后1年內(nèi)
2)1～5年 1)電容值偏差不超出額定值的-5%～+10%范圍
2)電容值不應(yīng)小于出廠值的95% 用電橋法或電流電壓法測(cè)量

耦合電容器和電容式電壓互感器的電容分壓器的tgδ
1)投運(yùn)后1年內(nèi)
2)1～3年 10kV下的tgδ值不大于下列數(shù)值：
油紙絕緣 0.005
膜紙復(fù)合絕緣 0.002 1)當(dāng)tgδ值不符合要求時(shí)，可在額定電壓下復(fù)測(cè)，復(fù)測(cè)值如符合10kV下的要求，可繼續(xù)投運(yùn)
2)電容式電壓互感器低壓電容的試驗(yàn)電壓值自定

斷路器電容器的電容值
1)1～3年
2)斷路器大修后 電容值偏差應(yīng)在額定值的±5%范圍內(nèi) 用電橋法

斷路器電容器的tgδ
1)1～3年
2)斷路器大修后 10kV下的tgδ值不大于下列數(shù)值：
油紙絕緣 0.005
膜紙復(fù)合絕緣 0.0025

集合式電容器的電容值
1)投運(yùn)后1年內(nèi)
2)1～5年
3)吊芯修理后 1)每相電容值偏差應(yīng)在額定值的-5%～+10%的范圍內(nèi)，且電容值不小于出廠值 的96%
2)三相中每?jī)删€路端子間測(cè)得的電容值的zui大值與zui小值之比不大于1.06
3)每相用三個(gè)套管引出的電容器組，應(yīng)測(cè)量每?jī)蓚€(gè)套管之間的電容量，其值與出廠值相差在±5%范圍內(nèi)

串聯(lián)電抗器的繞組tgδ
1)大修后
2)必要時(shí) 20℃下的tgδ(%)值不大于：
35kV及以下 3.5
66kV 2.5 僅對(duì)800kvar以上的油浸鐵芯電抗器進(jìn)行

放電線圈的繞組的tgδ
1)大修后
2)必要時(shí) 參照電磁式電壓互感器

同步發(fā)電機(jī)、調(diào)相機(jī)定子繞組瀝青云母和烘卷云母絕緣老化鑒定試驗(yàn)項(xiàng)目和要求
整相繞組(或分支)及單根線棒的tgδ增量(Δtgδ) 1)主絕緣tgδ(%)不應(yīng)大于下表中的數(shù)值，且與歷年數(shù)據(jù)比較，不應(yīng)有顯著變化：

定子電壓等級(jí)kV Δtgδ%
6 6.5
10 6.5

Δtgδ(%)值指額定電壓下和起始游離電壓下tgδ(%)之差值。對(duì)于6kV及10kV電壓等級(jí)，起始游離電壓分別取3kV和4kV
2)定子電壓為6kV和10kV的單根線棒在兩個(gè)不同電壓下的Δtgδ(%)值不大于下列值：

1.5Un和0.5Un 相鄰0.2Un電壓間隔; 0.8Un和0.2Un
11 2.5 3.5

凡現(xiàn)場(chǎng)條件具備者，zui高試驗(yàn)電壓可選擇1.5Un；否則也可選擇(0.8～1.0)Un。相鄰0.2Un電壓間隔值，即指1.0Un和0.8Un、0.8Un和0.6Un，0.6Un和0.4Un、0.4Un和0.2Un 1)在絕緣不受潮的狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)
2)槽外測(cè)量單根線棒tgδ時(shí)，線棒兩端應(yīng)加屏蔽環(huán)
3)可在環(huán)境溫度下試驗(yàn)